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Transistors (2488)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
TW048N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW048N65C, S1F 16.3200
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 175 ° C Par le trou À 247-3 Sicfet (carbure de silicium) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 40A (TC) 18V 65MOHM @ 20A, 18V 5V @ 1,6mA 41 NC @ 18 V + 25V, -10V 1362 PF @ 400 V - 132W (TC)
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R, LF 0,4300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-3 PLATS PLATS SSM3K345 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23F télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 4a (ta) 1,5 V, 4,5 V 33MOHM @ 4A, 4,5 V 1v @ 1MA 3,6 NC @ 4,5 V ± 8v 410 PF @ 10 V - 1W (ta)
TPCA8028-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8028-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9696 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiv-h Ruban de Coupé (CT) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPCA8028 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 50A (TA) 4,5 V, 10V 2,8MOHM @ 25A, 10V 2.3V @ 1mA 88 NC @ 10 V ± 20V 7800 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902, LF (CT 0,2800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4902 200 MW US6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mm 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K518NU, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface Pad Exposé 6-WDFN SSM6K518 MOSFET (Oxyde Métallique) 6-udfnb (2x2) - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 6a (ta) 1,5 V, 4,5 V 33MOHM @ 4A, 4,5 V 1v @ 1MA 3,6 NC @ 4,5 V ± 8v 410 PF @ 10 V - 1.25W (TA)
TK17A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A65W5, S5X 3.1400
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif 150 ° C Par le trou À 220-3 EXCHET TK17A65 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 17.3A (TA) 10V 230MOHM @ 8.7A, 10V 4,5 V @ 900µA 50 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 300 V - 45W (TC)
2SA1955FVATPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVATPL3Z 0,2000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface SC-101, SOT-883 2SA1955 100 MW CST3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 8 000 12 V 400 mA 100NA (ICBO) Pnp 250 MV @ 10mA, 200mA 300 @ 10mA, 2V 130 MHz
2SC2705-O(TPE6,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O (TPE6, F) -
RFQ
 ECAD 4015 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tape & Box (TB) Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2705 800 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 150 V 50 mA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 1MA, 10MA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz
2SK3700(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3700 (F) 2.5200
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 2SK3700 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p (n) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 900 V 5A (TA) 2,5 ohm @ 3a, 10v 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V 1150 pf @ 25 V - 150W (TC)
2SC2383-O(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-O (T6omi, FM -
RFQ
 ECAD 4250 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2383 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 160 V 1 a 1µA (ICBO) NPN 1,5 V @ 50mA, 500mA 60 @ 200mA, 5V 100 MHz
TK12P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W, RQ 2 0000
RFQ
 ECAD 6704 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 500 V 11.5A (TA) 10V 340mohm @ 5.8a, 10v 3,7 V @ 600µA 25 NC @ 10 V ± 30V 890 PF @ 300 V - 100W (TC)
2SK2962,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6Wnlf (J -
RFQ
 ECAD 1755 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SK2962 To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
2SK2962,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6F (M -
RFQ
 ECAD 4332 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SK2962 To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
TK7A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W5, S5VX 1.6400
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK7A60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 7a (ta) 10V 650mohm @ 3,5a, 10v 4,5 V @ 350µA 16 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 300 V - 30W (TC)
2SC3665-Y(T2NSW,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y (T2NSW, FM -
RFQ
 ECAD 1068 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou SC-71 2SC3665 1 W MSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 120 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120 MHz
HN1B04FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y, LXHF 0,4200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif - Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1B04 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50v 150m 100NA (ICBO) Npn, pnp 250 MV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 150 MHz, 120 MHz
TPCA8045-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8045-H (T2L1, VM -
RFQ
 ECAD 3369 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi-h Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPCA8045 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 40 V 46A (TA) 4,5 V, 10V 3,6MOHM @ 23A, 10V 2.3V @ 1mA 90 NC @ 10 V ± 20V 7540 PF @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
TPCC8136.LQ Toshiba Semiconductor and Storage Tpcc8136.lq -
RFQ
 ECAD 7165 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 8 powervdfn TPCC8136 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-Tson (3.1x3.1) - 1 (illimité) 264-TPCC8136.lqtr EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 9.4A (TA) 1,8 V, 4,5 V 16MOHM @ 9.4A, 4,5 V 1,2 V @ 1MA 36 NC @ 5 V ± 12V 2350 pf @ 10 V - 700MW (TA), 18W (TC)
TPN5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN5900CNH, L1Q 1.3400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPN5900 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-Tson (3.1x3.1) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 150 V 9a (ta) 10V 59MOHM @ 4.5A, 10V 4V @ 200µA 7 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 75 V - 700MW (TA), 39W (TC)
TPCP8004(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8004 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 6792 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiv Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat TPCP8004 MOSFET (Oxyde Métallique) PS-8 (2.9x2.4) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 30 V 8.3A (TA) 4,5 V, 10V 8,5MOHM @ 4.2A, 10V 2,5 V @ 1MA 26 NC @ 10 V ± 20V 1270 pf @ 10 V - 840mw (TA)
SSM6N62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU, LXHF 0 4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 6 mm, plombes plombes SSM6N62 MOSFET (Oxyde Métallique) 500mw (TA) Uf6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 20V 800mA (TA) 85MOHM @ 800mA, 4,5 V 1v @ 1MA 2NC @ 4,5 V 177pf @ 10v Porte de Niveau Logique, Entraiment 1.2 V
TPH1R204PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PL1, LQ 1.6600
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosix-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5,75) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 40 V 150a (TC) 4,5 V, 10V 1,24MOHM @ 50A, 10V 2,4 V @ 500µA 74 NC @ 10 V ± 20V 7200 pf @ 20 V - 960mw (TA), 170W (TC)
RN2106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV, L3XHF (CT 0,3400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN2106 150 MW Vesm télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4,7 kohms 47 kohms
RN1131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV, L3F 0,1800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN1131 150 MW Vesm télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 120 @ 1MA, 5V 100 kohms
RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2707JE (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-553 RN2707 100 MW ESV télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mm 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
TK12A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60W, S4VX 3.9800
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK12A60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 11.5A (TA) 10V 300mohm @ 5.8a, 10v 3,7 V @ 600µA 25 NC @ 10 V ± 30V 890 PF @ 300 V - 35W (TC)
2SC2655-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6CN, A, F -
RFQ
 ECAD 8602 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2655 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) NPN 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL, L1Q 1.2500
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPH3R203 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 47a (TC) 4,5 V, 10V 3,2MOHM @ 23,5A, 10V 2,3 V @ 300µA 21 NC @ 10 V ± 20V 2100 pf @ 15 V - 1.6W (TA), 44W (TC)
2SA1020-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6WNLF (J -
RFQ
 ECAD 2798 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA1020 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) 2SA1020-YT6WNLF (J EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) Pnp 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K405TU, LF 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 6 mm, plombes plombes SSM6K405 MOSFET (Oxyde Métallique) Uf6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 20 V 2a (ta) 1,5 V, 4V 126MOHM @ 1A, 4V 1v @ 1MA 3,4 NC @ 4 V ± 10V 195 PF @ 10 V - 500mw (TA)
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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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