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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
BC807-40 Taiwan Semiconductor Corporation BC807-40 0,0435
RFQ
 ECAD 1172 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC807-40tr EAR99 8541.21.0075 6 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Pnp 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 100 MHz
MMBT3904T RSG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3904T RSG 0 2400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-523 MMBT3904 150 MW SOT-523 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 40 V 200 mA 50NA (ICBO) NPN 300 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 300 MHz
BC547C A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC547C A1 -
RFQ
 ECAD 5767 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC547CA1TB OBSOLÈTE 1 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2MA, 5V -
TSM035NB04LCZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM035NB04LCZ 1.6825
RFQ
 ECAD 7136 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM035 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM035NB04LCZ EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 40 V 18A (TA), 157A (TC) 4,5 V, 10V 3,5 mohm @ 18a, 10v 2,5 V @ 250µA 111 NC @ 10 V ± 20V 6350 pf @ 20 V - 2W (TA), 156W (TC)
TSM052NB03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM052NB03CR RLG 0,8200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM052 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 17A (TA), 90A (TC) 4,5 V, 10V 5,2MOHM @ 17A, 10V 2,5 V @ 250µA 41 NC @ 10 V ± 20V 2294 PF @ 15 V - 3.1W (TA), 83W (TC)
TSM70N750CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N750CP ROG 4.2900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 700 V 6A (TC) 10V 750MOHM @ 1.8A, 10V 4V @ 250µA 10,7 NC @ 10 V ± 30V 555 PF @ 100 V - 62,5W (TC)
TSM160P02CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM160P02CS RLG 1.7200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM160 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 20 V 11a (TC) 1,8 V, 4,5 V 16MOHM @ 6A, 4,5 V 1V @ 250µA 27 NC @ 4,5 V ± 10V 2320 pf @ 15 V - 2,5W (TC)
TSM230N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06CP ROG 2.0100
RFQ
 ECAD 105 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM230 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 34A (TC) 4,5 V, 10V 23MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1680 PF @ 25 V - 104W (TC)
TSM10NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC60CF C0G 1.6128
RFQ
 ECAD 9015 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TSM10 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 10A (TC) 10V 750mohm @ 2,5a, 10v 4,5 V @ 250µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1652 PF @ 50 V - 45W (TC)
TSM015NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM015NA03CR RLG -
RFQ
 ECAD 5912 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM015 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 205a (TC) 4,5 V, 10V 1,5 mohm @ 32a, 10v 2,5 V @ 250µA 67 NC @ 10 V ± 20V 4243 PF @ 15 V - 104W (TC)
TSM60N600CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N600CI C0G 0,9062
RFQ
 ECAD 4036 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10v 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 743 PF @ 100 V - 83W (TC)
TSM120N06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCR RLG 1.5122
RFQ
 ECAD 4314 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM120 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 54A (TC) 4,5 V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2,5 V @ 250µA 36,5 NC @ 10 V ± 20V 2116 PF @ 30 V - 69W (TC)
TSM230N06CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06CI C0G -
RFQ
 ECAD 7078 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté TSM230N06CIC0G EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 60 V 50A (TC) 4,5 V, 10V 23MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1680 PF @ 25 V - 42W (TC)
TSM085NB03DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM085NB03DCR RLG 2.2400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM085 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W (TA), 40W (TC) 8-pdfnu (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 30V 12A (TA), 51A (TC) 8,5MOHM @ 12A, 10V 2,5 V @ 250µA 20nc @ 10v 1091pf @ 15v Porte de Niveau Logique
TSM6502CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6502CR RLG 2.3700
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM6502 MOSFET (Oxyde Métallique) 40W 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n et p 60V 24a (TC), 18A (TC) 34MOHM @ 5.4A, 10V, 68MOHM @ 4A, 10V 2,5 V @ 250µA 10.3nc @ 4.5v, 9.5nc @ 4.5 V 1159pf @ 30v, 930pf @ 30v -
TSM8N70CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM8N70CI C0G -
RFQ
 ECAD 3987 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 700 V 8A (TC) 10V 900MOHM @ 4A, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 V ± 30V 2006 PF @ 25 V - 40W (TC)
TSC5802DCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Tsc5802dcp rog -
RFQ
 ECAD 1747 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSC5802 30 W À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 450 V 2.5 A 250 µA NPN 3V @ 600mA, 2A 50 @ 100mA, 5V -
TSM7ND65CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM7ND65CI 3.3700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM7 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 7a (TC) 10V 1,35 ohm @ 1,8A, 10V 3,8 V @ 250µA 25 NC @ 10 V ± 30V 1124 PF @ 50 V - 50W (TC)
TSM7P06CP Taiwan Semiconductor Corporation Tsm7p06cp 0,4877
RFQ
 ECAD 9946 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM7 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-tsm7p06cptr EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal p 60 V 7a (TC) 4,5 V, 10V 180MOHM @ 3A, 10V 2,5 V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 425 PF @ 30 V - 15.6W (TC)
TSM85N10CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM85N10CZ C0G -
RFQ
 ECAD 7131 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM85 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 81a (TC) 10V 10MOHM @ 40A, 10V 4V @ 250µA 154 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 30 V - 210W (TC)
BC858C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC858C RFG 0,0343
RFQ
 ECAD 4999 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 200 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) Pnp 650 mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
MMBT3906L-UA RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906L-UA RFG -
RFQ
 ECAD 9915 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 - 1801-MMBT3906L-UARFG OBSOLÈTE 1 40 V 200 mA 100NA (ICBO) Pnp 400 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250 MHz
MMBT3904L-UA RF Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3904L-UA RF -
RFQ
 ECAD 3419 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23 - 1801-MMBT3904L-UARF OBSOLÈTE 1 40 V 200 mA 50na NPN 300 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250 MHz
MMBT3906L-UA RF Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906L-UA RF -
RFQ
 ECAD 7625 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 - 1801-MMBT3906L-UARF OBSOLÈTE 1 40 V 200 mA 100NA (ICBO) Pnp 400 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250 MHz
TQM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM250NB06DCR RLG 3 5800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable 8-PowerTDFN TQM250 MOSFET (Oxyde Métallique) 2.5W (TA), 58W (TC) 8-pdfnu (5x6) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 60V 6A (TA), 30A (TC) 25MOHM @ 6A, 10V 3,8 V @ 250µA 24 NC @ 10V 1398pf @ 30v -
TSM300NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06DCR RLG 2.2400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM300 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W (TA), 40W (TC) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 60V 6A (TA), 25A (TC) 30MOHM @ 6A, 10V 4,5 V @ 250µA 17nc @ 10v 1079pf @ 30v -
TSM080N03PQ56 Taiwan Semiconductor Corporation TSM080N03PQ56 0,5916
RFQ
 ECAD 3960 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM080 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM080N03PQ56TR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 14A (TA), 73A (TC) 4,5 V, 10V 8MOHM @ 14A, 10V 2,5 V @ 250µA 14.4 NC @ 10 V ± 20V 843 PF @ 15 V - 2.6W (TA), 69W (TC)
TSM180N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM180N03PQ33 RGG 0 4140
RFQ
 ECAD 6813 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM180 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (3x3) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 25a (TC) 4,5 V, 10V 18MOHM @ 12A, 10V 2,5 V @ 250µA 4.1 NC @ 4,5 V ± 20V 345 PF @ 25 V - 21W (TC)
TQM019NH04CR-V RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM019NH04CR-V RLG 3.3893
RFQ
 ECAD 2041 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotive, AEC-Q101, Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFNU (4,9x5,75) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 30A (TA), 100A (TC) 7v, 10v 1,9MOHM @ 50A, 10V 3,6 V @ 250µA 134 NC @ 10 V ± 20V 9044 PF @ 25 V - 150W (TC)
TQM025NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM025NH04LCR RLG 6.3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotive, AEC-Q101, Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFNU (4,9x5,75) - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 26A (TA), 100A (TC) 4,5 V, 10V 2,5 mohm @ 50a, 10v 2,2 V @ 250µA 95 NC @ 10 V ± 16V 6228 PF @ 25 V - 136W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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