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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
BC337-16-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16-B0 A1G -
RFQ
 ECAD 8294 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC337-16-B0A1GTB OBSOLÈTE 1 45 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100 MHz
TSM5NC50CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CZ C0G 2.8500
RFQ
 ECAD 671 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Tsm5 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 500 V 5A (TC) 10V 1,38 ohm @ 2,5a, 10v 4,5 V @ 250µA 15 NC @ 10 V ± 30V 586 pf @ 50 V - 89W (TC)
TSM60NB099CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099CZ C0G 12.9500
RFQ
 ECAD 9088 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 38A (TC) 10V 99MOHM @ 11.3A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ± 30V 2587 pf @ 100 V - 298W (TC)
BC807-40W Taiwan Semiconductor Corporation BC807-40W 0,0453
RFQ
 ECAD 9268 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC807 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC807-40WTR EAR99 8541.21.0095 6 000 45 V 500 mA 100 µA (ICBO) Pnp 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 80 MHz
BC337-25 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25 A1G -
RFQ
 ECAD 3269 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes BC337 625 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 8 000 45 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 160 @ 100mA, 5V 100 MHz
TSM70NB1R4CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM70NB1R4CP 1.2804
RFQ
 ECAD 4373 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM70NB1R4CPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 700 V 3A (TC) 10V 1,4 ohm @ 1,2a, 10v 4V @ 250µA 7.4 NC @ 10 V ± 30V 317 PF @ 100 V - 28W (TC)
TSM033NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NA04LCR RLG 1.6100
RFQ
 ECAD 495 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM033 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 141a (TC) 4,5 V, 10V 3,3MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 47 NC @ 10 V ± 20V 3130 pf @ 20 V - 125W (TC)
TSM120N06LCP Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCP 0,9440
RFQ
 ECAD 1813 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM120N06LCPTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 60 V 10A (TA), 70A (TC) 4,5 V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 250µA 37 NC @ 10 V ± 20V 2118 pf @ 30 V - 2.6W (TA), 125W (TC)
MMBT3906L Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906L 0,0247
RFQ
 ECAD 5617 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906L 350 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-MMBT3906LTR EAR99 8541.21.0075 9 000 40 V 200 mA 100NA (ICBO) Pnp 400 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250 MHz
BC548B B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC548B B1G -
RFQ
 ECAD 8060 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC548 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 5 000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2MA, 5V -
TSC5302DCHC5G Taiwan Semiconductor Corporation Tsc5302dchc5g -
RFQ
 ECAD 2426 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSC5302 25 W À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 400 V 2 A 1µA (ICBO) NPN 1,5 V @ 250mA, 1A 10 @ 400mA, 5V -
TSM60NB190CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CZ 4.0895
RFQ
 ECAD 6795 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB190CZ EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 18A (TC) 10V 190mohm @ 6a, 10v 4V @ 250µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1273 PF @ 100 V - 150,6w (TC)
BC549A A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC549A A1G -
RFQ
 ECAD 7750 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes BC549 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 4 000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2MA, 5V -
TSM1NB60SCT A3 Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60SCT A3 -
RFQ
 ECAD 5578 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes MOSFET (Oxyde Métallique) To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté TSM1NB60SCTA3 EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 600 V 500mA (TC) 10V 10OHM @ 250mA, 10V 4,5 V @ 250µA 6.1 NC @ 10 V ± 30V 138 pf @ 25 V - 2,5W (TC)
TSM2N7002AKCU RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKCU RFG 0,3700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban de Coupé (CT) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 60 V 240mA (TA) 4,5 V, 10V 2,5 ohm @ 240mA, 10V 2,5 V @ 250µA 0,68 NC @ 4,5 V ± 20V 30 pf @ 30 V - 298MW (TA)
TSM110NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LDCR RLG 1.0500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM110 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W (TA), 48W (TC) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 40V 10A (TA), 48A (TC) 11MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 250µA 23nc @ 10v 1269pf @ 20v -
BC550C Taiwan Semiconductor Corporation BC550C 0,0604
RFQ
 ECAD 7522 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Actif -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC550 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC550CTB EAR99 8541.21.0095 4 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2MA, 5V -
TSM10N60CI C0 Taiwan Semiconductor Corporation TSM10N60CI C0 -
RFQ
 ECAD 3796 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté TSM10N60CIC0 EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 10A (TC) 10V 750mohm @ 5a, 10v 4V @ 250µA 45,8 NC @ 10 V ± 30V 1738 PF @ 25 V - 50W (TC)
TSM22P10CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM22P10CI C0G -
RFQ
 ECAD 8891 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté Tsm22p10cic0g EAR99 8541.29.0095 1 Canal p 100 V 22A (TC) 4,5 V, 10V 140mohm @ 20a, 10v 3V à 250µA 42 NC @ 10 V ± 25V 2250 pf @ 30 V - 48W (TC)
TSM060N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03CP ROG 1.7100
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM060 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 70A (TC) 4,5 V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 11.1 NC @ 4,5 V ± 20V 1160 pf @ 25 V - 54W (TC)
TSM130NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06LCR RLG 2.0200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerLDFN TSM130 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (5.2x5,75) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 10A (TA), 51A (TC) 4,5 V, 10V 13MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 250µA 37 NC @ 10 V ± 20V 2175 PF @ 30 V - 3.1W (TA), 83W (TC)
TSM4N60ECP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N60ECP ROG 1.1500
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM4N60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 4A (TC) 10V 2,5 ohm @ 2a, 10v 5V @ 250µA 12 NC @ 10 V ± 30V 545 PF @ 25 V - 86.2W (TC)
TSM240N03CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6 0,3425
RFQ
 ECAD 2360 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 TSM240 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-26 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM240N03CX6TR EAR99 8541.29.0095 12 000 Canal n 30 V 6.5a (TC) 4,5 V, 10V 24MOHM @ 6A, 10V 2,5 V @ 250µA 4.1 NC @ 4,5 V ± 20V 345 PF @ 25 V - 1 56W (TC)
TSM2NB60CH Taiwan Semiconductor Corporation Tsm2nb60ch 0,8512
RFQ
 ECAD 3314 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa Tsm2 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM2NB60CH EAR99 8541.29.0095 15 000 Canal n 600 V 2A (TC) 10V 4.4OHM @ 1A, 10V 4,5 V @ 250µA 9.4 NC @ 10 V ± 30V 249 PF @ 25 V - 44W (TC)
TQM300NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM300NB06CR RLG 2.2400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable 8-PowerTDFN TQM300 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfnu (5x6) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 6A (TA), 27A (TC) 7v, 10v 30MOHM @ 6A, 10V 3,8 V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 1009 pf @ 30 V - 3.1W (TA), 56W (TC)
TQM070NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM070NH04LCR RLG 2.7600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotive, AEC-Q101, Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TQM070 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 16A (TA), 54A (TC) 4,5 V, 10V 7MOHM @ 27A, 10V 2,2 V @ 250µA 34,5 NC @ 10 V ± 16V 2169 PF @ 25 V - 46.8W (TC)
BC807-16 Taiwan Semiconductor Corporation BC807-16 0,0333
RFQ
 ECAD 3913 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC807-16TR EAR99 8541.21.0075 6 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Pnp 700 mV à 50ma, 500mA 100 @ 100mA, 1v 100 MHz
BC856B Taiwan Semiconductor Corporation BC856B 0,0334
RFQ
 ECAD 7408 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 200 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC856BTR EAR99 8541.21.0075 9 000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) Pnp 650 mV @ 5mA, 100mA 220 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM210N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM210N02CX RFG 0,7900
RFQ
 ECAD 135 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM210 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 6.7A (TC) 1,8 V, 4,5 V 25MOHM @ 4A, 4,5 V 800 mV à 250µA 4 NC @ 4,5 V ± 10V 600 pf @ 10 V - 1 56W (TC)
TSM300NB06LCV Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06LCV 0,5871
RFQ
 ECAD 7640 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM300 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.15x3.1) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM300NB06LCVTR EAR99 8541.29.0095 10 000 Canal n 60 V 5A (TA), 24A (TC) 4,5 V, 10V 30MOHM @ 5A, 10V 2,5 V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 962 PF @ 30 V - 1.9W (TA), 39W (TC)
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