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Transistors (3903)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXGR50N60BD1 IXYS IXGR50N60BD1 -
RFQ
 ECAD 4917 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixgr50 Standard 250 W Isoplus247 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 480v, 50a, 2,7 ohms, 15v 35 ns - 600 V 75 A 200 A 2,5 V @ 15V, 50A 3MJ (off) 110 NC 50ns / 110ns
IXTC13N50 IXYS IXTC13N50 -
RFQ
 ECAD 4250 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou ISOPLUS220 ™ Ixtc13 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS220 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 12A (TC) 10V 400mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 2,5mA 120 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 25 V - 140W (TC)
IXKP13N60C5M IXYS IXKP13N60C5M -
RFQ
 ECAD 5347 0,00000000 Ixys CoolMos ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Ixkp13 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220abfp télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 6.5a (TC) 10V 300 mOhm @ 6,6a, 10v 3,5 V @ 440µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - -
IXTH04N300P3HV IXYS IXTH04N300P3HV 25.3500
RFQ
 ECAD 9155 0,00000000 Ixys P3 ™ Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixth04 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247HV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -Ixth04N300P3HV EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 3000 V 400mA (TC) 10V 190OHM @ 200mA, 10V 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 20V 283 PF @ 25 V - 104W (TC)
IXGK50N60B2D1 IXYS IXGK50N60B2D1 -
RFQ
 ECAD 3116 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixgk50 Standard 400 W À 264 (ixgk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 480v, 40a, 5hm, 15v 35 ns Pt 600 V 75 A 200 A 2V @ 15V, 40A 550 µJ (off) 140 NC 18NS / 190NS
IXTJ36N20 IXYS Ixtj36n20 -
RFQ
 ECAD 2421 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixtj36 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 36a (TC) 10V 70MOHM @ 18A, 10V 4V @ 4mA 140 NC @ 10 V ± 20V 2970 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXTY1N120PTRL IXYS Ixty1n120ptrl -
RFQ
 ECAD 3330 0,00000000 Ixys Polaire Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty1 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa - Atteindre non affecté 238-IXTY1N120PTRLTR EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 1200 V 1A (TC) 10V 20OHM @ 500mA, 10V 4,5 V @ 50µA 17,6 NC @ 10 V ± 30V 445 PF @ 25 V - 63W (TC)
IXFR80N50P IXYS Ixfr80n50p 24.9500
RFQ
 ECAD 1950 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfr80 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 45A (TC) 10V 72MOHM @ 40A, 10V 5V @ 8mA 197 NC @ 10 V ± 30V 12700 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXGB75N60BD1 IXYS IXGB75N60BD1 -
RFQ
 ECAD 8595 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixgb75 Standard 360 W Plus264 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 480V, 75A, 5OHM, 15V 50 ns - 600 V 120 A 300 A 2.3V @ 15V, 75A 3,3mj (off) 248 NC 62ns / 220ns
IXSH45N120 IXYS IXSH45N120 -
RFQ
 ECAD 7601 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXSH45 Standard 300 W À 247ad télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 960V, 45A, 2,7 ohms, 15v - 1200 V 75 A 180 A 3V @ 15V, 45A 21mj (off) 150 NC 80ns / 400ns
IXGH40N60C2 IXYS IXGH40N60C2 -
RFQ
 ECAD 3516 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH40 Standard 300 W À 247ad télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 3OHM, 15V Pt 600 V 75 A 200 A 2,7 V @ 15V, 30A 200 µJ (off) 95 NC 18NS / 90NS
VMM85-02F IXYS VMM85-02F -
RFQ
 ECAD 5985 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y4-M6 VMM85 MOSFET (Oxyde Métallique) 370W Y4-M6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 6 2 Canaux N (double) 200 V 84a 25MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 450nc @ 10v 15000pf @ 25v -
IXTN5N250 IXYS Ixtn5n250 51.3450
RFQ
 ECAD 4002 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixtn5 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 2500 V 5A (TC) 10V 8.8OHM @ 2,5A, 10V 5V @ 1MA 200 NC @ 10 V ± 30V 8560 pf @ 25 V - 700W (TC)
IXTH140N075L2 IXYS IXTH140N075L2 18.2938
RFQ
 ECAD 9647 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth140 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 75 V 140a (TC) 10V 11MOHM @ 70A, 10V 4,5 V @ 250µA 275 NC @ 10 V ± 20V 9300 pf @ 25 V - 540W (TC)
IXTT120N15P IXYS IXTT120N15P 11.0100
RFQ
 ECAD 130 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 150 V 120A (TC) 10V 16MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 150 NC @ 10 V ± 20V 4900 pf @ 25 V - 600W (TC)
IXFT220N20X3HV IXYS IXFT220N20X3HV 21.4200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft220 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268HV (ixft) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 220A (TC) 10V 6,2MOHM @ 110A, 10V 4,5 V @ 4mA 204 NC @ 10 V ± 20V 13600 pf @ 25 V - 960W (TC)
IXFA36N30P3 IXYS IXFA36N30P3 5.3900
RFQ
 ECAD 189 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa36 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa (ixfa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXFA36N30P3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 300 V 36a (TC) 10V 110MOHM @ 18A, 10V 4,5 V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 20V 2040 PF @ 25 V - 347W (TC)
IXGX32N170AH1 IXYS IXGX32N170AH1 -
RFQ
 ECAD 5210 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixgx32 Standard 350 W Plus247 ™ -3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 850V, 32A, 2,7 ohms, 15v 150 ns NPT 1700 V 32 A 110 A 5V @ 15V, 21A 4.1MJ (ON), 1 25MJ (OFF) 157 NC 27NS / 270NS
MWI75-06A7 IXYS MWI75-06A7 -
RFQ
 ECAD 6977 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis E2 MWI75 280 W Standard E2 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 6 Onduleur Triphasé NPT 600 V 90 A 2.6V @ 15V, 75A 1,3 mA Non 3,2 nf @ 25 V
MMIX1F160N30T IXYS MMIX1F160N30T 45.7675
RFQ
 ECAD 8817 0,00000000 Ixys Gigamos ™, HiperFet ™, Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 24 Powersmd, 21 pistes MMIX1F160 MOSFET (Oxyde Métallique) 24-SMPD télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 Canal n 300 V 102A (TC) 10V 20 mohm @ 60a, 10v 5V @ 8mA 335 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 25 V - 570W (TC)
IXFH13N50 IXYS IXFH13N50 -
RFQ
 ECAD 8691 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH13 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 13A (TC) 10V 400mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 2,5mA 120 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 25 V - 180W (TC)
IXFV26N50PS IXYS Ixfv26n50ps -
RFQ
 ECAD 7788 0,00000000 Ixys HiperFet ™, PolarHT ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Plus-220SMD Ixfv26 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus-220SMD télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 26A (TC) 10V 230MOHM @ 13A, 10V 5,5 V @ 4mA 60 NC @ 10 V ± 30V 3600 pf @ 25 V - 400W (TC)
IXTP44P15T IXYS Ixtp44p15t 6.3900
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Tube Actif Par le trou À 220-3 Ixtp44 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 150 V 44a (TC) 10V 65MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 175 NC @ 10 V ± 15V 13400 pf @ 25 V - 298W (TC)
IXTV102N25T IXYS Ixtv102n25t -
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 ECAD 6518 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif - Par le trou À 220-3, Court de l'onglet Ixtv102 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus220 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 250 V 102A (TC) - - - -
VMM90-09P IXYS VMM90-09P -
RFQ
 ECAD 9080 0,00000000 Ixys * Boîte Actif VMM90 - - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 -
IXGH24N120C3H1 IXYS IXGH24N120C3H1 8.7748
RFQ
 ECAD 7480 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH24 Standard 250 W À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 600V, 20A, 5OHM, 15V 70 ns Pt 1200 V 48 A 96 A 4.2 V @ 15V, 20A 1,16mj (on), 470 µJ (off) 79 NC 16NS / 93NS
IXFC16N80P IXYS Ixfc16n80p -
RFQ
 ECAD 4492 0,00000000 Ixys HiperFet ™, PolarHT ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou ISOPLUS220 ™ IXFC16N80 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS220 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 9A (TC) 10V 650mohm @ 8a, 10v 5V @ 4mA 71 NC @ 10 V ± 30V 4600 pf @ 25 V - 150W (TC)
IXFN300N10P IXYS Ixfn300n10p 48.2300
RFQ
 ECAD 6259 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn300 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 100 V 295A (TC) 10V 5,5 mohm @ 50a, 10v 5V @ 8mA 279 NC @ 10 V ± 20V 23000 pf @ 25 V - 1070W (TC)
IXFV30N50PS IXYS Ixfv30n50ps -
RFQ
 ECAD 6820 0,00000000 Ixys HiperFet ™, PolarHT ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Plus-220SMD Ixfv30 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus-220SMD télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 30a (TC) 10V 200 mohm @ 15a, 10v 5V @ 4mA 70 NC @ 10 V ± 30V 4150 PF @ 25 V - 460W (TC)
IXFQ60N50P3 IXYS IXFQ60N50P3 10.5200
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixfq60 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 60a (TC) 10V 100MOHM @ 30A, 10V 5V @ 4mA 96 NC @ 10 V ± 30V 6250 pf @ 25 V - 1040W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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