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Transistors (3903)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXGH50N60B	-	RFQ	7731	Ixys	Hiperfast ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXGH50	Standard		300 W		À 247ad	télécharger		Non applicable	Atteindre non affecté	IXGH50N60B-NDR	EAR99	8541.29.0095	30			480v, 50a, 2,7 ohms, 15v												-	600 V	75 A	200 A	2.3V @ 15V, 50A	3MJ (off)	160 NC	50ns / 150ns
Mixa150q1200va	34.0754	RFQ	4507	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	V1a-pak	Mixa150			695 W	Standard	V1a-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	24	Célibataire														Pt	1200 V	220 A		2.1V @ 15V, 150A				100 µA	Non
IXFH67N10Q	-	RFQ	3823	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXFH67		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad (ixfh)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		100 V	67a (TC)	10V	25MOHM @ 33.5A, 10V	4V @ 4mA	260 NC @ 10 V	± 20V	4500 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Ixtt60n20l2	21.5000	RFQ	35	Ixys	L2 ™ Lineaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixtt60		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXTT60N20L2	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		200 V	60a (TC)	10V	45MOHM @ 30A, 10V	4,5 V @ 250µA	255 NC @ 10 V	± 20V	10500 pf @ 25 V	-	540W (TC)
IXFH20N60Q	-	RFQ	2150	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfh20		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad (ixfh)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		600 V	20A (TC)	10V	350mohm @ 10a, 10v	4,5 V @ 4mA	90 NC @ 10 V	± 30V	3300 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Ixtp36n20t	-	RFQ	8938	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-	Par le trou	À 220-3	Ixtp36		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		200 V	36a (TC)		-	-				-	-
Ixft30n50p	12.6006	RFQ	9164	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixft30		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		500 V	30a (TC)	10V	200 mohm @ 15a, 10v	5V @ 4mA	70 NC @ 10 V	± 30V	4150 PF @ 25 V	-	460W (TC)
IXXK200N60C3	24.2008	RFQ	1611	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixxk200	Standard		1630 W		À 264 (ixxk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			360V, 100A, 1OHM, 15V												Pt	600 V	340 A	900 A	2.1V @ 15V, 100A	3MJ (ON), 1,7MJ (OFF)	315 NC	47ns / 125ns
Ixtt2n300p3hv	52.2600	RFQ	23	Ixys	P3 ™ Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 155 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixtt2		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 268hv (ixtt)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-Ixtt2N300P3HV	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		3000 V	2A (TC)	10V	21OHM @ 1A, 10V	5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	± 20V	1890 PF @ 25 V	-	520W (TC)
Ixga30n120b3-trl	5.3818	RFQ	8634	Ixys	Genx3 ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixga30	Standard		300 W		À 263 (d2pak)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXGA30N120B3-TLTR	EAR99	8541.29.0095	800			960V, 30A, 5OHM, 15V											37 ns	Pt	1200 V	60 A	150 a	3,5 V @ 15V, 30A	3 47MJ (ON), 2.16MJ (OFF)	87 NC	16NS / 127NS
IXYA20N120A4HV	11.3500	RFQ	6311	Ixys	GenX4 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixya20	Standard		375 W		À 263HV	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXYA20N120A4HV	EAR99	8541.29.0095	50			800 MV, 20A, 10OHM, 15V											54 ns	Pt	1200 V	80 A	135 A	1,9 V @ 15V, 20A	3,6MJ (ON), 2 75MJ (OFF)	46 NC	12NS / 275NS
Ixsn35n120au1	-	RFQ	2224	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixsn35			300 W	Standard	SOT-227B	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Célibataire														Pt	1200 V	70 A		4V @ 15V, 35A				750 µA	Non	3,9 nf @ 25 V
IXTQ200N075T	-	RFQ	4537	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	Ixtq200		MOSFET (Oxyde Métallique)			To-3p	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		75 V	200A (TC)	10V	5MOHM @ 25A, 10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	± 20V	6800 pf @ 25 V	-	430W (TC)
Ixtk33n50	-	RFQ	7564	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixtk33		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 (ixtk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25		Canal n		500 V	33A (TC)	10V	170MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	± 20V	4900 pf @ 25 V	-	416W (TC)
IXGT24N170AH1	-	RFQ	3709	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixgt24	Standard		250 W		À 268aa	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	300			850v, 24a, 10 ohms, 15v											200 ns	NPT	1700 V	24 A	75 A	6v @ 15v, 16a	2 97MJ (ON), 790µJ (OFF)	140 NC	21NS / 336NS
Ixfn300n20x3	48.6800	RFQ	2044	Ixys	HiperFet ™, Ultra x3	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfn300		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal n		200 V	300A (TC)	10V	3,5 mohm @ 150a, 10v	4,5 V @ 8mA	375 NC @ 10 V	± 20V	23800 pf @ 25 V	-	695W (TC)
Ixfk80n50p	22.2100	RFQ	5	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfk80		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264aa (ixfk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25		Canal n		500 V	80A (TC)	10V	65MOHM @ 40A, 10V	5V @ 8mA	197 NC @ 10 V	± 30V	12700 pf @ 25 V	-	1040W (TC)
IXDR30N120	-	RFQ	6790	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixdr30	Standard		200 W		Isoplus247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			600V, 30A, 47OHM, 15V												NPT	1200 V	50 a	60 a	2,9 V @ 15V, 30A	4,6mj (on), 3,4mj (off)	120 NC	-
Ixtv22n60ps	-	RFQ	9001	Ixys	PolarHV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Plus-220SMD	Ixtv22		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus-220SMD	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		600 V	22A (TC)	10V	350mohm @ 11a, 10v	5,5 V @ 250µA	62 NC @ 10 V	± 30V	3600 pf @ 25 V	-	400W (TC)
Ixfn44n80	50.1440	RFQ	6444	Ixys	HiperFet ™	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfn44		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal n		800 V	44a (TC)	10V	165MOHM @ 500mA, 10V	4,5 V @ 8mA	380 NC @ 10 V	± 20V	10000 pf @ 25 V	-	700W (TC)
IXBT12N300	23.7863	RFQ	8225	Ixys	Bimosfet ™	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixbt12	Standard		160 W		À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			-											1,4 µs	-	3000 V	30 A	100 A	3.2V @ 15V, 12A	-	62 NC	-
FMM22-05PF	20.9960	RFQ	7229	Ixys	HiperFet ™, PolarHT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	I4-Pac ™ -5	Fmm22		MOSFET (Oxyde Métallique)	132W		ISOPLUS I4-PAC ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25	2 Canaux N (double)			500 V	13A		270MOHM @ 11A, 10V	5V @ 1MA	50nc @ 10v		2630pf @ 25v	-
Ixtk5n250	69.1300	RFQ	454	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixtk5		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 (ixtk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25		Canal n		2500 V	5A (TC)	10V	8.8OHM @ 2,5A, 10V	5V @ 1MA	200 NC @ 10 V	± 30V	8560 pf @ 25 V	-	960W (TC)
Ixth102n25t	-	RFQ	5019	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-	Par le trou	À 247-3	Ixth102		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixth)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		250 V	102A (TC)		-	-				-	-
IXYH75N65C3H1	17.6000	RFQ	24	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXYH75	Standard		750 W		À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			400V, 60A, 3OHM, 15V											150 ns	Pt	650 V	170 A	360 A	2.3V @ 15V, 60A	2,8mj (on), 1mj (off)	123 NC	27NS / 93NS
IXSH30N60CD1	-	RFQ	4165	Ixys	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixsh30	Standard		200 W		À 247ad	télécharger		Non applicable	Atteindre non affecté	IXSH30N60CD1-NDR	EAR99	8541.29.0095	30			480v, 30a, 4,7 ohms, 15v											50 ns	-	600 V	55 A	110 A	2,5 V @ 15V, 30A	700 µJ (off)	100 NC	30ns / 90ns
Ixtq26p20p	7.5500	RFQ	39	Ixys	Polarp ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	Ixtq26		MOSFET (Oxyde Métallique)			To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal p		200 V	26A (TC)	10V	170MOHM @ 13A, 10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	± 20V	2740 PF @ 25 V	-	300W (TC)
Ixgx120n60c2	-	RFQ	6563	Ixys	Hiperfast ™, LightSpeed ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixgx120	Standard		830 W		Plus247 ™ -3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			400V, 80A, 1OHM, 15V												-	600 V	75 A	500 A	2,5 V @ 15V, 100A	1,7mj (on), 1mj (off)	370 NC	40ns / 120ns
MDI145-12A3	-	RFQ	3500	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Y4-M5	MDI145			700 W	Standard	Y4-M5	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	6	Célibataire														NPT	1200 V	160 A		2,7 V @ 15V, 100A				6 mA	Non	6,5 nf @ 25 V
IXTA200N055T2-7	3.5880	RFQ	9668	Ixys	Trencht2 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	Ixta200		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263-7 (ixta)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXTA200N055T2-7	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		55 V	200A (TC)	10V	4.2MOHM @ 50A, 10V	4V @ 250µA	109 NC @ 10 V	± 20V	6970 pf @ 25 V	-	360W (TC)

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