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Transistors (888)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TSM4N70CH C5G | - |  | 4904 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 700 V | 3.5a (TC) | 10V | 3,3 ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 595 PF @ 25 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||
 | TSM070NB04LCR RLG | 2.0200 | | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerLDFN | TSM070 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 15A (TA), 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 7MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 2151 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA), 83W (TC) | |||||||||||
 | BC549C B1G | - | | 8163 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | BC549 | 500 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 5 000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 420 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||
 | TSM10NC60CF | 1.6128 | | 3171 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | TSM10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM10NC60CF | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n | 600 V | 10A (TC) | 10V | 750mohm @ 2,5a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1652 PF @ 50 V | - | 45W (TC) | |||||||||||
 | TSM6NB60CZ C0G | - | | 5009 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 6A (TC) | 10V | 1,6 ohm @ 3a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 18.3 NC @ 10 V | ± 30V | 872 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||
 | BC847CW RFG | 0,0368 | | 9761 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BC847 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 45 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
 | BC807-25 RFG | 0,0342 | | 3739 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC807 | 300 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 45 V | 500 mA | 200NA (ICBO) | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||
| BC807-16W | 0,0453 | | 5318 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | BC807 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BC807-16wtr | EAR99 | 8541.21.0095 | 6 000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 1v | 80 MHz | |||||||||||||||
| TSM110NB04LCV RGG | 1 5500 | | 10 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | TSM110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-PDFN (3.15x3.1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 40 V | 9A (TA), 44A (TC) | 4,5 V, 10V | 11MOHM @ 9A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 1329 PF @ 20 V | - | 1.9W (TA), 42W (TC) | |||||||||||
 | BC549b B1 | - | | 5417 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92 | télécharger | Atteindre non affecté | 1801-BC549BB1 | OBSOLÈTE | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 200 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| Tsm4nb60cp | 0,9828 | | 3962 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Tsm4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM4NB60CPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 600 V | 4A (TC) | 10V | 2,5 ohm @ 2a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 14,5 NC @ 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||
| BC337-25 B1G | - | | 5269 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | BC337 | 625 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 5 000 | 45 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
 | BC546A A1G | - | | 7834 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BC546 | 500 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 110 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||
 | BC857C | 0,0334 | | 3691 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 200 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BC857CTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 9 000 | 45 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| TSM1NB60CW | 0,6145 | | 1762 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | TSM1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM1NB60CWTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 600 V | 1A (TC) | 10V | 10OHM @ 500mA, 10V | 4,5 V @ 250µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 30V | 138 pf @ 25 V | - | 2.1W (TC) | |||||||||||
| Tsc5303dchc5g | - | | 5752 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | TSC5303 | 30 W | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | 400 V | 3 A | 10 µA | NPN | 700 mV à 100ma, 400mA | 15 @ 1A, 5V | - | |||||||||||||||
 | TSM70N900CP ROG | 1.9252 | | 2446 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 700 V | 4.5a (TC) | 10V | 900mohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | 9.7 NC @ 10 V | ± 30V | 482 PF @ 100 V | - | 50W (TC) | |||||||||||
| TSM8N70CI C0 | - | | 1981 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | Tsm8n70cic0 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 700 V | 8A (TC) | 10V | 900MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 2006 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||
| BC337-16 A1G | - | | 2922 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BC337 | 625 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 4 000 | 45 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 100 @ 100mA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| BC549b A1 | - | | 7605 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 500 MW | To-92 | télécharger | Atteindre non affecté | 1801-BC549ba1tb | OBSOLÈTE | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 200 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||
| Tsm680p06cp | 0,7098 | | 6313 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM680 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM680P06CPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal p | 60 V | 18A (TC) | 4,5 V, 10V | 68MOHM @ 6A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 16.4 NC @ 10 V | ± 20V | 870 pf @ 30 V | - | 20W (TC) | |||||||||||
| TSM180N03CS | 0,4273 | | 1155 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TSM180 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM180N03CSTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal n | 30 V | 9A (TC) | 4,5 V, 10V | 18MOHM @ 8A, 10V | 2V à 250µA | 4.1 NC @ 4,5 V | ± 20V | 345 PF @ 25 V | - | 2,5W (TC) | |||||||||||
| TSM70N600ACL | 3.1215 | | 7932 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 Courtes Pistes, I²PAK | TSM70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262 (i2pak sl) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM70N600ACL | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 000 | Canal n | 700 V | 8A (TC) | 10V | 600 mOhm @ 2,4a, 10v | 4V @ 250µA | 12.6 NC @ 10 V | ± 30V | 743 PF @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||
| BC546A | 0,0447 | | 7433 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | BC546 | 500 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-BC546ATB | EAR99 | 8541.21.0095 | 5 000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 110 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||
| Tsc5802dchc5g | - | | 1117 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | TSC5802 | 30 W | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | 450 V | 2.5 A | 250 µA | NPN | 3V @ 600mA, 2A | 50 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||
| TSM2N60ECH C5G | - | | 4618 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Tsm2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 750 | Canal n | 600 V | 2A (TC) | 10V | 4OHM @ 1A, 10V | 5V @ 250µA | 9,5 NC @ 10 V | ± 30V | 362 PF @ 25 V | - | 52.1w (TC) | |||||||||||
| TSM060N03ECP ROG | 1.7200 | | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM060 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 70A (TC) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 11.1 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1210 PF @ 25 V | - | 54W (TC) | |||||||||||
| BC548B A1G | - | | 8319 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BC548 | 500 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 200 @ 2MA, 5V | - | |||||||||||||||
 | TSM6968DCA RVG | 1.8100 | | 318 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | TSM6968 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.04W | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 6.5a (TC) | 22MOHM @ 6A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 15nc @ 4,5 V | 950pf @ 10v | - | |||||||||||||
| BC547B A1G | - | | 3049 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Box (TB) | Obsolète | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | BC547 | 500 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 200 @ 2MA, 5V | - |
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