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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
TSM7ND60CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM7ND60CI 3.3700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM7 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 7a (TC) 10V 1,2 ohm @ 2a, 10v 3,8 V @ 250µA 25 NC @ 10 V ± 30V 1108 PF @ 50 V - 50W (TC)
BC856A Taiwan Semiconductor Corporation BC856A 0,0334
RFQ
 ECAD 7177 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 200 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC856atr EAR99 8541.21.0075 9 000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) Pnp 650 mV @ 5mA, 100mA 125 @ 2MA, 5V 100 MHz
BC337-40 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-40 A1 -
RFQ
 ECAD 3711 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC337-40A1TB OBSOLÈTE 1 45 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100 MHz
TSM4NB60CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CH X0G 0,9576
RFQ
 ECAD 2750 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-251-3 Stub Leads, ipak TSM4NB60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 600 V 4A (TC) 10V 2,5 ohm @ 2a, 10v 4,5 V @ 250µA 14,5 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 50W (TC)
TSM3457CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3457CX6 RFG 0.9900
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 TSM3457 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-26 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 30 V 5A (TA) 4,5 V, 10V 60 mohm @ 5a, 10v 3V à 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 551,57 pf @ 15 V - 2W (ta)
TSM9435CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM9435CS RLG 1.2100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM9435 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 5.3A (TC) 4,5 V, 10V 60 mohm @ 5.3a, 10v 3V à 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 551,57 pf @ 15 V - 5.3W (TC)
BC850AW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC850AW RFG 0,0368
RFQ
 ECAD 2689 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC850 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 45 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM170N06PQ56 Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06PQ56 0,9676
RFQ
 ECAD 7242 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM170 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM170N06PQ56TR EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 8A (TA), 44A (TC) 4,5 V, 10V 17MOHM @ 8A, 10V 2,5 V @ 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1556 pf @ 30 V - 2.6W (TA), 73,5W (TC)
TSM7N90CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM7N90CZ C0G -
RFQ
 ECAD 9040 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM7N90 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 900 V 7a (TC) 10V 1,9 ohm @ 3,5a, 10v 4V @ 250µA 49 NC @ 10 V ± 30V 1969 PF @ 25 V - 40,3W (TC)
TSM500P02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02CX RFG 0,9100
RFQ
 ECAD 155 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM500 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 4.7A (TC) 1,8 V, 4,5 V 50MOHM @ 3A, 4,5 V 800 mV à 250µA 9,6 NC @ 4,5 V ± 10V 850 pf @ 10 V - 1 56W (TC)
TSM018NB03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM018NB03CR RLG 1.4800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM018 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 29A (TA), 194A (TC) 4,5 V, 10V 1,8MOHM @ 29A, 10V 2,5 V @ 250µA 120 NC @ 10 V ± 20V 7252 PF @ 15 V - 3.1W (TA), 136W (TC)
TSM60NB600CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB600CF C0G 3.8500
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 8A (TC) 10V 600 mOhm @ 1,7a, 10v 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 30V 528 pf @ 100 V - 41.7W (TC)
TSM5NC50CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CZ 1.2558
RFQ
 ECAD 6263 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Tsm5 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM5NC50CZ EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 500 V 5A (TC) 10V 1,38 ohm @ 2,5a, 10v 4,5 V @ 250µA 15 NC @ 10 V ± 30V 586 pf @ 50 V - 89W (TC)
TSM8588CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM8588CS 0,7120
RFQ
 ECAD 2787 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM8588 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.4W (TA), 5.7W (TC) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM8588CSTR EAR99 8541.29.0095 5 000 N et p-canal p Complémentaire 60V 2.5A (TA), 5A (TC), 2A (TA), 4A (TC) 103MOHM @ 2,5A, 10V, 180MOHM @ 2A, 10V 2,5 V @ 250µA 9.4nc @ 10v, 9nc @ 10v 527pf @ 30v, 436pf @ 30v -
TSM60NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB1R4CP ROG 1.0363
RFQ
 ECAD 4695 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 3A (TC) 10V 1,4 ohm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 7.12 NC @ 10 V ± 30V 257.3 PF @ 100 V - 28.4W (TC)
TSM2NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2NB60CP ROG 1.9800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 2A (TC) 10V 4.4OHM @ 1A, 10V 4,5 V @ 250µA 9.4 NC @ 10 V ± 30V 249 PF @ 25 V - 44W (TC)
TSM900N10CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10CH X0G 0,9822
RFQ
 ECAD 2384 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-251-3 Stub Leads, ipak TSM900 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 100 V 15A (TC) 4,5 V, 10V 90MOHM @ 5A, 10V 2,5 V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 1480 pf @ 50 V - 50W (TC)
TSC5804DCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Tsc5804dcp rog -
RFQ
 ECAD 1296 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSC5804 45 W À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 450 V 5 a 250 µA NPN 2V @ 1A, 3.5A 25 @ 200mA, 3V -
TSA1036CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSA1036CX RFG -
RFQ
 ECAD 8685 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSA1036 225 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 60 V 600 mA 10NA (ICBO) Pnp 400 mV @ 15mA, 150mA 100 @ 150mA, 10V 200 MHz
TSM180P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM180P03CS RLG 1.4400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM180 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 10A (TC) 4,5 V, 10V 18MOHM @ 8A, 10V 2,5 V @ 250µA 23 NC @ 4,5 V ± 20V 1730 pf @ 15 V - 2,5W (TC)
KTC3198-O-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-O-B0 A1G -
RFQ
 ECAD 6443 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-ktc3198-o-b0a1gtb OBSOLÈTE 1 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 70 @ 150mA, 6V 80 MHz
MMBT3906T RSG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906T RSG 0 2400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-523 150 MW SOT-523 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 40 V 200 mA 50NA (ICBO) Pnp 400 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250 MHz
TSM150NB04LCV Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04LCV 0,5871
RFQ
 ECAD 9527 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM150 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.15x3.1) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM150NB04LCVTR EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal n 40 V 8a (ta), 36a (TC) 4,5 V, 10V 15MOHM @ 8A, 10V 2,5 V @ 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1013 PF @ 20 V - 1.9W (TA), 39W (TC)
TSM036N03PQ56 Taiwan Semiconductor Corporation TSM036N03PQ56 0,8059
RFQ
 ECAD 9690 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM036 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM036N03PQ56TR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 22A (TA), 124A (TC) 4,5 V, 10V 3,6MOHM @ 22A, 10V 2,5 V @ 250µA 50 NC @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 15 V - 2.6W (TA), 83W (TC)
TSM4436CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM4436CS 0,6474
RFQ
 ECAD 5749 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM4436 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM4436CSTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 60 V 8a (ta) 4,5 V, 10V 36MOHM @ 4.6A, 10V 3V à 250µA 16 NC @ 4,5 V ± 20V 1100 pf @ 30 V - 2.5W (TA)
TSM3N80CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N80CH C5G -
RFQ
 ECAD 7734 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM3N80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 750 Canal n 800 V 3A (TC) 10V 4,2 ohm @ 1,5a, 10v 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ± 30V 696 PF @ 25 V - 94W (TC)
MMBT2222A Taiwan Semiconductor Corporation MMBT2222A 0,0305
RFQ
 ECAD 8271 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 300 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-MMBT222atr EAR99 8541.21.0075 6 000 40 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300 MHz
TSM4NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CH C5G 2.2300
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM4NB60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 600 V 4A (TC) 10V 2,5 ohm @ 2a, 10v 4,5 V @ 250µA 14,5 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 50W (TC)
TQM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM150NB04CR RLG 2.2900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable 8-PowerTDFN TQM150 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfnu (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 10A (TA), 41A (TC) 7v, 10v 15MOHM @ 10A, 10V 3,8 V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 1044 PF @ 20 V - 3.1W (TA), 56W (TC)
MMBT3906L RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906L RFG 0 1700
RFQ
 ECAD 83 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 350 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 40 V 200 mA 100NA (ICBO) Pnp 400 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250 MHz
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