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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
TSM60NB099PW Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099PW 9.1589
RFQ
 ECAD 3826 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM60NB099PW EAR99 8541.29.0095 12 000 Canal n 600 V 38A (TC) 10V 99MOHM @ 11,7A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ± 30V 2587 pf @ 100 V - 329W (TC)
TSM2N7002KCX Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002KCX 0,1121
RFQ
 ECAD 5815 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Tsm2 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM2N7002KCXTR EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 60 V 300mA (TA) 4,5 V, 10V 2OHM @ 300mA, 10V 2,5 V @ 250µA 0,6 NC @ 4,5 V ± 20V 30 pf @ 25 V - 300mw (TA)
TSM032NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM032NH04LCR RLG 3.8200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfnu (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 25A (TA), 81A (TC) 4,5 V, 10V 3,2MOHM @ 40A, 10V 2,2 V @ 250µA 50 NC @ 10 V ± 16V 3007 pf @ 25 V - 115W (TC)
TSM4NB60CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CI 1.1907
RFQ
 ECAD 6597 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Tsm4 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM4NB60CI EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 600 V 4A (TC) 10V 2,5 ohm @ 2a, 10v 4,5 V @ 250µA 14,5 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 25W (TC)
TSM70N10CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N10CP ROG -
RFQ
 ECAD 4883 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 100 V 70A (TC) 10V 13MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 145 NC @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 30 V - 120W (TC)
TSM2N7002KCX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002KCX RFG -
RFQ
 ECAD 7633 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2N7002 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 60 V 300mA (TA) 4,5 V, 10V 2OHM @ 300mA, 10V 2,5 V @ 250µA 0,4 NC @ 4,5 V ± 20V 30 pf @ 25 V - 300mw (TA)
BC338-25 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25 A1 -
RFQ
 ECAD 2708 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC338-25A1TB OBSOLÈTE 1 25 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 160 @ 100mA, 5V 100 MHz
TSM60N1R4CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N1R4CH C5G 0.4419
RFQ
 ECAD 5995 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 600 V 3.3A (TC) 10V 1.4OHM @ 2A, 10V 4V @ 250µA 7,7 NC @ 10 V ± 30V 370 pf @ 100 V - 38W (TC)
TSM7P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Tsm7p06cp rog 1.2100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM7 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 60 V 7a (TC) 4,5 V, 10V 180MOHM @ 3A, 10V 2,5 V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 425 PF @ 30 V - 15.6W (TC)
TSM80N1R2CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CP ROG 5.4300
RFQ
 ECAD 7707 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 800 V 5.5A (TC) 10V 1,2 ohm @ 2 75a, 10v 4V @ 250µA 19,4 NC @ 10 V ± 30V 685 PF @ 100 V - 110W (TC)
TSM3481CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM3481CX6 0,4844
RFQ
 ECAD 3551 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 TSM3481 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-26 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM3481CX6TR EAR99 8541.29.0095 12 000 Canal p 30 V 5.7A (TA) 4,5 V, 10V 48MOHM @ 5.3A, 10V 3V à 250µA 18.09 NC @ 10 V ± 20V 1047.98 PF @ 15 V - 1.6W (TA)
TSM4N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4N80CZ C0G -
RFQ
 ECAD 3483 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM4N80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 800 V 4A (TC) 10V 3OHM @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 30V 955 PF @ 25 V - 38,7W (TC)
KTC3198-Y-B0 B1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y-B0 B1G -
RFQ
 ECAD 9128 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-ktc3198-y-b0b1g OBSOLÈTE 1 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 150mA, 6V 80 MHz
TSM088NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM088NA03CR RLG -
RFQ
 ECAD 1070 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM088 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 61a (TC) 4,5 V, 10V 8,8MOHM @ 13A, 10V 2,5 V @ 250µA 12.6 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 15 V - 56W (TC)
TSM070NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NB04CR RLG 2.0200
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM070 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 15A (TA), 75A (TC) 10V 7MOHM @ 15A, 10V 4V @ 250µA 40 NC @ 10 V ± 20V 2403 PF @ 20 V - 3.1W (TA), 83W (TC)
TSM4459CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4459CS RLG -
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 ECAD 9718 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 17a (ta) 4,5 V, 10V 5.2MOHM @ 9A, 10V 3V à 250µA 78,4 NC @ 4,5 V ± 20V 6205 PF @ 15 V - 2.5W (TA)
TSM13ND50CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM13ND50CI 4.4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM13 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 13A (TC) 10V 480mohm @ 3,3a, 10v 3,8 V @ 250µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1877 pf @ 50 V - 57W (TC)
TSM061NA03CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM061NA03CV RGG -
RFQ
 ECAD 7974 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN TSM061 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.1x3.1) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 66a (TC) 4,5 V, 10V 6.1MOHM @ 16A, 10V 2,5 V @ 250µA 19.3 NC @ 10 V ± 20V 1136 PF @ 15 V - 44.6W (TC)
TSM6963SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6963SDCA RVG 1.9300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) TSM6963 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.14W 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 4.5a (TC) 30 mohm @ 4.5a, 4,5 V 1V @ 250µA 20nc @ 4,5 V 1500pf @ 10v -
TSC873CT B0G Taiwan Semiconductor Corporation TSC873CT B0G -
RFQ
 ECAD 5899 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 1 W To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté Tsc873ctb0g EAR99 8541.29.0095 2 000 400 V 1 a 1 mA NPN 1V @ 250mA, 1A 80 @ 250mA, 10V -
TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6 RFG 0,8800
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 TSM240 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-26 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 6.5a (TC) 4,5 V, 10V 24MOHM @ 6A, 10V 2,5 V @ 250µA 4.1 NC @ 4,5 V ± 20V 345 PF @ 25 V - 1 56W (TC)
BSS138 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BSS138 RFG 0,3700
RFQ
 ECAD 64 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 50 V 260mA (TA) 4,5 V, 10V 2,5 ohm @ 260mA, 10V 1,6 V @ 250µA 2 NC @ 10 V ± 20V 32 PF @ 25 V - 357MW (TA)
TSM3N90CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N90CZ C0G -
RFQ
 ECAD 8691 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM3N90 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 900 V 2.5a (TC) 10V 5.1OHM @ 1 25A, 10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 748 PF @ 25 V - 94W (TC)
BC848CW Taiwan Semiconductor Corporation BC848CW 0,0357
RFQ
 ECAD 8489 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC848 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC848CWTR EAR99 8541.21.0075 18 000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM8588CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM8588CS RLG 1.6200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM8588 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.4W (TA), 5.7W (TC) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 N et p-canal p Complémentaire 60V 2.5A (TA), 5A (TC), 2A (TA), 4A (TC) 103MOHM @ 2,5A, 10V, 180MOHM @ 2A, 10V 2,5 V @ 250µA 9.4nc @ 10v, 9nc @ 10v 527pf @ 30v, 436pf @ 30v -
TSM045NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM045NB06CR RLG 3.8400
RFQ
 ECAD 2686 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerLDFN TSM045 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (5.2x5,75) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté Tsm045nb06crrlgtr EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 16A (TA), 104A (TC) 10V 5MOHM @ 16A, 10V 4V @ 250µA 104 NC @ 10 V ± 20V 6870 pf @ 30 V - 3.1W (TA), 136W (TC)
BC549A B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC549A B1 -
RFQ
 ECAD 3106 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC549AB1 OBSOLÈTE 1 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2MA, 5V -
TSM056NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM056NH04LCR RLG 3.0100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfnu (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 40 V 18A (TA), 54A (TC) 4,5 V, 10V 5,6MOHM @ 27A, 10V 2,2 V @ 250µA 30,4 NC @ 10 V ± 16V 1940 PF @ 25 V - 78,9w (TC)
TSM2311CX-01 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2311CX-01 RFG -
RFQ
 ECAD 5218 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté TSM2311CX-01RFG EAR99 8541.21.0095 1 Canal p 20 V 4a (ta) 2,5 V, 4,5 V 55MOHM @ 4A, 4,5 V 1,4 V @ 250µA 9 NC @ 4,5 V ± 8v 640 PF @ 6 V - 900mw (TA)
TSM7N65ACI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM7N65ACI C0G -
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 ECAD 5093 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220AB - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 7a (TC) 10V 1 45 ohm @ 3a, 10v 4V @ 250µA 27,8 NC @ 10 V ± 30V 1406 pf @ 25 V - 40W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

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    Unité de produit standard

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