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Transistors (2488)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
RN2117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2117 (TE85L, F) 0,3900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2117 100 MW SSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 4,7 kohms
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU, LF 0,5100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 6 mm, plombes plombes SSM6L12 MOSFET (Oxyde Métallique) 500mw Uf6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n et p 30V, 20V 500mA (TA) 145MOHM @ 500mA, 4,5 V, 260MOHM @ 250mA, 4V 1,1 V @ 100µA - 245pf @ 10v, 218pf @ 10v -
RN1903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903, LXHF (CT 0,3600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1903 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mm 500NA 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
TK6Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q65W, S1Q 1 4000
RFQ
 ECAD 8899 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou To-251-3 Stub Leads, ipak TK6Q65 MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 650 V 5.8A (TA) 10V 1,05 ohm @ 2,9a, 10v 3,5 V @ 180µA 11 NC @ 10 V ± 30V 390 pf @ 300 V - 60W (TC)
SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J304T (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9160 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiii Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J304 MOSFET (Oxyde Métallique) TSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 2.3A (TA) 1,8 V, 4V 127MOHM @ 1A, 4V - 6.1 NC @ 4 V ± 8v 335 PF @ 10 V - 700MW (TA)
TK5Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK5Q65W, S1Q 1.2700
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou To-251-3 Stub Leads, ipak TK5Q65 MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 650 V 5.2a (TA) 10V 1,22 ohm @ 2,6a, 10v 3,5 V @ 170µA 10,5 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 300 V - 60W (TC)
SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU, LF 0,5100
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-WDFN SSM6J505 MOSFET (Oxyde Métallique) 6-udfnb (2x2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 12 V 12A (TA) 1,2 V, 4,5 V 12MOHM @ 4A, 4,5 V 1v @ 1MA 37,6 NC @ 4,5 V ± 6V 2700 pf @ 10 V - 1.25W (TA)
SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L39TU, LF 0 4600
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 6 mm, plombes plombes SSM6L39 MOSFET (Oxyde Métallique) 500mw Uf6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n et p 20V 800mA 143MOHM @ 600mA, 4V 1v @ 1MA - 268pf @ 10v Porte de Niveau Logique, Lecenteur de 1,8 V
TK16E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W5, S1VX 3.1200
RFQ
 ECAD 9278 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TK16E60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 15.8A (TA) 10V 230MOHM @ 7.9A, 10V 4,5 V @ 790µA 43 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 130W (TC)
TPCP8005-H(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8005-H (TE85L, F -
RFQ
 ECAD 2162 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosv-h Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat TPCP8005 MOSFET (Oxyde Métallique) PS-8 (2.9x2.4) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 30 V 11a (ta) 4,5 V, 10V 12.9MOHM @ 5.5A, 10V 2,5 V @ 1MA 20 nc @ 10 V ± 20V 2150 pf @ 10 V - 840mw (TA)
TPCF8402(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8402 (TE85L, F, M -
RFQ
 ECAD 3491 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat TPCF8402 MOSFET (Oxyde Métallique) 330mw VS-8 (2.9x1.5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 Canal n et p 30V 4a, 3.2a 50MOHM @ 2A, 10V 2v @ 1MA 10nc @ 10v 470pf @ 10v Porte de Niveau Logique
TPCC8065-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8065-H, LQ (S -
RFQ
 ECAD 2198 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvii-h Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPCC8065 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-Tson (3.1x3.1) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 13a (ta) 4,5 V, 10V 11.4MOHM @ 6.5A, 10V 2,3 V @ 200µA 20 nc @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 10 V - 700MW (TA), 18W (TC)
TK12A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60W, S4VX 3.9800
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK12A60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 11.5A (TA) 10V 300mohm @ 5.8a, 10v 3,7 V @ 600µA 25 NC @ 10 V ± 30V 890 PF @ 300 V - 35W (TC)
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S16U (TE85L, F) 0,2500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 MT3S16 100 MW SC-70 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 4,5 DBI 5V 60m NPN 80 @ 5mA, 1v 4 GHz 2,4 dB à 1Hz
TPCA8109(TE12L1,V Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8109 (TE12L1, V -
RFQ
 ECAD 3844 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 8 powervdfn TPCA8109 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) - 1 (illimité) 264-TPCA8109 (TE12L1VTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal p 30 V 24a (TA) 4,5 V, 10V 9MOHM @ 12A, 10V 2V @ 500µA 56 NC @ 10 V + 20V, -25V 2400 PF @ 10 V - 1.6W (TA), 30W (TC)
2SK2544(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2544 (F) -
RFQ
 ECAD 7521 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 2SK2544 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 6a (ta) 10V 1,25 ohm @ 3a, 10v 4V @ 1MA 30 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 10 V - 80W (TC)
TPHR6503PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1, LQ 2.2000
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosix-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5,75) - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 150a (TC) 4,5 V, 10V 0,65 mohm @ 50a, 10v 2.1V @ 1MA 110 NC @ 10 V ± 20V 10000 pf @ 15 V - 960mw (TA), 210W (TC)
TK14A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK14A65W, S5X 2.8200
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK14A65 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 13.7A (TA) 10V 250 MOHM @ 6.9A, 10V 3,5 V @ 690µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 300 V - 40W (TC)
TPH1110FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1110FNH, L1Q 1.8400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPH1110 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 250 V 10A (TA) 10V 112MOHM @ 5A, 10V 4V à 300µA 11 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 1.6W (TA), 57W (TC)
TK13E25D,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK13E25D, S1X (S 2.2900
RFQ
 ECAD 4902 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TK13E25 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 250 V 13a (ta) 10V 250 mohm @ 6.5a, 10v 3,5 V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 102W (TC)
SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU, LF -
RFQ
 ECAD 3756 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 MOSFET (Oxyde Métallique) 300mw US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 60V 200m 2.1Ohm @ 500mA, 10V 3,1 V @ 250µA - 17pf @ 25v Porte de Niveau Logique
TPC8134,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8134, LQ (S 0,7300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TPC8134 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 40 V 5A (TA) 4,5 V, 10V 52MOHM @ 2,5A, 10V 2V @ 100µA 20 nc @ 10 V + 20V, -25V 890 pf @ 10 V - 1W (ta)
TK12Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12Q60W, S1VQ 2.0600
RFQ
 ECAD 75 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou To-251-3 Stub Leads, ipak TK12Q60 MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) TK12Q60WS1VQ EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 600 V 11.5A (TA) 10V 340mohm @ 5.8a, 10v 3,7 V @ 600µA 25 NC @ 10 V ± 30V 890 PF @ 300 V - 100W (TC)
TK11P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Tk11p65w, RQ 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Tk11p65 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 650 V 11.1a (TA) 10V 440mohm @ 5.5a, 10v 3,5 V @ 450µA 25 NC @ 10 V ± 30V 890 PF @ 300 V - 100W (TC)
2SJ438,MDKQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438, MDKQ (M -
RFQ
 ECAD 6890 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Par le trou À 220-3 EXCHET 2SJ438 À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 5A (TJ)
TK20J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60U (F) -
RFQ
 ECAD 2851 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosii Plateau Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 TK20J60 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p (n) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 20A (TA) 10V 190MOHM @ 10A, 10V 5V @ 1MA 27 NC @ 10 V ± 30V 1470 pf @ 10 V - 190W (TC)
TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQ5, LQ 2.5500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosx-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface 8 powervdfn MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) - Rohs3 conforme 1 (illimité) 5 000 Canal n 150 V 108A (TA), 64A (TC) 8v, 10v 9MOHM @ 32A, 10V 4,5 V @ 1MA 44 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 75 V - 3W (TA), 210W (TC)
2SA1020-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 3483 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA1020 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) Pnp 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
RN2905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2905 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mm 500NA 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 2,2 kohms 47 kohms
TPCA8A02-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A02-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 8734 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosv-h Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPCA8A02 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 34A (TA) 4,5 V, 10V 5,3MOHM @ 17A, 10V 2.3V @ 1mA 36 NC @ 10 V ± 20V 3430 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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