RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Transistors (3903)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXFR12N100	-	RFQ	2831	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète	-	Par le trou	À 247-3	Ixfr12		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isoplus247 ™	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		1000 V	10A (TC)		1,1 ohm @ 6a, 10v	5,5 V @ 4mA	90 NC @ 10 V		2900 pf @ 25 V	-	-
IXYP24N100C4	6.7717	RFQ	9091	Ixys	GenX4 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixyp24	Standard		375 W		À 220	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXYP24N100C4	EAR99	8541.29.0095	50			800V, 24A, 10hm, 15v											35 ns	Pt	1000 V	76 A	132 A	2.3V @ 15V, 24A	3,6mj (on), 1mj (off)	43 NC	15NS / 147NS
IXSH30N60C	-	RFQ	4296	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixsh30	Standard		200 W		À 247ad	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			480v, 30a, 4,7 ohms, 15v												Pt	600 V	55 A	110 A	2,5 V @ 15V, 30A	700 µJ (off)	100 NC	30ns / 90ns
IXTH182N055T	-	RFQ	8842	Ixys	TRENCHMV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth182		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixth)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		55 V	182a (TC)	10V	5MOHM @ 25A, 10V	4V @ 250µA	114 NC @ 10 V	± 20V	4850 pf @ 25 V	-	360W (TC)
VMM90-09F	-	RFQ	3411	Ixys	HiperFet ™	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Y3-li	VMM90		MOSFET (Oxyde Métallique)	-		Y3-li	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2	2 Canaux N (double)			900 V	85a		76MOHM @ 65A, 10V	5V @ 30mA	960nc @ 10v		-	-
IXFR44N80P	22.8100	RFQ	8622	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfr44		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isoplus247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		800 V	25a (TC)	10V	200 mohm @ 22a, 10v	5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	± 30V	12000 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Ixyn110n120a4	46.7700	RFQ	5052	Ixys	XPT ™, GenX4 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixyn110	Standard		830 W		SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXYN110N120A4	EAR99	8541.29.0095	10			600V, 50A, 2OHM, 15V												Pt	1200 V	275 A	950 A	1,8 V @ 15V, 110A	2,5mj (on), 8,4mj (off)	305 NC	42ns / 550ns
Ixtk240n075l2	-	RFQ	3970	Ixys	L2 ™ Lineaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixtk240		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25		Canal n		75 V	240a (TC)	10V	7MOHM @ 120A, 10V	4,5 V @ 3MA	546 NC @ 10 V	± 20V	19000 pf @ 25 V	-	960W (TC)
Ixtf1r4n450	85.0500	RFQ	3328	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	I4-Pac ™ -5 (3 leads)	Ixtf1		MOSFET (Oxyde Métallique)			ISOPLUS I4-PAC ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXTF1R4N450	EAR99	8541.29.0095	25		Canal n		4500 V	1.4A (TC)	10V	40 ohm @ 50mA, 10V	6V @ 250µA	88 NC @ 10 V	± 20V	3300 pf @ 25 V	-	190W (TC)
FII24N17AH1S	-	RFQ	5099	Ixys	-	Boîte	Actif	-	Par le trou	I4-Pac ™ -5	FII24N17			140 W	Standard	ISOPLUS I4-PAC ™	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25	Demi-pont														NPT	1700 V	18 a		6v @ 15v, 16a				100 µA	Non	2,4 nf @ 25 V
Ixtn102n65x2	35.9700	RFQ	229	Ixys	Ultra x2	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixtn102		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal n		650 V	76a (TC)	10V	30mohm @ 51a, 10v	5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	± 30V	10900 pf @ 25 V	-	595AW (TC)
IXGK82N120B3	26.8580	RFQ	2996	Ixys	Genx3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixgk82	Standard		1250 W		À 264 (ixgk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			600V, 80A, 2OHM, 15V												Pt	1200 V	230 A	500 A	3.2v @ 15v, 82a	5mj (on), 3,3mj (off)	350 NC	30ns / 210ns
Ixtx4n300p3hv	76.5400	RFQ	1657	Ixys	P3 ™ Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixtx4		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247plus-hv	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		3000 V	4A (TC)	10V	12.5OHM @ 2A, 10V	5V @ 250µA	139 NC @ 10 V	± 20V	3680 pf @ 25 V	-	960W (TC)
IXYH55N120C4	8.8800	RFQ	71	Ixys	Xpt ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXYH55	Standard		650 W		À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXYH55N120C4	EAR99	8541.29.0095	30			600V, 40A, 5OHM, 15V											50 ns	-	1200 V	140 a	290 A	2,5 V @ 15V, 55A	3,5mj (on), 1,34mJ (off)	114 NC	20ns / 180ns
IXGH24N170AH1	-	RFQ	8719	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXGH24	Standard		250 W		À 247ad	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			850v, 24a, 10 ohms, 15v											200 ns	NPT	1700 V	24 A	75 A	6v @ 15v, 16a	2 97MJ (ON), 790µJ (OFF)	140 NC	21NS / 336NS
IXTP05N100M	4.1400	RFQ	500	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp05		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		1000 V	700mA (TC)	10V	17OHM @ 375mA, 10V	4,5 V @ 25µa	7,8 NC @ 10 V	± 30V	260 pf @ 25 V	-	25W (TC)
Ixtk128n15	-	RFQ	3016	Ixys	Mégamos ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixtk128		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 (ixtk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25		Canal n		150 V	128A (TC)	10V	15MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	± 20V	6000 pf @ 25 V	-	540W (TC)
IXFP16N60P3	5.7200	RFQ	54	Ixys	HiperFet ™, Polar3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixfp16		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXFP16N60P3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		600 V	16A (TC)	10V	470mohm @ 500mA, 10V	5V @ 1,5mA	36 NC @ 10 V	± 30V	1830 pf @ 25 V	-	347W (TC)
Ixfp12n65x2	4.1400	RFQ	293	Ixys	HiperFet ™, Ultra x2	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixfp12		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		650 V	12A (TC)	10V	310MOHM @ 6A, 10V	5V @ 250µA	18,5 NC @ 10 V	± 30V	1134 PF @ 25 V	-	180W (TC)
IXFX24N100	18.2070	RFQ	8038	Ixys	HiperFet ™	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixfx24		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		1000 V	24a (TC)	10V	390MOHM @ 12A, 10V	5,5 V @ 8mA	267 NC @ 10 V	± 20V	8700 pf @ 25 V	-	560W (TC)
ITF48if1200hr	14.2400	RFQ	838	Ixys	-	Tube	Actif		Par le trou	À 247-3	ITF48if1200	Standard		390 W		ISO247	-	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	238-itf48if1200hr	EAR99	8541.29.0095	30			600V, 40A, 12OHM, 15V												Tranché	1200 V	72 A		2,4 V @ 15V, 40A	3MJ (ON), 2,4MJ (off)	175 NC	26NS / 350NS
Ixfh30n50p	9.3800	RFQ	68	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfh30		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		500 V	30a (TC)	10V	200 mohm @ 15a, 10v	5V @ 4mA	70 NC @ 10 V	± 30V	4150 PF @ 25 V	-	460W (TC)
IXFT17N80Q	-	RFQ	3709	Ixys	HiperFet ™	Boîte	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixft17		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 268aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		800 V	17A (TC)	10V	600mohm @ 500mA, 10V	4,5 V @ 4mA	95 NC @ 10 V	± 20V	3600 pf @ 25 V	-	400W (TC)
Ixtn32p60p	39.6000	RFQ	228	Ixys	Polarp ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixtn32		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal p		600 V	32A (TC)	10V	350mohm @ 500mA, 10V	4V @ 1MA	196 NC @ 10 V	± 20V	11100 pf @ 25 V	-	890W (TC)
Ixfn55n50	-	RFQ	4192	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfn55		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227B	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	470724	EAR99	8541.29.0095	10		Canal n		500 V	55A (TC)	10V	90MOHM @ 27,5A, 10V	4,5 V @ 8mA	330 NC @ 10 V	± 20V	9400 pf @ 25 V	-	625W (TC)
IXFX26N60Q	-	RFQ	4634	Ixys	HiperFet ™	Boîte	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixfx26		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus247 ™ -3	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		600 V	26A (TC)	10V	250 mohm @ 13a, 10v	4,5 V @ 4mA	200 NC @ 10 V	± 20V	5100 pf @ 25 V	-	360W (TC)
MMIX1T132N50P3	52.7300	RFQ	3254	Ixys	Polar ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	24 Powersmd, 22 pistes	MMIX1T132		MOSFET (Oxyde Métallique)			Polar3 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-MMIX1T132N50P3	EAR99	8541.29.0095	20		Canal n		500 V	63a (TC)	10V	43MOHM @ 66A, 10V	5V @ 8mA	267 NC @ 10 V	± 30V	18600 PF @ 25 V	-	520W (TC)
IXFT150N30X3HV	21.4200	RFQ	1844	Ixys	HiperFet ™, Ultra x3	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixft150		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 268HV (ixft)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		300 V	150a (TC)	10V	8,3MOHM @ 75A, 10V	4,5 V @ 4mA	254 NC @ 10 V	± 20V	13100 pf @ 25 V	-	890W (TC)
IXFR14N100Q2	-	RFQ	5215	Ixys	HiperFet ™, CLASSE Q2	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfr14		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isoplus247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		1000 V	9.5A (TC)	10V	1,1 ohm @ 7a, 10v	5V @ 4mA	83 NC @ 10 V	± 30V	2700 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IXFH44N50Q3	21.2700	RFQ	349	Ixys	HiperFet ™, CLASSE Q3	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXFH44		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		500 V	44a (TC)	10V	140mohm @ 22a, 10v	6,5 V @ 4mA	93 NC @ 10 V	± 30V	4800 pf @ 25 V	-	830W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3903)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²