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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
BC337-16 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16 B1G -
RFQ
 ECAD 6285 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC337 625 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 5 000 45 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100 MHz
TSM2N7002KCU Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002KCU 0,3700
RFQ
 ECAD 2256 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1801-TSM2N7002KCUTR EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 60 V 240mA (TA) 4,5 V, 10V 2,5 ohm @ 240mA, 10V 2,5 V @ 250µA 0,91 NC à 4,5 V ± 20V 30 pf @ 30 V - 298MW (TA)
TSM8568CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM8568CS RLG 2 5000
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM8568 MOSFET (Oxyde Métallique) 6W 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n et p 30V 15A (TC), 13A (TC) 16MOHM @ 8A, 10V, 24MOHM @ 7A, 10V 2,5 V @ 250µA 7nc @ 4.5v, 11nc @ 4,5 V 646pf @ 15v, 1089pf @ 15v -
BC548A A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC548A A1 -
RFQ
 ECAD 3861 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC548AA1TB OBSOLÈTE 1 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2MA, 5V -
TSM05N03CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM05N03CW RPG 1.3200
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa TSM05 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-223 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 5A (TA) 4,5 V, 10V 60 mohm @ 5a, 10v 3V à 250µA 7 NC @ 5 V ± 20V 555 pf @ 15 V - 3W (TA)
KTC3198-GR-M0 A2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-GR-M0 A2G -
RFQ
 ECAD 1916 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-ktc3198-gr-m0a2gtb OBSOLÈTE 1 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 200 @ 150mA, 6V 80 MHz
TSM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06DCR RLG 2.6000
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM250 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W (TA), 48W (TC) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 60V 7A (TA), 30A (TC) 25MOHM @ 7A, 10V 4V @ 250µA 22nc @ 10v 1461pf @ 30v -
BC546A B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC546A B1 -
RFQ
 ECAD 2238 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-BC546AB1 OBSOLÈTE 1 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2MA, 5V -
TSM056NH04CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM056NH04CV RGG 2.9000
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (3.1x3.1) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1801-TSM056NH04CVRGGTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 40 V 16A (TA), 54A (TC) 7v, 10v 5,6MOHM @ 27A, 10V 3,6 V @ 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1828 PF @ 25 V - 34W (TC)
BSS123W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BSS123W RFG 0,4300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 100 V 160mA (TA) 4,5 V, 10V 5OHM @ 160mA, 10V 2,5 V @ 250µA 2 NC @ 10 V ± 20V 30 pf @ 50 V - 298MW (TA)
TSM300NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06LDCR RLG 2.2400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM300 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W (TA), 40W (TC) 8-pdfnu (5x6) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 60V 5A (TA), 24A (TC) 30MOHM @ 5A, 10V 2,5 V @ 250µA 17nc @ 10v 966pf @ 30v Porte de Niveau Logique
TSM025NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM025NH04LCR RLG 5.0500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutien de la surface, flanc Mouillable 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfnu (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1801-TSM025NH04lcrrlgtr EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 26A (TA), 100A (TC) 4,5 V, 10V 2,5 mohm @ 50a, 10v 2,2 V @ 250µA 63,3 NC @ 10 V ± 16V 4179 PF @ 25 V - 136W (TC)
TSM2N7002AKDCU6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKDCU6 RFG 0,3700
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TSM2N7002 MOSFET (Oxyde Métallique) 240mw (TA) SOT-363 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canaux N (double) 60V 220mA (TA) 2,5 ohm @ 220mA, 10V 2,5 V @ 250µA 0,91nc @ 4,5 V 30pf @ 30v Porte de Niveau Logique
BC848BW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848BW RFG 0,0368
RFQ
 ECAD 4368 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC848 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
BC848CW Taiwan Semiconductor Corporation BC848CW 0,0357
RFQ
 ECAD 8489 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC848 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC848CWTR EAR99 8541.21.0075 18 000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM70N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N380CP ROG 6.6600
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM70 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 700 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 3,3a, 10v 4V @ 250µA 18,8 NC @ 10 V ± 30V 981 PF @ 100 V - 125W (TC)
BC848B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848B RFG 0,0343
RFQ
 ECAD 4883 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 200 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
BC817-25W Taiwan Semiconductor Corporation BC817-25W 0,0350
RFQ
 ECAD 2047 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC817-25wtr EAR99 8541.21.0075 6 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 160 @ 100mA, 1V 100 MHz
TSM6N50CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM6N50CH C5G -
RFQ
 ECAD 7205 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 500 V 5.6A (TA) 10V 1,4 ohm @ 2,8a, 10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ± 30V 900 pf @ 25 V - 90W (TC)
TSM8588CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM8588CS RLG 1.6200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM8588 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.4W (TA), 5.7W (TC) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 N et p-canal p Complémentaire 60V 2.5A (TA), 5A (TC), 2A (TA), 4A (TC) 103MOHM @ 2,5A, 10V, 180MOHM @ 2A, 10V 2,5 V @ 250µA 9.4nc @ 10v, 9nc @ 10v 527pf @ 30v, 436pf @ 30v -
TSM2328CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM2328CX 0,4171
RFQ
 ECAD 7755 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2328 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM2328CXTR EAR99 8541.29.0095 12 000 Canal n 100 V 1.5A (TA) 10V 250 mohm @ 1,5a, 10v 2,5 V @ 250µA 11.1 NC @ 5 V ± 20V 975 PF @ 25 V - 1.38W (TA)
TSM900N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CP ROG 1.3700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM900 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 11a (TC) 4,5 V, 10V 90MOHM @ 6A, 10V 2,5 V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 15 V - 25W (TC)
KTC3198-BL-M0 A2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-BL-M0 A2G -
RFQ
 ECAD 7823 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92 télécharger Atteindre non affecté 1801-KTC3198-BL-M0A2GTB OBSOLÈTE 1 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 3000 @ 150mA, 6V 80 MHz
TSM60NC390CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC390CP ROG 6.1500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban de Coupé (CT) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 11a (TC) 10V 390mohm @ 3,8A, 10V 5V @ 1MA 21 NC @ 10 V ± 20V 804 PF @ 25 V - 125W (TC)
BC337-40-B0 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-40-B0 A1 -
RFQ
 ECAD 8251 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92 - Atteindre non affecté 1801-BC337-40-B0A1TB OBSOLÈTE 1 45 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100 MHz
TSM1NB60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CP ROG 1.7300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TSM1NB60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 600 V 1A (TC) 10V 10OHM @ 500mA, 10V 4,5 V @ 250µA 6.1 NC @ 10 V ± 30V 138 pf @ 25 V - 39W (TC)
TSM150NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04LDCR RLG 2.2400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM150 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W (TA), 40W (TC) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 40V 8A (TA), 37A (TC) 15MOHM @ 8A, 10V 2,5 V @ 250µA 18nc @ 10v 966pf @ 20v -
TSM60NC196CM2 RNG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC196CM2 RNG 9.1600
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 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263ab (d²pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 600 V 28a (TC) 10V 196MOHM @ 9.5A, 10V 5V @ 1MA 39 NC @ 10 V ± 20V 1566 pf @ 300 V - 152W (TC)
TSM60NC165CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC165CI C0G 9.1600
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 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1801-TSM60NC165CIC0G EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 600 V 24a (TC) 10V 165MOHM @ 11.3A, 10V 5V @ 1MA 44 NC @ 10 V ± 30V 1857 PF @ 300 V - 89W (TC)
BC338-25-B0 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25-B0 A1 -
RFQ
 ECAD 6810 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92 - Atteindre non affecté 1801-BC338-25-B0A1TB OBSOLÈTE 1 25 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100 MHz
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    30 000 000

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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