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Transistors (3903)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC
IXTA80N10T IXYS Ixta80n10t 3.8500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 80A (TC) 10V 14MOHM @ 25A, 10V 5V @ 100µA 60 NC @ 10 V ± 20V 3040 PF @ 25 V - 230W (TC)
MIXA20WB1200TMH IXYS Mixa20wb1200tmh -
RFQ
 ECAD 8661 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Minipack2 Mixa20w 100 W Redredeur de pont en trois phases Minipack2 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 20 ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE Pt 1200 V 28 A 2.1V @ 15V, 16A 100 µA Oui
IXFH20N60Q IXYS IXFH20N60Q -
RFQ
 ECAD 2150 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfh20 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 20A (TC) 10V 350mohm @ 10a, 10v 4,5 V @ 4mA 90 NC @ 10 V ± 30V 3300 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXGA20N60B IXYS Ixga20n60b -
RFQ
 ECAD 1473 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixga20 Standard 150 W À 263aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 480v, 20a, 10 ohms, 15v - 600 V 40 A 80 A 2V @ 15V, 20A 150 µJ (ON), 700 µJ (OFF) 90 NC 15NS / 150NS
IXTH50N30 IXYS Ixth50n30 -
RFQ
 ECAD 9703 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth50 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 300 V 50A (TC) 10V 65MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 165 NC @ 10 V ± 30V 4400 pf @ 25 V - 400W (TC)
IXTA48P05T-TRL IXYS Ixta48p05t-trl 2.8547
RFQ
 ECAD 5871 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta48 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA48P05T-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 50 V 48A (TC) 10V 30 mohm @ 24a, 10v 4,5 V @ 250µA 53 NC @ 10 V ± 15V 3660 PF @ 25 V - 150W (TC)
IXTA200N055T2-TRL IXYS IXTA200N055T2-TRL 2.6471
RFQ
 ECAD 3190 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta200 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA200N055T2-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 55 V 200A (TC) 10V 4.2MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 109 NC @ 10 V ± 20V 6970 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXTQ200N06P IXYS Ixtq200n06p -
RFQ
 ECAD 3389 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq200 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 60 V 200A (TC) 10V 5MOHM @ 400A, 15V 5V @ 250µA 200 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 25 V - 714W (TC)
IXFK35N50 IXYS IXFK35N50 -
RFQ
 ECAD 9959 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk35 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 500 V 35A (TC) 10V 150 mohm @ 16,5a, 10v 4V @ 4mA 227 NC @ 10 V ± 20V 5700 pf @ 25 V - 416W (TC)
IXFK44N50Q IXYS IXFK44N50Q -
RFQ
 ECAD 2619 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Q CLASSE Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk44 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 500 V 44a (TC) 10V 120 MOHM @ 22A, 10V 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ± 20V 7000 pf @ 25 V - 500W (TC)
IXFH80N10Q IXYS IXFH80N10Q -
RFQ
 ECAD 8102 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Non applicable EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 100 V 80A (TC) 10V 15MOHM @ 40A, 10V 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 25 V - 360W (TC)
VWM350-0075P IXYS VWM350-0075P -
RFQ
 ECAD 2874 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis V2-pak VWM350 MOSFET (Oxyde Métallique) - V2-pak télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 6 6 Canaux N (phases Pont 3) 75V 340A 3,3MOHM @ 250A, 10V 4V @ 2MA 450nc @ 10v - -
IXFN110N65X3 IXYS Ixfn110n65x3 33.9180
RFQ
 ECAD 2490 0,00000000 Ixys - Tube Actif Ixfn110 - 238-IXFN110N65X3 10
IXFN100N10S2 IXYS IXFN100N10S2 -
RFQ
 ECAD 7546 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn100 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 100 V 100A (TC) 10V 15MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXTQ180N055T IXYS IXTQ180N055T -
RFQ
 ECAD 5834 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète - Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 55 V 180a (TC) 4MOHM @ 50A, 10V 4V @ 1MA 160 NC @ 10 V 5800 pf @ 25 V - -
IXFN34N100 IXYS IXFN34N100 -
RFQ
 ECAD 8901 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn34 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 1000 V 34A (TC) 10V 280mohm @ 500mA, 10v 5,5 V @ 8mA 380 NC @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 25 V - 700W (TC)
IXFQ140N20X3 IXYS IXFQ140N20X3 12.4800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 IXFQ140 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 140a (TC) 10V 9.6MOHM @ 70A, 10V 4,5 V @ 4mA 127 NC @ 10 V ± 20V 7660 PF @ 25 V - 520W (TC)
IXTH36P15P IXYS Ixth36p15p 8.9737
RFQ
 ECAD 7721 0,00000000 Ixys Polarp ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth36 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal p 150 V 36a (TC) 10V 110MOHM @ 18A, 10V 4,5 V @ 250µA 55 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXTQ250N075T IXYS IXTQ250N075T -
RFQ
 ECAD 9499 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq250 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 75 V 250a (TC) 10V 4MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ± 20V 9900 PF @ 25 V - 550W (TC)
IXTP20N65X2M IXYS IXTP20N65X2M 3.5864
RFQ
 ECAD 5558 0,00000000 Ixys Ultra x2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Ixtp20 MOSFET (Oxyde Métallique) Onglet isolé à 220 - Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté 238-IXTP20N65X2M EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 20A (TC) 10V 185MOHM @ 10A, 10V 4,5 V @ 250µA 27 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 36W (TC)
IXFK140N20P IXYS Ixfk140n20p 16.6000
RFQ
 ECAD 3229 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa IXFK140 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 200 V 140a (TC) 10v, 15v 18MOHM @ 70A, 10V 5V @ 4mA 240 NC @ 10 V ± 20V 7500 PF @ 25 V - 830W (TC)
IXFT50N85XHV IXYS Ixft50n85xhv 19.4700
RFQ
 ECAD 4313 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra x Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft50 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268HV (ixft) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 850 V 50A (TC) 10V 105MOHM @ 500mA, 10V 5,5 V @ 4mA 152 NC @ 10 V ± 30V 4480 pf @ 25 V - 890W (TC)
IXFN300N10P IXYS Ixfn300n10p 48.2300
RFQ
 ECAD 6259 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn300 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 100 V 295A (TC) 10V 5,5 mohm @ 50a, 10v 5V @ 8mA 279 NC @ 10 V ± 20V 23000 pf @ 25 V - 1070W (TC)
IXUN280N10 IXYS Ixun280n10 -
RFQ
 ECAD 4556 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixun280 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 100 V 280a (TC) 10V 5MOHM @ 140A, 10V 4V @ 4mA 440 NC @ 10 V ± 20V 18000 pf @ 25 V - 770W (TC)
IXFT42N50P2 IXYS Ixft42n50p2 11.2400
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polarp2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft42 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXFT42N50P2 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 42A (TC) 10V 145MOHM @ 500mA, 10V 4,5 V @ 4mA 92 NC @ 10 V ± 30V 5300 pf @ 25 V - 830W (TC)
IXFT52N30Q IXYS IXFT52N30Q -
RFQ
 ECAD 1364 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft52 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger 1 (illimité) Ixft52n30q-ndr EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 300 V 52A (TC) 10V 60 Mohm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 150 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXFK52N30Q IXYS IXFK52N30Q -
RFQ
 ECAD 8445 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk52 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 300 V 52A (TC) 10V 60 Mohm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 150 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXFX210N30X3 IXYS Ixfx210n30x3 34.6600
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx210 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 300 V 210A (TC) 10V 5,5 mohm @ 105a, 10v 4,5 V @ 8mA 375 NC @ 10 V ± 20V 24200 pf @ 25 V - 1250W (TC)
IXFA7N80P IXYS Ixfa7n80p 4.0000
RFQ
 ECAD 4694 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa7n80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa (ixfa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 7a (TC) 10V 1,44Ohm @ 3,5a, 10v 5V @ 1MA 32 NC @ 10 V ± 30V 1890 PF @ 25 V - 200W (TC)
IXTN120N25 IXYS Ixtn120n25 -
RFQ
 ECAD 4916 0,00000000 Ixys Mégamos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixtn120 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 250 V 120A (TC) 20 mohm @ 500mA, 10v 4V @ 250µA 360 NC @ 10 V 7700 pf @ 25 V - 730W (TC)
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    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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