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Transistors (3903)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXTY15P15T IXYS Ixty15p15t 4.1400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty15 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 70 Canal p 150 V 15A (TC) 10V 240mohm @ 7a, 10v 4,5 V @ 250µA 48 NC @ 10 V ± 15V 3650 pf @ 25 V - 150W (TC)
MWI50-12A7T IXYS MWI50-12A7T -
RFQ
 ECAD 3062 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis E2 MWI50 350 W Standard E2 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 6 Onduleur Triphasé NPT 1200 V 85 A 2,7 V @ 15V, 50A 4 mA Oui 3,3 nf @ 25 V
IXTH6N50D2 IXYS Ixth6n50d2 9.3800
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Ixys Épuisement Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth6 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 6A (TC) - 500MOHM @ 3A, 0V - 96 NC @ 5 V ± 20V 2800 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 300W (TC)
IXFP13N60X3 IXYS IXFP13N60X3 3.4206
RFQ
 ECAD 1216 0,00000000 Ixys - Tube Actif Ixfp13 - 238-IXFP13N60X3 50
IXFK64N60P IXYS Ixfk64n60p 22.0900
RFQ
 ECAD 1865 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk64 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 64a (TC) 10V 96MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 200 NC @ 10 V ± 30V 12000 pf @ 25 V - 1040W (TC)
IXFL210N30P3 IXYS IXFL210N30P3 36.4500
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfl210 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus264 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXFL210N30P3 EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 300 V 108a (TC) 10V 16MOHM @ 105A, 10V 5V @ 8mA 268 NC @ 10 V ± 20V 16200 pf @ 25 V - 520W (TC)
IXFK80N10Q IXYS IXFK80N10Q -
RFQ
 ECAD 7231 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète Ixfk80 - 1 (illimité) OBSOLÈTE 0000.00.0000 25 -
IXGP12N120A3 IXYS IXGP12N120A3 4.3200
RFQ
 ECAD 4916 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixgp12 Standard 100 W À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 - Pt 1200 V 22 A 60 A 3V @ 15V, 12A - 20,4 NC -
IXGH20N120A3 IXYS IXGH20N120A3 7.7900
RFQ
 ECAD 7332 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH20 Standard 180 W À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXGH20N120A3 EAR99 8541.29.0095 30 960V, 20A, 10OHM, 15V Pt 1200 V 40 A 120 A 2,5 V @ 15V, 20A 2 85MJ (on), 6 47mJ (off) 50 NC 16NS / 290NS
IXTP48N20T IXYS Ixtp48n20t 4.1800
RFQ
 ECAD 3242 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp48 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 200 V 48A (TC) 10V 50MOHM @ 24A, 10V 4,5 V @ 250µA 60 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 25 V - 250W (TC)
IXFB170N30P IXYS Ixfb170n30p 31.4408
RFQ
 ECAD 6927 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa IXFB170 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus264 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 300 V 170a (TC) 10V 18MOHM @ 85A, 10V 4,5 V @ 1MA 258 NC @ 10 V ± 20V 20000 pf @ 25 V - 1250W (TC)
IXTH75N10 IXYS Ixth75n10 11.1500
RFQ
 ECAD 3149 0,00000000 Ixys Mégamos ™ Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth75 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté IXTH75N10-NDR EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 100 V 75A (TC) 10V 20 mOhm @ 37,5a, 10v 4V @ 4mA 260 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXKP35N60C5 IXYS IXKP35N60C5 -
RFQ
 ECAD 9487 0,00000000 Ixys CoolMos ™ Tube Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixkp35 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 35A (TC) 10V 100MOHM @ 18A, 10V 3,9 V @ 1,2MA 70 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 100 V - -
IXFA36N55X2 IXYS Ixfa36n55x2 9.1982
RFQ
 ECAD 8479 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x2 Tube Actif - - - Ixfa36 - - - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFA36N55X2 EAR99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
IXFK94N50P2 IXYS Ixfk94n50p2 21.3400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polarp2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk94 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 500 V 94a (TC) 10V 55MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 220 NC @ 10 V ± 30V 13700 pf @ 25 V - 1300W (TC)
IXTT16N20D2 IXYS Ixtt16n20d2 13.7900
RFQ
 ECAD 8995 0,00000000 Ixys Épuisement Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt16 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 16A (TC) - 73MOHM @ 8A, 0V - 208 NC @ 5 V ± 20V 5500 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 695W (TC)
IXTC62N15P IXYS Ixtc62n15p -
RFQ
 ECAD 9751 0,00000000 Ixys Polarht ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou ISOPLUS220 ™ Ixtc62 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS220 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 150 V 36a (TC) 10V 45MOHM @ 31A, 10V 5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 150W (TC)
IXXP12N65B4D1 IXYS IXXP12N65B4D1 2.8766
RFQ
 ECAD 4939 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixxp12 Standard 160 W À 220-3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 400V, 12A, 20OHM, 15V 43 NS - 650 V 38 A 70 A 1,95 V @ 15V, 12A 440µJ (ON), 220µJ (OFF) 34 NC 13ns / 158ns
MIXA300PF1200TSF IXYS Mixa300pf1200tsf 151.8700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module Mixa300 1500 W Standard Module télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 Demi-pont Pt 1200 V 465 A 2.1V @ 15V, 300A 300 µA Oui
IXFR80N50P IXYS Ixfr80n50p 24.9500
RFQ
 ECAD 1950 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfr80 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 45A (TC) 10V 72MOHM @ 40A, 10V 5V @ 8mA 197 NC @ 10 V ± 30V 12700 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXYH40N120B4 IXYS IXYH40N120B4 15.9115
RFQ
 ECAD 3403 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 680 W À 247 (ixth) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXYH40N120B4 EAR99 8541.29.0095 30 960V, 32A, 5OHM, 15V 53 ns Pt 1200 V 136 A 250 A 2.1V @ 15V, 32A 5,9mj (on), 2,9mj (off) 94 NC 19ns / 220ns
MUBW50-12E8 IXYS Mubw50-12e8 -
RFQ
 ECAD 6024 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis E3 Mousser 350 W Redredeur de pont en trois phases E3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 5 ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE - 1200 V 90 A 2,4 V @ 15V, 50A 800 µA Oui 3,8 nf @ 25 V
IXTH50N20 IXYS Ixth50n20 -
RFQ
 ECAD 6970 0,00000000 Ixys Mégamos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth50 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté IXTH50N20-NDR EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 50A (TC) 10V 45MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 220 NC @ 10 V ± 20V 4600 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFP4N85X IXYS Ixfp4n85x 4.1400
RFQ
 ECAD 4418 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra x Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixfp4n85 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220AB (ixfp) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 850 V 3.5a (TC) 10V 2,5 ohm @ 2a, 10v 5,5 V @ 250µA 7 NC @ 10 V ± 30V 247 pf @ 25 V - 150W (TC)
IXTP08N100D2 IXYS Ixtp08n100d2 2.4900
RFQ
 ECAD 1851 0,00000000 Ixys Épuisement Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp08 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 1000 V 800mA (TC) - 21OHM @ 400mA, 0V - 14,6 NC @ 5 V ± 20V 325 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 60W (TC)
IXGP12N60C IXYS Ixgp12n60c -
RFQ
 ECAD 5970 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixgp12 Standard 100 W À 220-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 480V, 12A, 18OHM, 15V - 600 V 24 A 48 A 2,7 V @ 15V, 12A 90 µJ (off) 32 NC 20ns / 60ns
IXTH60N20X4 IXYS Ixth60n20x4 11.5000
RFQ
 ECAD 299 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixfh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXTH60N20X4 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 60a (TC) 10V 21MOHM @ 30A, 10V 4,5 V @ 250µA 33 NC @ 10 V ± 20V 2450 pf @ 25 V - 250W (TC)
IXTA75N10P IXYS Ixta75n10p 5.1900
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta75 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 75A (TC) 10V 25MOHM @ 500mA, 10V 5,5 V @ 250µA 74 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXFR80N50Q3 IXYS IXFR80N50Q3 37.0100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Ixys HiperFet ™, CLASSE Q3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfr80 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 50A (TC) 10V 72MOHM @ 40A, 10V 6,5 V @ 8mA 200 NC @ 10 V ± 30V 10000 pf @ 25 V - 570W (TC)
FMM300-0055P IXYS FMM300-0055P -
RFQ
 ECAD 9606 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou I4-Pac ™ -5 Fmm MOSFET (Oxyde Métallique) - ISOPLUS I4-PAC ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 000 2 Canaux N (double) 55V 300A 3,6MOHM @ 150A, 10V 4V @ 2MA 172nc @ 10v - -
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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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