SIC
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Transistors (3903)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXFN70N100X IXYS IXFN70N100X 68.1400
RFQ
 ECAD 51 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra x Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn70 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 1000 V 56a (TC) 10V 89MOHM @ 35A, 10V 6v @ 8mA 350 NC @ 10 V ± 30V 9150 pf @ 25 V - 1200W (TC)
MIXG120W1200PTEH IXYS Mixg120w1200pteh 154.9675
RFQ
 ECAD 6401 0,00000000 Ixys - Boîte Actif - - - Mixg120 - - - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-mixg120w1200pteh 24 - - -
IXFK230N20T IXYS IXFK230N20T 26.4300
RFQ
 ECAD 3307 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Tranché Tube Actif - Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk230 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 200 V 230A (TC) 10V 7,5 mohm @ 60a, 10v 5V @ 8mA 378 NC @ 10 V ± 20V 28000 pf @ 25 V - 1670W (TC)
IXFN180N20 IXYS IXFN180N20 53.5000
RFQ
 ECAD 2727 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn180 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté IXFN180N20-NDR EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 200 V 180a (TC) 10V 10MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 660 NC @ 10 V ± 20V 22000 pf @ 25 V - 700W (TC)
IXFR230N20T IXYS IXFR230N20T 22.9893
RFQ
 ECAD 2211 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfr230 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 156a (TC) 10V 8MOHM @ 60A, 10V 5V @ 8mA 378 NC @ 10 V ± 20V 28000 pf @ 25 V - 600W (TC)
IXFE55N50 IXYS Ixfe55n50 -
RFQ
 ECAD 3788 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfe55 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 500 V 47a (TC) 10V 90MOHM @ 27,5A, 10V 4,5 V @ 8mA 330 NC @ 10 V ± 20V 9400 pf @ 25 V - 500W (TC)
IXGX82N120A3 IXYS Ixgx82n120a3 27.1407
RFQ
 ECAD 5587 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Actif - Par le trou Variante à 247-3 Ixgx82 Standard 1250 W Plus247 ™ -3 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 600V, 80A, 2OHM, 15V Pt 1200 V 260 A 580 A 2.05V @ 15V, 82A 5,5mj (on), 12,5mj (off) 340 NC 34ns / 265ns
IXFA60N25X3 IXYS Ixfa60n25x3 8.4800
RFQ
 ECAD 38 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 250 V 60a (TC) 10V 23MOHM @ 30A, 10V 4,5 V @ 1,5 mA 50 NC @ 10 V ± 20V 3610 PF @ 25 V - 320W (TC)
IXFH88N20Q IXYS IXFH88N20Q -
RFQ
 ECAD 6020 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Q CLASSE Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH88 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 88A (TC) 10V 30MOHM @ 44A, 10V 4V @ 4mA 146 NC @ 10 V ± 30V 4150 PF @ 25 V - 500W (TC)
IXGT2N250 IXYS Ixgt2n250 68.3600
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixgt2 Standard 32 W À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 - - 2500 V 5.5 A 13.5 A 3.1V @ 15V, 2A - 10,5 NC -
IXTA120P065T IXYS Ixta120p065t 6.5700
RFQ
 ECAD 1741 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 65 V 120A (TC) 10V 10MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ± 15V 13200 pf @ 25 V - 298W (TC)
IXFK150N30X3 IXYS IXFK150N30X3 20.7100
RFQ
 ECAD 96 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk150 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 300 V 150a (TC) 10V 8,3MOHM @ 75A, 10V 4,5 V @ 4mA 177 NC @ 10 V ± 20V 13100 pf @ 25 V - 890W (TC)
IXFK240N15T2 IXYS IXFK240N15T2 21.7200
RFQ
 ECAD 1242 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfk240 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 150 V 240a (TC) 10V 5,2MOHM @ 60A, 10V 5V @ 8mA 460 NC @ 10 V ± 20V 32000 pf @ 25 V - 1250W (TC)
MCB30P1200LB-TRR IXYS MCB30P1200LB-TRR -
RFQ
 ECAD 8033 0,00000000 Ixys MCB30P1200LB Ruban Adhésif (tr) Actif - Support de surface 9 Powersmd MCB30P1200 Carbure de silicium (sic) - 9-SMPD-B - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MCB30P1200LB-TRRTR EAR99 8541.29.0095 200 4 N-Canal (Demi-pont) 1200V (1,2 kV) - - - - - -
IXFX20N120P IXYS Ixfx20n120p 27.7800
RFQ
 ECAD 126 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx20 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 20A (TC) 10V 570MOHM @ 10A, 10V 6,5 V @ 1MA 193 NC @ 10 V ± 30V 11100 pf @ 25 V - 780W (TC)
IXGR35N120BD1 IXYS IXGR35N120BD1 -
RFQ
 ECAD 1378 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixgr35 Standard 250 W Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 960V, 35A, 3OHM, 15V 40 ns - 1200 V 54 A 200 A 3,5 V @ 15V, 35A 900 µJ (ON), 3,8MJ (OFF) 140 NC 40ns / 270ns
IXGC16N60B2D1 IXYS Ixgc16n60b2d1 -
RFQ
 ECAD 4743 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou ISOPLUS220 ™ Ixgc16 Standard 63 W ISOPLUS220 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 400V, 12A, 22OHM, 15V 110 ns Pt 600 V 28 A 100 A 2.3V @ 15V, 12A 150mj (off) 32 NC 25ns / 70ns
IXGH12N60CD1 IXYS IXGH12N60CD1 -
RFQ
 ECAD 6726 0,00000000 Ixys Hiperfast ™, LightSpeed ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH12 Standard 100 W À 247ad télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 480V, 12A, 18OHM, 15V 35 ns - 600 V 24 A 48 A 2,7 V @ 15V, 12A 90 µJ (off) 32 NC 20ns / 60ns
IXA20PG1200DHG-TUB IXYS Ixa20pg1200dhg-tub 19.6670
RFQ
 ECAD 7887 0,00000000 Ixys - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Module 9 MMD Ixa20 130 W Standard Isoplus-smpd ™ .b télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 Demi-pont Pt 1200 V 32 A 2.1V @ 15V, 15A 125 µA Non
IXTP44P15T IXYS Ixtp44p15t 6.3900
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Tube Actif Par le trou À 220-3 Ixtp44 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 150 V 44a (TC) 10V 65MOHM @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 175 NC @ 10 V ± 15V 13400 pf @ 25 V - 298W (TC)
VID25-06P1 IXYS Vid25-06p1 -
RFQ
 ECAD 9390 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Eco-Pac2 Vid 82 W Standard Eco-Pac2 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Célibataire NPT 600 V 24.5 A 2,9 V @ 15V, 25A 600 µA Oui 8 nf @ 25 V
IXYH24N170CV1 IXYS IXYH24N170CV1 17.5100
RFQ
 ECAD 235 0,00000000 Ixys Xpt ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXYH24 Standard 500 W À 247 (ixyh) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 850V, 24A, 5OHM, 15V 170 ns - 1700 V 58 A 140 a 4V @ 15V, 24A 3,6mj (on), 1 76mj (off) 96 NC 16NS / 155NS
IXGH16N170AH1 IXYS IXGH16N170AH1 -
RFQ
 ECAD 5451 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH16 Standard 190 W À 247ad télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 850v, 16a, 10 ohms, 15v 230 ns NPT 1700 V 16 A 40 A 5V @ 15V, 11A 900 µJ (off) 65 NC 36ns / 160ns
MMIX1F360N15T2 IXYS MMIX1F360N15T2 46.8120
RFQ
 ECAD 6350 0,00000000 Ixys Gigamos ™, Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 24 Powersmd, 21 pistes MMIX1F360 MOSFET (Oxyde Métallique) 24-SMPD télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 Canal n 150 V 235a (TC) 10V 4.4MOHM @ 100A, 10V 5V @ 8mA 715 NC @ 10 V ± 20V 47500 PF @ 25 V - 680W (TC)
IXFT12N100 IXYS IXFT12N100 -
RFQ
 ECAD 9445 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft12 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1000 V 12A (TC) 10V 1.05OHM @ 6A, 10V 4,5 V @ 4mA 155 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 300W (TC)
MII200-12A4 IXYS MII200-12A4 -
RFQ
 ECAD 5280 0,00000000 Ixys - Boîte Actif 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Y3-dcb MII200 1130 W Standard Y3-dcb télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 Demi-pont NPT 1200 V 270 A 2,7 V @ 15V, 150A 10 mA Non 11 nf @ 25 V
IXTT100N25P IXYS Ixtt100n25p 13.5600
RFQ
 ECAD 4112 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt100 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 100A (TC) 10V 24MOHM @ 50A, 10V 5V @ 250µA 185 NC @ 10 V ± 20V 6300 pf @ 25 V - 600W (TC)
IXGT20N100 IXYS Ixgt20n100 -
RFQ
 ECAD 4755 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixgt20 Standard 150 W À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 800V, 20A, 47OHM, 15V Pt 1000 V 40 A 80 A 3V @ 15V, 20A 3,5MJ (off) 73 NC 30ns / 350ns
IXFN200N10P IXYS Ixfn200n10p 28.9600
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Boîte Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn200 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 100 V 200A (TC) 10V 7,5 mohm @ 500mA, 10v 5V @ 8mA 235 NC @ 10 V ± 20V 7600 PF @ 25 V - 680W (TC)
IXXP50N60B3 IXYS Ixxp50n60b3 7.6221
RFQ
 ECAD 2664 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixxp50 Standard 600 W À 220-3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 360v, 36a, 5hm, 15v 40 ns - 600 V 120 A 200 A 1,8 V @ 15V, 36A 670 µJ (ON), 1,2MJ (OFF) 70 NC 27NS / 150NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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