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Transistors (3903)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXTT12N150HV-TRL IXYS Ixtt12n150hv-trl 46.0094
RFQ
 ECAD 1340 0,00000000 Ixys - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt12 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268hv (ixtt) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 238-IXTT12N150HV-TLTR EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 1500 V 12A (TC) 10V 2.2OHM @ 6A, 10V 4,5 V @ 250µA 106 NC @ 10 V ± 30V 3720 PF @ 25 V - 890W (TC)
IXFV22N50PS IXYS Ixfv22n50ps -
RFQ
 ECAD 5919 0,00000000 Ixys HiperFet ™, PolarHT ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Plus-220SMD Ixfv22 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus-220SMD télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 22A (TC) 10V 270MOHM @ 11A, 10V 5,5 V @ 2,5mA 50 NC @ 10 V ± 30V 2630 pf @ 25 V - 350W (TC)
IXRR40N120 IXYS IXRR40N120 -
RFQ
 ECAD 3926 0,00000000 Ixys - Tube Actif - Par le trou À 247-3 Ixrr40 Standard Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 - - 1200 V 45 A - - -
IXTP120N04T2 IXYS Ixtp120n04t2 2.5796
RFQ
 ECAD 7697 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 40 V 120A (TC) 10V 6,1mohm @ 25a, 10v 4V @ 250µA 58 NC @ 10 V ± 20V 3240 PF @ 25 V - 200W (TC)
IXTA15N50L2 IXYS IXTA15N50L2 14.0500
RFQ
 ECAD 238 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta15 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXTA15N50L2 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 15A (TC) 10V 480mohm @ 7,5a, 10v 4,5 V @ 250µA 123 NC @ 10 V ± 20V 4080 PF @ 25 V - 300W (TC)
IXFN72N55Q2 IXYS Ixfn72n55q2 -
RFQ
 ECAD 6284 0,00000000 Ixys HiperFet ™, CLASSE Q2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn72 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 550 V 72A (TC) 10V 72MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 258 NC @ 10 V ± 30V 10500 pf @ 25 V - 890W (TC)
IXGA48N60A3-TRL IXYS Ixga48n60a3-trl 6.0300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixga48 Standard 300 W À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 480V, 32A, 5OHM, 15V 30 ns Pt 600 V 120 A 300 A 1,35 V @ 15V, 32A 950 µJ (ON), 2,9MJ (OFF) 110 NC 25ns / 334ns
IXKC19N60C5 IXYS IXKC19N60C5 -
RFQ
 ECAD 9236 0,00000000 Ixys CoolMos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou ISOPLUS220 ™ Ixkc19 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS220 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 19A (TC) 10V 125MOHM @ 16A, 10V 3,5 V @ 1.1mA 70 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 100 V - -
IXTH30N25L2 IXYS IXTH30N25L2 19.6670
RFQ
 ECAD 8977 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTH30N25L2 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 30a (TC) 10V 140mohm @ 15a, 10v 4,5 V @ 250µA 130 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 355W (TC)
IXGH28N60B3D1 IXYS IXGH28N60B3D1 8.5300
RFQ
 ECAD 123 0,00000000 Ixys PolarHV ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH28 Standard 190 W À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 24A, 10 ohms, 15v 25 ns Pt 600 V 66 A 150 a 1,8 V @ 15V, 24A 340 µJ (ON), 650µJ (OFF) 62 NC 19ns / 125ns
IXTA160N04T2 IXYS Ixta160n04t2 4.3500
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta160 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXTA160N04T2 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 40 V 160a (TC) 10V 5MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 79 NC @ 10 V ± 20V 4640 pf @ 25 V - 250W (TC)
IXTQ88N15 IXYS Ixtq88n15 -
RFQ
 ECAD 2016 0,00000000 Ixys - Tube Actif - Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq88 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 150 V 88A (TC) 10V - - ± 20V - -
IXFP26N65X2 IXYS Ixfp26n65x2 9.9300
RFQ
 ECAD 5732 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp26 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXFP26N65X2 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 26A (TC) 10V 130 MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 2,5mA 45 NC @ 10 V ± 30V 2450 pf @ 25 V - 460W (TC)
IXTQ160N085T IXYS IXTQ160N085T -
RFQ
 ECAD 7202 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq160 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 85 V 160a (TC) 10V 6MOHM @ 50A, 10V 4V @ 1MA 164 NC @ 10 V ± 20V 6400 PF @ 25 V - 360W (TC)
IXFN80N50Q2 IXYS IXFN80N50Q2 -
RFQ
 ECAD 2749 0,00000000 Ixys HiperFet ™, CLASSE Q2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn80 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 500 V 72A (TC) 10V 60 Mohm @ 500mA, 10V 4,5 V @ 8mA 250 NC @ 10 V ± 30V 12800 pf @ 25 V - 890W (TC)
IXGH24N60AU1 IXYS IXGH24N60AU1 -
RFQ
 ECAD 8644 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH24 Standard 150 W À 247ad télécharger Non applicable Atteindre non affecté IXGH24N60AU1-NDR EAR99 8541.29.0095 30 480v, 24a, 10 ohms, 15v 50 ns - 600 V 48 A 96 A 2,7 V @ 15V, 24A 600 µJ (ON), 1,5MJ (OFF) 90 NC 25ns / 150ns
IXTQ28N15P IXYS Ixtq28n15p -
RFQ
 ECAD 6432 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif - Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq28 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n - - - - -
IXYH40N65C3 IXYS IXYH40N65C3 -
RFQ
 ECAD 6118 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixyh40 Standard 300 W À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30A, 10OHM, 15V Pt 650 V 80 A 180 A 2.2V @ 15V, 40A 860 µJ (ON), 400µJ (OFF) 70 NC 26NS / 106NS
IXFH86N30T IXYS IXFH86N30T 12.2100
RFQ
 ECAD 4238 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH86 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 300 V 86a (TC) 10V 43MOHM @ 43A, 10V 5V @ 4mA 180 NC @ 10 V ± 20V 11300 pf @ 25 V - 860W (TC)
IXYN30N170CV1 IXYS Ixyn30n170cv1 44.2500
RFQ
 ECAD 442 0,00000000 Ixys Xpt ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixyn30 Standard 680 W SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 850V, 30A, 2,7 ohms, 15v 160 ns - 1700 V 88 A 275 A 3,7 V @ 15V, 30A 5,9mj (on), 3,3mj (off) 140 NC 28NS / 150NS
MIO600-65E11 IXYS MIO600-65E11 -
RFQ
 ECAD 3468 0,00000000 Ixys - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis E11 Mio Standard E11 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Commaileur unique NPT 6500 V 600 A 4.2 V @ 15V, 600A 120 mA Non 150 nf @ 25 V
IXFE24N100 IXYS IXFE24N100 -
RFQ
 ECAD 5115 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfe24 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 1000 V 22A (TC) 10V 390MOHM @ 12A, 10V 5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ± 20V 7000 pf @ 25 V - 500W (TC)
IXFT80N20Q IXYS IXFT80N20Q -
RFQ
 ECAD 3919 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 80A (TC) 10V 28MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ± 20V 4600 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXFH32N50Q IXYS IXFH32N50Q -
RFQ
 ECAD 9597 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfh32 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 32A (TC) 10V 160MOHM @ 16A, 10V 4,5 V @ 4mA 190 NC @ 10 V ± 20V 4925 PF @ 25 V - 360W (TC)
IXGH30N60BD1 IXYS IXGH30N60BD1 -
RFQ
 ECAD 8147 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH30 Standard 200 W À 247ad télécharger Non applicable Atteindre non affecté IXGH30N60BD1-NDR EAR99 8541.29.0095 30 480v, 30a, 4,7 ohms, 15v 25 ns - 600 V 60 A 120 A 1,8 V @ 15V, 30A 1mj (off) 110 NC 25ns / 130ns
IXTP02N50D IXYS Ixtp02n50d 6.9200
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Ixys Épuisement Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp02 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXTP02N50D EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 200mA (TC) 10V 30OHM @ 50mA, 0V 5V @ 25µa ± 20V 120 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 1.1W (TA), 25W (TC)
IXSH40N60A IXYS IXSH40N60A -
RFQ
 ECAD 8551 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXSH40 Standard 300 W À 247ad télécharger Non applicable Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 480v, 40a, 2,7 ohms, 15v - 600 V 75 A 150 a 3V @ 15V, 40A 2,5mJ (off) 190 NC 55ns / 400ns
IXTP12N50PM IXYS Ixtp12n50pm 5.3084
RFQ
 ECAD 5276 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp12 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 6A (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10v 5,5 V @ 250µA 29 NC @ 10 V ± 30V 1830 pf @ 25 V - 50W (TC)
IXTY8N70X2 IXYS Ixty8n70x2 3.3100
RFQ
 ECAD 8030 0,00000000 Ixys Ultra x2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty8 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXTY8N70X2 EAR99 8541.29.0095 70 Canal n 700 V 8A (TC) 10V 500 MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 12 NC @ 10 V ± 30V 800 pf @ 10 V - 150W (TC)
IXFH220N06T3 IXYS IXFH220N06T3 6.3100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Trencht3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH220 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 60 V 220A (TC) 10V 4MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 136 NC @ 10 V ± 20V 8500 pf @ 25 V - 440W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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