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Transistors (888)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TSM160N10CZ C0G | 2.6900 |  | 29 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | TSM160 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 160a (TC) | 10V | 5,5 mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250µA | 154 NC @ 10 V | ± 20V | 9840 PF @ 30 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | TSM70N380CH | 3.2649 | | 2406 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | TSM70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM70N380CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 000 | Canal n | 700 V | 11a (TC) | 10V | 380mohm @ 3,3a, 10v | 4V @ 250µA | 18,8 NC @ 10 V | ± 30V | 981 PF @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||||||||
 | TSM043NH04LCR RLG | 3.4600 | | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Perfet ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutien de la surface, flanc Mouillable | 8-PowerTDFN | TSM043 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfnu (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 20A (TA), 54A (TC) | 4,5 V, 10V | 4.3MOHM @ 27A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 16V | 2480 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||
 | TSM60NC390CI C0G | 6.8200 | | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | TSM60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 11a (TC) | 10V | 390mohm @ 3,8A, 10V | 5V @ 1MA | 21.3 NC @ 10 V | ± 20V | 832 PF @ 25 V | - | 78W (TC) | |||||||||||
 | TSM60NC620CP ROG | 3.6900 | | 4175 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 (dpak) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 5 000 | Canal n | 600 V | 7a (TC) | 10V | 620 mohm @ 2,4a, 10v | 5V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 498 PF @ 300 V | - | 78W (TC) | ||||||||||||||
| TSM4NB60CH | 0,9576 | | 6893 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-251-3 Stub Leads, ipak | Tsm4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (i-pak sl) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM4NB60CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 750 | Canal n | 600 V | 4A (TC) | 10V | 2,5 ohm @ 2a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 14,5 NC @ 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||
 | TSM60NB380CH C5G | 2.1663 | | 3692 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | TSM60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251 (ipak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 600 V | 9.5A (TC) | 10V | 380 mOhm @ 2 85a, 10v | 4V @ 250µA | 19,4 NC @ 10 V | ± 30V | 795 PF @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||
 | TSM6866SDCA RVG | 0,7448 | | 4416 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | TSM6866 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.6W | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 6a (ta) | 30MOHM @ 6A, 4,5 V | 600 mV à 250µA | 5nc @ 4,5 V | 565pf @ 8v | - | |||||||||||||
 | TSM600P03CS RLG | 0,9400 | | 2 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TSM600 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 4.7A (TC) | 4,5 V, 10V | 60mohm @ 3a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 9,6 NC @ 4,5 V | ± 20V | 560 pf @ 15 V | - | 2.1W (TC) | |||||||||||
 | TSM3443CX6 RFG | 0,9700 | | 11 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 | TSM3443 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-26 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 4.7A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 60 mOhm @ 4.7A, 4,5 V | 1,4 V @ 250µA | 9 NC @ 4,5 V | ± 12V | 640 PF @ 10 V | - | 2W (ta) | |||||||||||
| TSM60N600CI C0G | 0,9062 | | 4036 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | TSM60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220AB | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 743 PF @ 100 V | - | 83W (TC) | |||||||||||
 | TSM120N06LCR RLG | 1.5122 | | 4314 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 54A (TC) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 36,5 NC @ 10 V | ± 20V | 2116 PF @ 30 V | - | 69W (TC) | |||||||||||
| TSM070NA04LCR RLG | - | | 8379 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM070 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 91a (TC) | 4,5 V, 10V | 7MOHM @ 14A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 23,5 NC @ 10 V | ± 20V | 1469 PF @ 20 V | - | 113W (TC) | |||||||||||
 | TSM2307CX RFG | 0,1576 | | 5123 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Pas de designs les nouveaux | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2307 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 3A (TC) | 4,5 V, 10V | 95MOHM @ 3A, 10V | 3V à 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 565 pf @ 30 V | - | 1.25W (TA) | |||||||||||
| TSM015NA03CR RLG | - | | 5912 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM015 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 205a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,5 mohm @ 32a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 4243 PF @ 15 V | - | 104W (TC) | |||||||||||
| TSM10NC60CF C0G | 1.6128 | | 9015 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | TSM10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 10A (TC) | 10V | 750mohm @ 2,5a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1652 PF @ 50 V | - | 45W (TC) | |||||||||||
| TSM160P02CS RLG | 1.7200 | | 3 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | TSM160 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 11a (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 16MOHM @ 6A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 27 NC @ 4,5 V | ± 10V | 2320 pf @ 15 V | - | 2,5W (TC) | |||||||||||
 | TSM230N06CP ROG | 2.0100 | | 105 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM230 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 60 V | 34A (TC) | 4,5 V, 10V | 23MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1680 PF @ 25 V | - | 104W (TC) | |||||||||||
| Tsm7p06cp | 0,4877 | | 9946 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-tsm7p06cptr | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 000 | Canal p | 60 V | 7a (TC) | 4,5 V, 10V | 180MOHM @ 3A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 425 PF @ 30 V | - | 15.6W (TC) | |||||||||||
| BC858C RFG | 0,0343 | | 4999 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC858 | 200 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 30 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||
| TSM70N750CP ROG | 4.2900 | | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSM70 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 700 V | 6A (TC) | 10V | 750MOHM @ 1.8A, 10V | 4V @ 250µA | 10,7 NC @ 10 V | ± 30V | 555 PF @ 100 V | - | 62,5W (TC) | |||||||||||
| TSM230N06CI C0G | - | | 7078 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | TSM230N06CIC0G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 23MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1680 PF @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||||||||
 | TSM6502CR RLG | 2.3700 | | 9 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM6502 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 40W | 8-pdfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 60V | 24a (TC), 18A (TC) | 34MOHM @ 5.4A, 10V, 68MOHM @ 4A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 10.3nc @ 4.5v, 9.5nc @ 4.5 V | 1159pf @ 30v, 930pf @ 30v | - | |||||||||||||
| Tsc5802dcp rog | - | | 1747 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | TSC5802 | 30 W | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 450 V | 2.5 A | 250 µA | NPN | 3V @ 600mA, 2A | 50 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||
 | TSM7ND65CI | 3.3700 | | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | TSM7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 7a (TC) | 10V | 1,35 ohm @ 1,8A, 10V | 3,8 V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 30V | 1124 PF @ 50 V | - | 50W (TC) | |||||||||||
| TSM8N70CI C0G | - | | 3987 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220AB | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 700 V | 8A (TC) | 10V | 900MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 2006 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||
| TSM85N10CZ C0G | - | | 7131 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | TSM85 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 81a (TC) | 10V | 10MOHM @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 154 NC @ 10 V | ± 20V | 3900 pf @ 30 V | - | 210W (TC) | |||||||||||
 | TSM085NB03DCR RLG | 2.2400 | | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | TSM085 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W (TA), 40W (TC) | 8-pdfnu (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 12A (TA), 51A (TC) | 8,5MOHM @ 12A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 20nc @ 10v | 1091pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||
| TSM60NC196CI C0G | 7.8200 | | 4 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | TSM60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | ITO-220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1801-TSM60NC196CIC0G | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 600 V | 20A (TC) | 10V | 196MOHM @ 9.5A, 10V | 5V @ 1MA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1535 PF @ 300 V | - | 70W (TC) | ||||||||||
| TSM038N03PQ33 | 0,7613 | | 4780 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | TSM038 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-PDFN (3.1x3.1) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 1801-TSM038N03PQ33TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 000 | Canal n | 30 V | 19A (TA), 78A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,8MOHM @ 19A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 2557 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 39W (TC) |
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