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Transistors (2488)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Fréquence Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Current - Test Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Silhouette Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Tension - test COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AFS, LF 0,2800
RFQ
 ECAD 107 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiii Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-75, SOT-416 SSM3K15 MOSFET (Oxyde Métallique) SSM télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 30 V 100mA (TA) 2,5 V, 4V 3,6 ohm @ 10mA, 4V 1,5 V à 100 µA ± 20V 13,5 pf @ 3 V - 100MW (TA)
RN1905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN1905 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 500NA 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2,2 kohms 47 kohms
RN1415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1415, LXHF 0,3400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1415 200 MW S-mini télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 2,2 kohms 10 kohms
2SA2097(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2097 (TE16L1, NQ) 0,8000
RFQ
 ECAD 8947 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 2SA2097 1 W PW-Mold télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 50 V 5 a 100NA (ICBO) Pnp 270mV @ 53mA, 1.6a 200 @ 500mA, 2V -
2SA1586-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-GR, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 2SA1586 100 MW SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) Pnp 300 mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80 MHz
RN1104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV, L3XHF (CT 0,3400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN1104 150 MW Vesm télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 47 kohms 47 kohms
RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV, L3XHF (CT 0,3400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN2103 150 MW Vesm télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
2SC2655-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y, T6Wnlf (J -
RFQ
 ECAD 2036 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2655 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) NPN 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
2SA949-Y(T6SHRP,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (T6SHRP, FM -
RFQ
 ECAD 5283 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA949 800 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100NA (ICBO) Pnp 800 MV @ 1MA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120 MHz
2SC2655-Y(T6ND1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6ND1, AF -
RFQ
 ECAD 5882 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2655 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) NPN 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
2SA965-Y,T6KOJPF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y, T6KOJPF (J -
RFQ
 ECAD 5039 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA965 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 mA 100NA (ICBO) Pnp 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120 MHz
RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM01U7P (TE12L, F) 1.2713
RFQ
 ECAD 3591 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 20 V Support de surface À 243aa RFM01U7 520 MHz Mosfet Pw-mini télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 1A 100 mA 1.2W 10,8 dB - 7.2 V
TPN4R806PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R806PL, L1Q 0,9000
RFQ
 ECAD 4178 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosix-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface 8 powervdfn TPN4R806 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-Tson (3.1x3.1) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 60 V 72A (TC) 4,5 V, 10V 3,5 mohm @ 36a, 10v 2,5 V @ 300µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2770 pf @ 30 V - 630mw (TA), 104W (TC)
2SC5930(TPF2,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930 (TPF2, F, M) -
RFQ
 ECAD 9534 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou SC-71 2SC5930 1 W MSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 600 V 1 a 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 75mA, 600mA 40 @ 200mA, 5V -
2SK3466(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3466 (TE24L, Q) -
RFQ
 ECAD 2985 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SC-97 2SK3466 MOSFET (Oxyde Métallique) 4-TFP (9.2x9.2) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 500 Canal n 500 V 5A (TA) 10V 1,5 ohm @ 5a, 10v 4V @ 1MA 17 NC @ 10 V ± 30V 780 PF @ 10 V - 50W (TC)
RN2106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106ACT (TPL3) 0,0527
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-101, SOT-883 RN2106 100 MW CST3 - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 V 80 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 150 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 4,7 kohms 47 kohms
RN1418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418, LXHF 0,0645
RFQ
 ECAD 9319 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200 MW S-mini télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 10 kohms
RN2102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2102 100 MW SSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2703JE (TE85L, F) 0 4700
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-553 RN2703 100 MW ESV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (Double) (couple Émetteur) 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
HN1C01FYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FYTE85LF 0,3300
RFQ
 ECAD 3827 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-74, SOT-457 HN1C01 300mw SM6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 150m 100NA (ICBO) 2 npn (double) 250 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80 MHz
2SC2235-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y, F (J -
RFQ
 ECAD 8296 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2235 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120 MHz
2SA1313-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-O (TE85L, F) 0,0592
RFQ
 ECAD 6639 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1313 200 MW S-mini télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) Pnp 250 mV @ 10mA, 100mA 70 @ 100mA, 1v 200 MHz
TK31A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK31A60W, S4VX 7.4700
RFQ
 ECAD 7047 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK31A60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 30.8A (TA) 10V 88MOHM @ 15.4A, 10V 3,7 V @ 1,5mA 86 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 45W (TC)
2SA1586-Y(T5LND,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586-Y (T5lnd, F) -
RFQ
 ECAD 5318 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) 264-2SA1586-Y (T5LNDF) TR EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) Pnp 300 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80 MHz
RN4602TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4602TE85LF 0,3800
RFQ
 ECAD 1144 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-74, SOT-457 RN4602 300mw SM6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
RN1104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN1104 100 MW SSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 47 kohms
2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3326-B, LF 0,4000
RFQ
 ECAD 205 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3326 150 MW À 236 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 20 V 300 mA 100NA (ICBO) NPN 100mV @ 3mA, 30mA 350 @ 4MA, 2V 30 MHz
SSM10N954L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM10N954L, EFF 1.3600
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 10 mm, pas d'Avance MOSFET (Oxyde Métallique) TCSPAC-153001 - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal n 12 V 13.5A (TA) 2,5 V, 4,5 V 2,75 mohm @ 6a, 4,5 V 1.4 V @ 1.11mA 25 NC @ 4 V ± 8v - 800mw (TA)
RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1507 (TE85L, F) 0,3500
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-74A, SOT-753 RN1507 300mw SMV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE, L3F 0,3700
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface SOT-563, SOT-666 SSM6N16 MOSFET (Oxyde Métallique) 150mw (TA) ES6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 2 Canaux N (double) 20V 100mA (TA) 3OHM @ 10mA, 4V 1,1 V @ 100µA - 9.3pf @ 3v -
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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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