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Transistors (3903)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C
IXFA5N100P-TRL IXYS Ixfa5n100p-trl 3.6333
RFQ
 ECAD 7860 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IXFA5N100 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFA5N100P-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 1000 V 5A (TC) 10V 2,8 ohm @ 2,5a, 10v 6V @ 250µA 33,4 NC @ 10 V ± 30V 1830 pf @ 25 V - 250W (TC)
IXTH30N25L2 IXYS IXTH30N25L2 19.6670
RFQ
 ECAD 8977 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTH30N25L2 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 30a (TC) 10V 140mohm @ 15a, 10v 4,5 V @ 250µA 130 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 355W (TC)
IXYA30N120A4HV IXYS Ixya30n120a4hv 7.6136
RFQ
 ECAD 6009 0,00000000 Ixys GenX4 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixya30 Standard 500 W À 263HV - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXYA30N120A4HV EAR99 8541.29.0095 50 960V, 25A, 5OHM, 15V 42 ns Pt 1200 V 106 A 184 A 1,9 V @ 15V, 25A 4MJ (ON), 3,4MJ (OFF) 57 NC 15NS / 235NS
MTC120W55GC-SMD IXYS MTC120W55GC-SMD 28.2508
RFQ
 ECAD 2221 0,00000000 Ixys - Tube Actif - - - MTC120 - - télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MTC120W55GC-SMD EAR99 8541.29.0095 13 - - -
IXXN340N65B4 IXYS Ixxn340n65b4 65.9640
RFQ
 ECAD 3966 0,00000000 Ixys GenX4 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixxn340 Standard 1500 W SOT-227B - Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté 238-IXXN340N65B4 EAR99 8541.29.0095 10 400V, 100A, 1OHM, 15V 65 ns Pt 650 V 520 A 1200 A 1,7 V @ 15V, 160A 4.4MJ (ON), 2,2MJ (OFF) 553 NC 62ns / 245ns
IXGP28N60A3M IXYS IXGP28N60A3M -
RFQ
 ECAD 9086 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Ixgp28 Standard 64 W Onglet isolé à 220 - 238-IXGP28N60A3M EAR99 8541.29.0095 50 480v, 24a, 10 ohms, 15v 26 ns Pt 600 V 38 A 200 A 1,4 V @ 15V, 24A - 66 NC 18NS / 300NS
IXGA48N60A3-TRL IXYS Ixga48n60a3-trl 6.0300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixga48 Standard 300 W À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 480V, 32A, 5OHM, 15V 30 ns Pt 600 V 120 A 300 A 1,35 V @ 15V, 32A 950 µJ (ON), 2,9MJ (OFF) 110 NC 25ns / 334ns
IXFQ8N85X IXYS IXFQ8N85X 4.5552
RFQ
 ECAD 8060 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra x Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixfq8n85 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFQ8N85X EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 850 V 8A (TC) 10V 850MOHM @ 4A, 10V 5,5 V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 30V 654 PF @ 25 V - 200W (TC)
IXTA3N100D2-TRL IXYS Ixta3n100d2-trl 3.7112
RFQ
 ECAD 6244 0,00000000 Ixys Épuisement Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA3N100D2-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 1000 V 3A (TJ) 0v 6OHM @ 1.5A, 0V 4,5 V @ 250µA 37,5 NC @ 5 V ± 20V 1020 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 125W (TC)
IXYN300N65A3 IXYS Ixyn300n65a3 62.2420
RFQ
 ECAD 9157 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixyn300 Standard 1500 W SOT-227B - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXYN300N65A3 EAR99 8541.29.0095 10 400V, 100A, 1OHM, 15V 125 ns Pt 650 V 470 A 1600 A 1,6 V @ 15V, 100A 7,8mj (on), 4,7mj (off) 565 NC 42ns / 190ns
IXTA48P05T-TRL IXYS Ixta48p05t-trl 2.8547
RFQ
 ECAD 5871 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta48 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA48P05T-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 50 V 48A (TC) 10V 30 mohm @ 24a, 10v 4,5 V @ 250µA 53 NC @ 10 V ± 15V 3660 PF @ 25 V - 150W (TC)
IXTA200N055T2-TRL IXYS IXTA200N055T2-TRL 2.6471
RFQ
 ECAD 3190 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta200 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA200N055T2-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 55 V 200A (TC) 10V 4.2MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 109 NC @ 10 V ± 20V 6970 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXTY90N055T2 IXYS Ixty90n055t2 2.9300
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty90 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXTY90N055T2 EAR99 8541.29.0095 70 Canal n 55 V 90a (TC) 10V 8,4MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 V ± 20V 2770 pf @ 25 V - 150W (TC)
MIXG330PF1200TSF IXYS Mixg330pf1200tsf 157.6067
RFQ
 ECAD 6704 0,00000000 Ixys - Boîte Actif - - - Mixg330 - - - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-mixg330pf1200tsf 3 - - -
IXFA36N55X2 IXYS Ixfa36n55x2 9.1982
RFQ
 ECAD 8479 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x2 Tube Actif - - - Ixfa36 - - - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFA36N55X2 EAR99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
IXFP4N100PM IXYS IXFP4N100 4.5182
RFQ
 ECAD 5266 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé IXFP4N100 MOSFET (Oxyde Métallique) Onglet isolé à 220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFP4N100pm EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 1000 V 2.1A (TC) 10V 3,3 ohm @ 2a, 10v 6V @ 250µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1456 PF @ 25 V - 40W (TC)
IXGP48N60B3 IXYS Ixgp48n60b3 -
RFQ
 ECAD 5263 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixgp48 Standard 300 W À 220 - 238-IXGP48N60B3 EAR99 8541.29.0095 50 480V, 30A, 5OHM, 15V 25 ns Pt 600 V 48 A 280 A 1,8 V @ 15V, 32A 840 µJ (ON), 660µJ (OFF) 115 NC 22NS / 130NS
IXTY1N100P-TRL IXYS Ixty1n100p-trl 1.2663
RFQ
 ECAD 6740 0,00000000 Ixys Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty1 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTY1N100P-TLTR EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 1000 V 1A (TC) 10V 15OHM @ 500mA, 10V 4,5 V @ 50µA 15,5 NC @ 10 V ± 20V 331 PF @ 25 V - 50W (TC)
IXTA3N110-TRL IXYS Ixta3n110-trl 4.3470
RFQ
 ECAD 1435 0,00000000 Ixys - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA3N110-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 1100 V 3A (TC) 10V 4OHM @ 1,5A, 10V 4,5 V @ 250µA 39 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 150W (TC)
IXTP20N65X2M IXYS IXTP20N65X2M 3.5864
RFQ
 ECAD 5558 0,00000000 Ixys Ultra x2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Ixtp20 MOSFET (Oxyde Métallique) Onglet isolé à 220 - Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté 238-IXTP20N65X2M EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 20A (TC) 10V 185MOHM @ 10A, 10V 4,5 V @ 250µA 27 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 36W (TC)
IXTA64N10L2-TRL IXYS Ixta64n10l2-trl 9.6115
RFQ
 ECAD 8923 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta64 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA64N10L2-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 100 V 64a (TC) 10V 32MOHM @ 32A, 10V 4,5 V @ 250µA 100 nc @ 10 V ± 20V 3620 PF @ 25 V - 357W (TC)
IXFA76N15T2-TRL IXYS Ixfa76n15t2-trl 3.8409
RFQ
 ECAD 7266 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Trencht2 ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa76 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFA76N15T2-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 150 V 76a (TC) 10V 22MOHM @ 38A, 10V 4,5 V @ 250µA 97 NC @ 10 V ± 20V 5800 pf @ 25 V - 350W (TC)
IXYN120N65C3D1 IXYS Ixyn120n65c3d1 -
RFQ
 ECAD 3169 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixyn120 Standard 830 W SOT-227B - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXYN120N65C3D1 EAR99 8541.29.0095 10 400V, 50A, 2OHM, 15V 29 NS Pt 650 V 190 A 620 A 2,8 V @ 15V, 100A 1,25 MJ (ON), 500 µJ (OFF) 265 NC 28NS / 127NS
IXFP44N25X3 IXYS Ixfp44n25x3 5.2270
RFQ
 ECAD 2218 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp44 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFP44N25X3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 250 V 44a (TC) 10V 40 mohm @ 22a, 10v 4,5 V @ 1MA 33 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 240W (TC)
MIXG240W1200PT-PC IXYS Mixg240w1200pt-pc 232.3058
RFQ
 ECAD 5150 0,00000000 Ixys - Boîte Actif - - - Mixg240 - - télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 24 - - -
IXXH80N65B4D1 IXYS IXXH80N65B4D1 11.9800
RFQ
 ECAD 990 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixxh80 Standard 625 W À 247ad (ixxh) - Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté 238-IXXH80N65B4D1 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 80A, 3OHM, 15V 100 ns Pt 650 V 180 A 430 A 2.1V @ 15V, 80A 3,36mJ (on), 1,83mJ (off) 120 NC 26NS / 112NS
MCB60I1200TZ-TUB IXYS Mcb60i1200tz-tub 111.0420
RFQ
 ECAD 8577 0,00000000 Ixys - Tube Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa MCB60I1200 Sicfet (carbure de silicium) À 268aa (d3pak-hv) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MCB60I1200TZ-tub EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 90a (TC) 20V 34MOHM @ 50A, 20V 4V @ 15mA 160 NC @ 20 V + 20V, -5V 2790 pf @ 1000 V - -
IXTY4N65X2-TRL IXYS Ixty4n65x2-trl 1.2663
RFQ
 ECAD 1584 0,00000000 Ixys Ultra x2 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty4 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTY4N65X2-TLTR EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 650 V 4A (TC) 10V 850MOHM @ 2A, 10V 5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ± 30V 455 PF @ 25 V - 80W (TC)
IXTA10P15T IXYS Ixta10p15t 3.6584
RFQ
 ECAD 5013 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta10 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA10P15T EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 150 V 10A (TC) 10V 350mohm @ 5a, 10v 4,5 V @ 250µA 36 NC @ 10 V ± 15V 2210 PF @ 25 V - 83W (TA)
IXTA1N100P-TRL IXYS Ixta1n100p-trl 1.7238
RFQ
 ECAD 5248 0,00000000 Ixys Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta1 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA1N100P-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 1000 V 1A (TC) 10V 15OHM @ 500mA, 10V 4,5 V @ 50µA 15,5 NC @ 10 V ± 20V 331 PF @ 25 V - 50W (TC)
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