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Transistors (3903)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXTD2N60P-1J IXYS Ixtd2n60p-1j -
RFQ
 ECAD 9532 0,00000000 Ixys PolarHV ™ En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Mourir Ixtd2n MOSFET (Oxyde Métallique) Mourir - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 2A (TC) 10V 5.1OHM @ 1A, 10V 5V @ 250µA 7 NC @ 10 V ± 30V 240 pf @ 25 V - 56W (TC)
IXTH102N20T IXYS Ixth102n20t -
RFQ
 ECAD 4514 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth102 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 102A (TC) 10V 23MOHM @ 500mA, 10V 4,5 V @ 1MA 114 NC @ 10 V ± 30V 6800 pf @ 25 V - 750W (TC)
IXBF50N360 IXYS IXBF50N360 110.4140
RFQ
 ECAD 8557 0,00000000 Ixys Bimosfet ™ Tube Pas de designs les nouveaux pour les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou I4-Pac ™ -5 (3 leads) Ixbf50 Standard 290 W ISOPLUS I4-PAC ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 960V, 50A, 5OHM, 15V 1,7 µs - 3600 V 70 A 420 A 2,9 V @ 15V, 50A - 210 NC 46ns / 205ns
IXTA5N60P IXYS Ixta5n60p -
RFQ
 ECAD 4148 0,00000000 Ixys PolarHV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta5 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 5A (TC) 10V 1,7 ohm @ 2,5a, 10v 5,5 V @ 50µA 14.2 NC @ 10 V ± 30V 750 pf @ 25 V - 100W (TC)
IXFH80N08 IXYS IXFH80N08 -
RFQ
 ECAD 8934 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 80 V 80A (TC) 10V 9MOHM @ 40A, 10V 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ± 20V 4800 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXYH16N170CV1 IXYS IXYH16N170CV1 14.2600
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Ixys Xpt ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXYH16 Standard 310 W À 247 (ixyh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 850v, 16a, 10 ohms, 15v 150 ns - 1700 V 40 A 100 A 3,8 V @ 15V, 16A 2,1mj (on), 1,5mj (off) 56 NC 11ns / 140ns
IXKR40N60C IXYS IXKR40N60C 26.4200
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Ixys CoolMos ™ Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixkr40 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXKR40N60C EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 38A (TC) 10V 70MOHM @ 25A, 10V 3,9 V @ 3MA 250 NC @ 10 V ± 20V - -
IXYT85N120A4HV IXYS Ixyt85n120a4hv 19.9100
RFQ
 ECAD 3971 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixyt85 Standard 1150 W À 268hv (ixyt) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 238-IXYT85N120A4HV EAR99 8541.29.0095 30 600V, 60A, 5OHM, 15V 40 ns Pt 1200 V 300 A 520 A 1,8 V @ 15V, 85A 4.9mj (on), 8,3mj (off) 200 NC 40ns / 400ns
IXDP35N60B IXYS Ixdp35n60b -
RFQ
 ECAD 1851 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixdp35 Standard 250 W À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 300 V, 35A, 10OHM, 15V NPT 600 V 60 a 70 A 2,7 V @ 15V, 35A 1,6mj (on), 800 µJ (off) 120 NC -
IXGT60N60C2 IXYS Ixgt60n60c2 -
RFQ
 ECAD 8881 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixgt60 Standard 480 W À 268aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 2OHM, 15V Pt 600 V 75 A 300 A 2,5 V @ 15V, 50A 480 µJ (off) 146 NC 18NS / 95NS
IXTT74N20P IXYS Ixtt74n20p 7.2430
RFQ
 ECAD 7227 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt74 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 74a (TC) 10V 34MOHM @ 37A, 10V 5V @ 250µA 107 NC @ 10 V ± 20V 3300 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXTH2N150 IXYS Ixth2n150 11.0397
RFQ
 ECAD 4153 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth2 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTH2N150 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1500 V 2A (TC) 10V 9.2OHM @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 28 NC @ 10 V ± 30V 830 pf @ 25 V - 170W (TC)
IXFK80N50Q3 IXYS IXFK80N50Q3 33.8900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Ixys HiperFet ™, CLASSE Q3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXFK80N50Q3 EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 500 V 80A (TC) 10V 65MOHM @ 40A, 10V 6,5 V @ 8mA 200 NC @ 10 V ± 30V 10000 pf @ 25 V - 1250W (TC)
IXYN100N120C3 IXYS Ixyn100n120c3 46.6700
RFQ
 ECAD 2874 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixyn100 830 W Standard SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Célibataire - 1200 V 152 A 3,5 V @ 15V, 100A 25 µA Non 6 nf @ 25 V
IXTQ102N15T IXYS Ixtq102n15t -
RFQ
 ECAD 8216 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq102 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 150 V 102A (TC) 10V 18MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 1MA 87 NC @ 10 V ± 20V 5220 pf @ 25 V - 455W (TC)
IXTT24P20 IXYS Ixtt24p20 11.8500
RFQ
 ECAD 3207 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt24 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal p 200 V 24a (TC) 10V 110MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 150 NC @ 10 V ± 20V 4200 PF @ 25 V - 300W (TC)
IXTA36N30T IXYS Ixta36n30t -
RFQ
 ECAD 7469 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif - Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta36 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 300 V 36a (TC) 110MOHM @ 500mA, 10V - 70 NC @ 10 V 2250 pf @ 25 V - -
IXGH16N170 IXYS IXGH16N170 13.2800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH16 Standard 190 W À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 1360V, 16A, 10OHM, 15V NPT 1700 V 32 A 80 A 3,5 V @ 15V, 16A 9.3mj (off) 78 NC 45ns / 400ns
VIO125-12P1 IXYS Vio125-12p1 -
RFQ
 ECAD 2914 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Eco-Pac2 Vio 568 W Standard Eco-Pac2 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Célibataire NPT 1200 V 138 A 3,4 V @ 15V, 125A 5 mA Non 5,5 nf @ 25 V
IXGH48N60C3C1 IXYS IXGH48N60C3C1 -
RFQ
 ECAD 9427 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH48 Standard 300 W À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 3OHM, 15V Pt 600 V 75 A 250 A 2,5 V @ 15V, 30A 330 µJ (ON), 230 µJ (OFF) 77 NC 19ns / 60ns
IXGC12N60CD1 IXYS IXGC12N60CD1 -
RFQ
 ECAD 9962 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou ISOPLUS220 ™ Ixgc12 Standard 85 W ISOPLUS220 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 480V, 12A, 18OHM, 15V 35 ns - 600 V 15 A 48 A 2,7 V @ 15V, 12A 90 µJ (off) 32 NC 20ns / 60ns
IXTA220N055T IXYS IXTA220N055T -
RFQ
 ECAD 3372 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta220 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 55 V 220A (TC) 10V 4MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 158 NC @ 10 V ± 20V 7200 pf @ 25 V - 430W (TC)
IXFN240N25X3 IXYS Ixfn240n25x3 48.2200
RFQ
 ECAD 93 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn240 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 250 V 240a (TC) 10V 4,5 mohm @ 120a, 10v 4,5 V @ 8mA 345 NC @ 10 V ± 20V 23800 pf @ 25 V - 695W (TC)
MKE11R600DCGFC IXYS MKE11R600DCGFC -
RFQ
 ECAD 2443 0,00000000 Ixys CoolMos ™ Boîte Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Isoplusi5-pak ™ MKE11R600 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS I4-PAC ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 15A (TC) 10V 165MOHM @ 12A, 10V 3,5 V @ 790µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 100 V - -
IXTA182N055T IXYS IXTA182N055T -
RFQ
 ECAD 2833 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta182 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 55 V 182a (TC) 10V 5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 114 NC @ 10 V ± 20V 4850 pf @ 25 V - 360W (TC)
MMIX1F44N100Q3 IXYS MMIX1F44N100Q3 50.8870
RFQ
 ECAD 6104 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 24 Powersmd, 21 pistes MMIX1F44 MOSFET (Oxyde Métallique) 24-SMPD télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 Canal n 1000 V 30a (TC) 10V 245MOHM @ 22A, 10V 6,5 V @ 8mA 264 NC @ 10 V ± 30V 13600 pf @ 25 V - 694W (TC)
IXTP26P10T IXYS Ixtp26p10t 2.9790
RFQ
 ECAD 9171 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp26 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 100 V 26A (TC) 10V 90MOHM @ 13A, 10V 4,5 V @ 250µA 52 NC @ 10 V ± 15V 3820 pf @ 25 V - 150W (TC)
IXFX14N100 IXYS IXFX14N100 -
RFQ
 ECAD 6174 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx14 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1000 V 14A (TC) 10V 750mohm @ 500mA, 10V 4,5 V @ 4mA 220 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 25 V - 360W (TC)
IX526119 IXYS IX526119 18.2286
RFQ
 ECAD 4649 0,00000000 Ixys - Ruban Adhésif (tr) Actif IX5261 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IX526119TR EAR99 8541.29.0095 200
IXGA48N60C3 IXYS Ixga48n60c3 -
RFQ
 ECAD 9687 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixga48 Standard 300 W À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 400V, 30A, 3OHM, 15V Pt 600 V 75 A 250 A 2,5 V @ 15V, 30A 410 µJ (ON), 230 µJ (OFF) 77 NC 19ns / 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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