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Transistors (888)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
TSM300NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06CR RLG 1 5000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerLDFN TSM300 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-PDFN (5.2x5,75) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 6A (TA), 27A (TC) 10V 30MOHM @ 6A, 10V 4,5 V @ 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1110 PF @ 30 V - 3.1W (TA), 56W (TC)
TSM500P02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02DCQ RFG 1.1900
RFQ
 ECAD 83 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-VDFN TSM500 MOSFET (Oxyde Métallique) 620mw 6-TDFN (2x2) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 4.7A (TC) 50MOHM @ 3A, 4,5 V 800 mV à 250µA 9.6nc @ 4,5 V 1230pf @ 10v -
BC547A A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC547A A1G -
RFQ
 ECAD 3073 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Box (TB) Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes BC547 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 4 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2MA, 5V -
TSA874CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSA874CW RPG 0.2072
RFQ
 ECAD 9133 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa TSA874 1 W SOT-223 télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0075 2 500 500 V 150 mA 100NA (ICBO) Pnp 500 mV @ 10mA, 50mA 150 @ 10mA, 10V 50 MHz
MMBT3906 RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906 RFG 0,2100
RFQ
 ECAD 110 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 350 MW SOT-23 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 40 V 200 mA 100NA (ICBO) Pnp 400 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250 MHz
BC550B B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC550B B1G -
RFQ
 ECAD 6676 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC550 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 5 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2MA, 5V -
BC549B B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC549B B1G -
RFQ
 ECAD 7186 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC549 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 5 000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 200 @ 2MA, 5V -
TSM085P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM085P03CS RLG 2.0300
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TSM085 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 34A (TC) 4,5 V, 10V 8,5 mohm @ 13a, 10v 2,5 V @ 250µA 56 NC @ 10 V ± 20V 3216 PF @ 15 V - 14W (TC)
TSM052N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM052N06PQ56 RLG -
RFQ
 ECAD 6174 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 100A (TC) 10V 5.2MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ± 25V 3686 PF @ 30 V - 83W (TC)
TSM60NB099PW C1G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099PW C1G 15.1800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 TSM60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 38A (TC) 10V 99MOHM @ 11,7A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ± 30V 2587 pf @ 100 V - 329W (TC)
BC847A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC847A RFG 0,0343
RFQ
 ECAD 6411 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 200 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 45 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSC873CW Taiwan Semiconductor Corporation TSC873CW 0,3712
RFQ
 ECAD 4782 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa TSC873 SOT-223 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSC873CWTR 5 000 400 V 1 a 1 mA NPN 1V @ 250mA, 1A 80 @ 250mA, 10V -
TSM190N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM190N08CZ C0G 9.6300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM190 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 75 V 190a (TC) 10V 4.2MOHM @ 90A, 10V 4V @ 250µA 160 NC @ 10 V ± 20V 8600 pf @ 30 V - 250W (TC)
BC856A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC856A RFG 0,0343
RFQ
 ECAD 5220 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 200 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) Pnp 650 mV @ 5mA, 100mA 125 @ 2MA, 5V 100 MHz
BSS84 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BSS84 RFG 0,4000
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 60 V 150mA (TA) 4,5 V, 10V 8OHM @ 150mA, 10V 2V à 250µA 1,9 NC @ 10 V ± 20V 37 pf @ 30 V - 357MW (TA)
BC848C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848C RFG 0,0343
RFQ
 ECAD 2199 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 200 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM4NB65CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB65CI 1.1907
RFQ
 ECAD 6270 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Tsm4 MOSFET (Oxyde Métallique) ITO-220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-TSM4NB65CI EAR99 8541.29.0095 4 000 Canal n 650 V 4A (TC) 10V 3.37OHM @ 2A, 10V 4,5 V @ 250µA 13.46 NC @ 10 V ± 30V 549 PF @ 25 V - 25W (TC)
TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06CR RLG 1.6800
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN TSM220 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 60 V 8A (TA), 35A (TC) 10V 22MOHM @ 8A, 10V 4V @ 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1454 PF @ 30 V - 3.1W (TA), 68W (TC)
BC546A B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC546A B1G -
RFQ
 ECAD 3874 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC546 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 5 000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2MA, 5V -
KTC3198-BL B1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-BL B1G -
RFQ
 ECAD 8224 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) KTC3198 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 5 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 70 @ 2MA, 6V 80 MHz
BC848CW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848CW RFG 0,0368
RFQ
 ECAD 6348 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC848 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0075 3 000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02CX RFG 0,8000
RFQ
 ECAD 409 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM250 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 5.8A (TC) 1,8 V, 4,5 V 25MOHM @ 4A, 4,5 V 800 mV à 250µA 7,7 NC @ 4,5 V ± 10V 535 pf @ 10 V - 1 56W (TC)
BC817-16 Taiwan Semiconductor Corporation BC817-16 0,0336
RFQ
 ECAD 8345 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 300 MW SOT-23 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC817-16TR EAR99 8541.21.0075 6 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 100 @ 100mA, 1v 100 MHz
BC550C B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC550C B1G -
RFQ
 ECAD 6081 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC550 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 5 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 420 @ 2MA, 5V -
TSM035NB04CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM035NB04CZ 4.1700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 TSM035 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 40 V 18A (TA), 157A (TC) 3,5 mohm @ 18a, 10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ± 20V 6990 PF @ 20 V - 2W (TA), 156W (TC)
BC817-40W Taiwan Semiconductor Corporation BC817-40W 0,0350
RFQ
 ECAD 4430 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 1801-BC817-40WTR EAR99 8541.21.0075 6 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 100 MHz
TSM120N10PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N10PQ56 RLG -
RFQ
 ECAD 6381 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfn (5x6) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 100 V 58A (TC) 10V 12MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 145 NC @ 10 V ± 20V 3902 PF @ 30 V - 36W (TC)
TSM019NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM019NH04LCR RLG 6.3000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Perfet ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pdfnu (5x6) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 40 V 35A (TA), 100A (TC) 4,5 V, 10V 1,9MOHM @ 50A, 10V 2,2 V @ 250µA 104 NC @ 10 V ± 16V 6282 PF @ 25 V - 150W (TC)
BC550A B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC550A B1G -
RFQ
 ECAD 6891 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - En gros Obsolète -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) BC550 500 MW To-92 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 5 000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN - 110 @ 2MA, 5V -
BC807-25W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC807-25W RFG 0,0466
RFQ
 ECAD 4986 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 BC807 200 MW SOT-323 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Pnp 700 mV à 50ma, 500mA 160 @ 100mA, 1V 80 MHz
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    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

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    30 000 000

    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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