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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Ensemble de Périphériques du Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
BC847CW Taiwan Semiconductor Corporation BC847CW 0,0357
RFQ
 ECAD 7744 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC847cwtr EAR99 8541.21.0075 18 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
BC846BW Taiwan Semiconductor Corporation BC846BW 0,0361
RFQ
 ECAD 5103 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC846 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC846BWTR EAR99 8541.21.0075 18 000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM6968SDCA Taiwan Semiconductor Corporation TSM6968SDCA 0,6916
RFQ
 ECAD 8072 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) TSM6968 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.04W (TA) 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM6968SDCATr EAR99 8541.29.0095 12 000 2 N-Canal 20V 6.5A (TA) 22MOHM @ 6.5A, 4,5 V 1V @ 250µA 20nc @ 4,5 V 950pf @ 10v Standard
TSM60NB190CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CI C0G 8.1000
RFQ
 ECAD 749 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 18A (TC) 10V 190mohm @ 6a, 10v 4V @ 250µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1273 PF @ 100 V - 33,8W (TC)
TQM025NH04LCR-V RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM025NH04LCR-V RLG 3.0535
RFQ
 ECAD 7698 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotive, AEC-Q101, Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFNU (4,9x5,75) - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 26A (TA), 100A (TC) 4,5 V, 10V 2,5 mohm @ 50a, 10v 2,2 V @ 250µA 95 NC @ 10 V ± 16V 6228 PF @ 25 V - 136W (TC)
TSM340N06CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM340N06CH 0 7953
RFQ
 ECAD 8065 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou To-251-3 Stub Leads, ipak TSM340 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (i-pak sl) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM340N06CH EAR99 8541.29.0095 15 000 Canal n 60 V 30a (TC) 4,5 V, 10V 34MOHM @ 15A, 10V 2,5 V @ 250µA 16,6 NC @ 10 V ± 20V 1180 pf @ 30 V - 40W (TC)
TSM3N90CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N90CI C0G -
RFQ
 ECAD 2448 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM3N90 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 900 V 2.5a (TC) 10V 5.1OHM @ 1 25A, 10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 748 PF @ 25 V - 94W (TC)
TSM3481CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3481CX6 RFG 1.2500
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 TSM3481 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-26 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 30 V 5.7A (TA) 4,5 V, 10V 48MOHM @ 5.3A, 10V 3V à 250µA 18.09 NC @ 10 V ± 20V 1047.98 PF @ 15 V - 1.6W (TA)
TSM60NB190CM2 RNG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CM2 RNG 4.3710
RFQ
 ECAD 3854 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d²pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 600 V 18A (TC) 10V 190mohm @ 6a, 10v 4V @ 250µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1273 PF @ 100 V - 150,6w (TC)
TSM040N03CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM040N03CP 0,8900
RFQ
 ECAD 9375 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM040 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM040N03CPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 90a (TC) 4,5 V, 10V 4MOHM @ 24A, 10V 2,5 V @ 250µA 24 NC @ 4,5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 88W (TC)
TSM16ND50CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM16ND50CI 3.1438
RFQ
 ECAD 8196 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM16 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM16ND50CI EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 500 V 16A (TC) 10V 350mohm @ 4a, 10v 4,5 V @ 250µA 53 NC @ 10 V ± 30V 2551 PF @ 50 V - 59,5W (TC)
TSM70N600CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N600CH 2.5626
RFQ
 ECAD 9453 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM70N600CH EAR99 8541.29.0095 15 000 Canal n 700 V 8A (TC) 10V 600 mOhm @ 2,4a, 10v 4V @ 250µA 12.6 NC @ 10 V ± 30V 743 PF @ 100 V - 83W (TC)
TSM60NB900CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB900CP 1.2771
RFQ
 ECAD 7751 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB900CPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 600 V 4A (TC) 10V 900MOHM @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 9.6 NC @ 10 V ± 30V 315 PF @ 100 V - 36.8W (TC)
TQM019NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM019NH04CR RLG 6.5400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotive, AEC-Q101, Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFNU (4,9x5,75) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 40 V 30A (TA), 100A (TC) 7v, 10v 1,9MOHM @ 50A, 10V 3,6 V @ 250µA 134 NC @ 10 V ± 20V 9044 PF @ 25 V - 150W (TC)
TSM70N600CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N600CI 3.0142
RFQ
 ECAD 8316 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM70N600CI EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 700 V 8A (TC) 10V 600 mOhm @ 2,4a, 10v 4V @ 250µA 12.6 NC @ 10 V ± 30V 743 PF @ 100 V - 32W (TC)
BC550A A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC550A A1 -
RFQ
 ECAD 6984 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC550AA1TB OBSOLÈTE 1 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2MA, 5V -
TSM80N950CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N950CI 3.3572
RFQ
 ECAD 1680 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM80 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM80N950CI EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 800 V 6A (TC) 10V 950MOHM @ 2A, 10V 4V @ 250µA 19,6 NC @ 10 V ± 30V 691 PF @ 100 V - 25W (TC)
TSC497CX Taiwan Semiconductor Corporation Tsc497cx 0.1607
RFQ
 ECAD 8692 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSC497 500 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSC497CXTR 12 000 300 V 500 mA 100NA NPN 300 mV @ 25mA, 250mA 100 @ 1MA, 10V 75 MHz
TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2309CX RFG 0,8000
RFQ
 ECAD 87 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2309 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 60 V 3.1A (TC) 4,5 V, 10V 190mohm @ 3a, 10v 2,5 V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 425 PF @ 30 V - 1 56W (TC)
TSM480P06CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM480P06CI C0G -
RFQ
 ECAD 8557 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté Tsm480p06cic0g EAR99 8541.29.0095 1 Canal p 60 V 20A (TC) 4,5 V, 10V 48MOHM @ 8A, 10V 2,2 V @ 250µA 22,4 NC @ 10 V ± 20V 1250 pf @ 30 V - 27W (TC)
TSM080N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM080N03PQ56 RLG 1 4000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM080 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 73A (TC) 4,5 V, 10V 8MOHM @ 14A, 10V 2,5 V @ 250µA 14.4 NC @ 10 V ± 20V 843 PF @ 15 V - 69W (TC)
BC817-16W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC817-16W RFG 0,0360
RFQ
 ECAD 2711 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 100 @ 100mA, 1v 100 MHz
TSM043NB04CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM043NB04CZ 3.5400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM043 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 40 V 16A (TA), 124A (TC) 4.3MOHM @ 16A, 10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 V ± 20V 4928 PF @ 20 V - 2W (TA), 125W (TC)
TSM4NB65CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB65CI C0G 1.1907
RFQ
 ECAD 6549 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM4NB65 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 4A (TC) 10V 3.37OHM @ 2A, 10V 4,5 V @ 250µA 13.46 NC @ 10 V ± 30V 549 PF @ 25 V - 70W (TC)
TSM900N06CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW RPG 0,8900
RFQ
 ECAD 5107 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa TSM900 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-223 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 11a (TC) 4,5 V, 10V 90MOHM @ 6A, 10V 2,5 V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 15 V - 4.17W (TC)
TSM480P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM480P06CP ROG 1.6100
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM480 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 60 V 20A (TC) 4,5 V, 10V 48MOHM @ 8A, 10V 2,2 V @ 250µA 22,4 NC @ 10 V ± 20V 1250 pf @ 30 V - 66W (TC)
TSM3401CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3401CX RFG 1.2500
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM3401 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 30 V 3a (ta) 4,5 V, 10V 60mohm @ 3a, 10v 3V à 250µA 2,7 NC @ 10 V ± 20V 551,57 pf @ 15 V - 1.25W (TA)
TSA884CX Taiwan Semiconductor Corporation Tsa884cx 0,1560
RFQ
 ECAD 1439 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSA884 300 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSA884CXTR EAR99 8541.21.0095 12 000 500 V 150 mA 100NA (ICBO) Pnp 500 mV @ 10mA, 50mA 150 @ 1MA, 10V 50 MHz
BC846BW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC846BW RFG 0,0368
RFQ
 ECAD 5033 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC846 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM2301BCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301BCX RFG -
RFQ
 ECAD 1860 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 2.8A (TC) 1,8 V, 4,5 V 100MOHM @ 2,8A, 4,5 V 950 mV à 250µA 4,5 NC @ 4,5 V ± 8v 415 PF @ 6 V - 900mw (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

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