RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Transistors (3903)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXFH26N100X	19.7800	RFQ	5621	Ixys	Hiperfet ™, Ultra x	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfh26		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		1000 V	26A (TC)	10V	320mohm @ 13a, 10v	6v @ 4ma	113 NC @ 10 V	± 30V	3290 pf @ 25 V	-	860W (TC)
MUBW30-12A6K	59.4400	RFQ	5123	Ixys	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	E1	Mubw30			130 W	Redredeur de pont en trois phases	E1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	24	ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE														NPT	1200 V	30 A		3,8 V @ 15V, 30A				1 mA	Oui	1 nf @ 25 V
IXFX34N80	20.9458	RFQ	1236	Ixys	HiperFet ™	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixfx34		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	IXFX34N80-NDR	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		800 V	34A (TC)	10V	240mohm @ 17a, 10v	5V @ 8mA	270 NC @ 10 V	± 20V	7500 PF @ 25 V	-	560W (TC)
Ixtp42n25p	5.0200	RFQ	299	Ixys	Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp42		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		250 V	42A (TC)	10V	84MOHM @ 500mA, 10V	5,5 V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 20V	2300 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Ixth48n65x2	10.5700	RFQ	590	Ixys	Ultra x2	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth48		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	632407	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		650 V	48A (TC)	10V	68MOHM @ 24A, 10V	4,5 V @ 4mA	77 NC @ 10 V	± 30V	4420 PF @ 25 V	-	660W (TC)
Ixtp20n65x2	5.0500	RFQ	279	Ixys	Ultra x2	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp20		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	238-IXTP20N65X2	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		650 V	20A (TC)	10V	185MOHM @ 10A, 10V	4,5 V @ 250µA	27 NC @ 10 V	± 30V	1450 pf @ 25 V	-	290W (TC)
Ixtn8n150l	53.8500	RFQ	160	Ixys	Linéaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixtn8		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal n		1500 V	7.5a (TC)	20V	3,6 ohm @ 4a, 20v	8v @ 250µA	250 NC @ 15 V	± 30V	8000 pf @ 25 V	-	545W (TC)
Ixtd4n80p-3j	-	RFQ	2688	Ixys	PolarHV ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Mourir	Ixtd4n		MOSFET (Oxyde Métallique)			Mourir	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		800 V	3.6A (TC)	10V	3,4 ohm @ 1,8a, 10v	5,5 V @ 100µA	14.2 NC @ 10 V	± 30V	750 pf @ 25 V	-	100W (TC)
IXFH14N60P	6.0900	RFQ	28	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXFH14		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		600 V	14A (TC)	10V	550mohm @ 7a, 10v	5,5 V @ 2,5mA	36 NC @ 10 V	± 30V	2500 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Ixtp90n075t2	-	RFQ	2941	Ixys	Trencht2 ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp90		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		75 V	90a (TC)	10V	10MOHM @ 25A, 10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	± 20V	3290 pf @ 25 V	-	180W (TC)
Ixth60n20x4	11.5000	RFQ	299	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth60		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXTH60N20X4	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		200 V	60a (TC)	10V	21MOHM @ 30A, 10V	4,5 V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 20V	2450 pf @ 25 V	-	250W (TC)
IXTA230N04T4	3.5176	RFQ	4167	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta230		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263aa	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		40 V	230A (TC)	10V	2,9MOHM @ 115A, 10V	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	± 15V	7400 pf @ 25 V	-	340W (TC)
Ixth120p065t	8.1100	RFQ	23	Ixys	TRENCHP ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth120		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal p		65 V	120A (TC)	10V	10MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	± 15V	13200 pf @ 25 V	-	298W (TC)
Ixfi7n80p	-	RFQ	6019	Ixys	HiperFet ™, PolarHT ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	Ixfi7		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 262 (i2pak)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		800 V	7a (TC)	10V	1,44Ohm @ 3,5a, 10v	5V @ 1MA	32 NC @ 10 V	± 30V	1890 PF @ 25 V	-	200W (TC)
IXFT150N25X3HV	27.4100	RFQ	18	Ixys	HiperFet ™, Ultra x3	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixft150		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 268HV (ixft)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		250 V	150a (TC)	10V	9MOHM @ 75A, 10V	4,5 V @ 4mA	154 NC @ 10 V	± 20V	10400 pf @ 25 V	-	780W (TC)
IXBT42N170A	27.2547	RFQ	1277	Ixys	Bimosfet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixbt42	Standard		357 W		À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	IXBT42N170A -ND	EAR99	8541.29.0095	30			850V, 21A, 1OHM, 15V											330 ns	-	1700 V	42 A	265 A	6v @ 15v, 21a	3 43MJ (ON), 430 µJ (OFF)	188 NC	19ns / 200 ns
Ixfp8n85x	3.3500	RFQ	300	Ixys	Hiperfet ™, Ultra x	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixfp8n85		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220AB (ixfp)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-1402-IXFP8N85X	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		850 V	8A (TC)	10V	850MOHM @ 4A, 10V	5,5 V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 30V	654 PF @ 25 V	-	200W (TC)
IXFT340N075T2	12.6900	RFQ	1	Ixys	HiperFet ™, Trencht2 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixft340		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXFT340N075T2	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		75 V	340A (TC)	10V	3,2MOHM @ 100A, 10V	4V @ 3MA	300 NC @ 10 V	± 20V	19000 pf @ 25 V	-	935W (TC)
IXFA16N50P3	3.8469	RFQ	4841	Ixys	HiperFet ™, Polar3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixfa16		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263aa (ixfa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		500 V	16A (TC)	10V	360mohm @ 8a, 10v	5V @ 2,5mA	29 NC @ 10 V	± 30V	1515 pf @ 25 V	-	330W (TC)
IXXP12N65B4D1	2.8766	RFQ	4939	Ixys	XPT ™, GenX4 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixxp12	Standard		160 W		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			400V, 12A, 20OHM, 15V											43 NS	-	650 V	38 A	70 A	1,95 V @ 15V, 12A	440µJ (ON), 220µJ (OFF)	34 NC	13ns / 158ns
IXYH40N120B4	15.9115	RFQ	3403	Ixys	XPT ™, GenX4 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		Standard		680 W		À 247 (ixth)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXYH40N120B4	EAR99	8541.29.0095	30			960V, 32A, 5OHM, 15V											53 ns	Pt	1200 V	136 A	250 A	2.1V @ 15V, 32A	5,9mj (on), 2,9mj (off)	94 NC	19ns / 220ns
Ixtq170n10p	12.4600	RFQ	3236	Ixys	Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	Ixtq170		MOSFET (Oxyde Métallique)			To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXTQ170N10P	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		100 V	170a (TC)	10V	9MOHM @ 500mA, 10V	5V @ 250µA	198 NC @ 10 V	± 20V	6000 pf @ 25 V	-	715W (TC)
Ixfx66n50q2	-	RFQ	8703	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixfx66		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus247 ™ -3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		500 V	66a (TC)	10V	80 Mohm @ 500mA, 10V	4,5 V @ 8mA	200 NC @ 10 V	± 30V	9125 PF @ 25 V	-	735W (TC)
Ixty90n055t2	2.9300	RFQ	33	Ixys	Trencht2 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ixty90		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252aa	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	238-IXTY90N055T2	EAR99	8541.29.0095	70		Canal n		55 V	90a (TC)	10V	8,4MOHM @ 25A, 10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	± 20V	2770 pf @ 25 V	-	150W (TC)
IXGK60N60C2D1	-	RFQ	5162	Ixys	Hiperfast ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixgk60	Standard		480 W		À 264 (ixgk)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			400V, 50A, 2OHM, 15V											35 ns	Pt	600 V	75 A	300 A	2,5 V @ 15V, 50A	400 µJ (ON), 480µJ (OFF)	146 NC	18NS / 95NS
IXFK21N100F	-	RFQ	9189	Ixys	Hiperrf ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfk21		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264aa	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	25		Canal n		1000 V	21A (TC)	10V	500mohm @ 10.5a, 10v	5,5 V @ 4mA	160 NC @ 10 V	± 20V	5500 pf @ 25 V	-	500W (TC)
Ixtq110n10p	7.2900	RFQ	258	Ixys	Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	Ixtq110		MOSFET (Oxyde Métallique)			To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		100 V	110a (TC)	10V	15MOHM @ 500mA, 10V	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	3550 pf @ 25 V	-	480W (TC)
IXFH22N60P3	6.4600	RFQ	3957	Ixys	HiperFet ™, Polar3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfh22		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		600 V	22A (TC)	10V	360mohm @ 11a, 10v	5V @ 1,5mA	38 NC @ 10 V	± 30V	2600 pf @ 25 V	-	500W (TC)
Ixtq48n20t	4.1507	RFQ	2173	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	Ixtq48		MOSFET (Oxyde Métallique)			To-3p	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		200 V	48A (TC)	10V	50MOHM @ 24A, 10V	4,5 V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 30V	3090 PF @ 25 V	-	250W (TC)
Ixfa26n30x3	4.9700	RFQ	4901	Ixys	HiperFet ™, Ultra x3	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixfa26		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263aa (ixfa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		300 V	26A (TC)	10V	66MOHM @ 13A, 10V	4,5 V @ 500µA	22 NC @ 10 V	± 20V	1465 PF @ 25 V	-	170W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3903)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²