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Transistors (3903)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXTQ86N25T IXYS IXTQ86N25T 6.4897
RFQ
 ECAD 4483 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq86 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTQ86N25T EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 86a (TC) 10V 37MOHM @ 43A, 10V 5V @ 1MA 105 NC @ 10 V ± 30V 5330 pf @ 25 V - 540W (TA)
IXTA32P20T-TRL IXYS Ixta32p20t-trl 5.9855
RFQ
 ECAD 3659 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta32 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA32P20T-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 200 V 32A (TC) 10V 130mohm @ 16a, 10v 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ± 15V 14500 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXTA20N65X-TRL IXYS Ixta20n65x-trl 6.0096
RFQ
 ECAD 8605 0,00000000 Ixys Ultra x Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta20 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA20N65X-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 650 V 20A (TC) 10V 210MOHM @ 10A, 10V 5,5 V @ 250µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1390 pf @ 25 V - 320W (TC)
IXFA12N50P-TRL IXYS Ixfa12n50p-trl 2.6990
RFQ
 ECAD 6761 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa12 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFA12N50P-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 500 V 12A (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10v 5,5 V @ 1MA 29 NC @ 10 V ± 30V 1830 pf @ 25 V - 200W (TC)
IXTA230N075T2-TRL IXYS IXTA230N075T2-TRL 4.2408
RFQ
 ECAD 7320 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta230 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA230N075T2-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 75 V 230A (TC) 10V 4.2MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 178 NC @ 10 V ± 20V 10500 pf @ 25 V - 480W (TC)
MITA300RF1700PTED IXYS Mita300rf1700pted 129.7314
RFQ
 ECAD 5127 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis E2 Mita300 1390 W Standard E2 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-mita300rf1700pté EAR99 8541.29.0095 28 Hélicoptère Tranché 1700 V 400 A 2,45 V @ 15V, 300A 1,2 mA Oui
IXGT6N170AHV-TRL IXYS Ixgt6n170ahv-trl 12.1676
RFQ
 ECAD 4672 0,00000000 Ixys - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixgt6n170 Standard 75 W À 268HV (ixgt) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 238-IXGT6N170AHV-TLTR EAR99 8541.29.0095 400 850V, 6A, 33OHM, 15V 40 ns - 1700 V 6 A 14 A 7V @ 15V, 3A 590 µJ (ON), 180µJ (OFF) 18,5 NC 46ns / 220ns
IXYP20N65B3D1 IXYS Ixyp20n65b3d1 -
RFQ
 ECAD 3133 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixyp20 Standard 230 W À 220 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXYP20N65B3D1 EAR99 8541.29.0095 50 400V, 20A, 20OHM, 15V 25 ns Pt 650 V 58 A 108 A 2.1V @ 15V, 20A 500 µJ (ON), 450µJ (OFF) 29 NC 12NS / 103NS
IXFA7N80P-TRL IXYS Ixfa7n80p-trl 2.4395
RFQ
 ECAD 7226 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa7n80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFA7N80P-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 800 V 7a (TC) 10V 1,44Ohm @ 3,5a, 10v 5V @ 1MA 32 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 200W (TC)
IXYA50N65C3-TRL IXYS Ixya50n65c3-trl 5.3818
RFQ
 ECAD 5800 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixya50 Standard 600 W À 263aa - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXYA50N65C3-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 400V, 36A, 5hm, 15v 36 ns Pt 650 V 132 A 250 A 2.1V @ 15V, 36A 800 µJ (ON), 470µJ (OFF) 86 NC 20ns / 90ns
IXYH30N65B3D1 IXYS IXYH30N65B3D1 -
RFQ
 ECAD 9822 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixyh30 Standard 270 W À 247 (ixyh) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXYH30N65B3D1 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30A, 10OHM, 15V 38 ns Pt 650 V 70 A 160 A 2.1V @ 15V, 30A 830 µJ (ON), 640µJ (OFF) 45 NC 17ns / 87ns
IXTA75N10P-TRL IXYS Ixta75n10p-trl 3.2181
RFQ
 ECAD 3504 0,00000000 Ixys Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta75 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA75N10P-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 100 V 75A (TC) 10V 25MOHM @ 37,5A, 10V 5,5 V @ 250µA 74 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 360W (TC)
MCB60P1200TLB-TRR IXYS MCB60P1200TLB-TRR -
RFQ
 ECAD 6082 0,00000000 Ixys - Ruban Adhésif (tr) Actif - Support de surface 9 Powersmd MCB60P1200 Carbure de silicium (sic) - 9-SMPD-B - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MCB60P1200TLB-TRRTR EAR99 8541.29.0095 200 4 N-Canal (Demi-pont) 1200V (1,2 kV) - - - - - -
MCB40P1200LB-TRR IXYS MCB40P1200LB-TRR -
RFQ
 ECAD 9128 0,00000000 Ixys - Ruban Adhésif (tr) Actif - Support de surface 9 Powersmd MCB40P1200 Carbure de silicium (sic) - 9-SMPD-B télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MCB40p1200lb-trrtr EAR99 8541.29.0095 200 2 Canaux N (double) couronne source 1200V (1,2 kV) 58a - - - - -
IXXH110N65B4 IXYS IXXH110N65B4 14.2433
RFQ
 ECAD 4805 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixxh110 Standard 880 W À 247 (ixth) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXXH110N65B4 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 55A, 2OHM, 15V 40 ns Pt 650 V 250 A 570 A 2.1V @ 15V, 110A 2,2MJ (ON), 1 05MJ (OFF) 183 NC 26NS / 146NS
IXYH20N65C3D1 IXYS IXYH20N65C3D1 6.9113
RFQ
 ECAD 6805 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixyh20 Standard 230 W À 247 (ixyh) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXYH20N65C3D1 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 20OHM, 15V 34 ns Pt 650 V 50 a 105 A 2,5 V @ 15V, 20A 430 µJ (ON), 350µJ (OFF) 30 NC 19ns / 80ns
MMIX1Y82N120C3H1 IXYS MMIX1Y82N120C3H1 45.9840
RFQ
 ECAD 9694 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 24 Powersmd, 21 pistes Mmix1y82 Standard 320 W 24-SMPD - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MMIX1Y82N120C3H1 EAR99 8541.29.0095 20 600V, 80A, 2OHM, 15V 78 ns Pt 1200 V 78 A 320 A 3,4 V @ 15V, 82A 4,95mJ (on), 2 78MJ (off) 215 NC 29NS / 192NS
MIXG450PF1700TSF IXYS Mixg450pf1700tsf 225.2033
RFQ
 ECAD 9177 0,00000000 Ixys - Boîte Actif - Soutenir de châssis Simbus f Mixg450 Standard Simbus f - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-mixg450pf1700tsf 3 Célibataire Pt - Non
MIXG300PF1700TSF IXYS Mixg300pf1700tsf 200.1933
RFQ
 ECAD 4281 0,00000000 Ixys - Boîte Actif - Soutenir de châssis Simbus f Mixg300 Standard Simbus f - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-mixg300pf1700tsf 3 Célibataire Pt - Non
IXFH240N15X3 IXYS IXFH240N15X3 18.6923
RFQ
 ECAD 9265 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH240 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFH240N15X3 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 150 V 240a (TC) 10V 5.4MOHM @ 120A, 10V 4,5 V @ 4mA 150 NC @ 10 V ± 20V 9580 PF @ 25 V - 780W (TC)
IXYK120N120B3 IXYS IXYK120N120B3 30.9676
RFQ
 ECAD 8704 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixyk120 Standard 1500 W À 264 (ixyk) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXYK120N120B3 EAR99 8541.29.0095 25 960V, 100A, 1OHM, 15V 54 ns Pt 1200 V 320 A 800 A 2.2 V @ 15V, 100A 9.7MJ (ON), 21,5MJ (off) 400 NC 30ns / 340ns
IXA20I1200PZ-TRL IXYS IXA20I1200PZ-TRL 3.7616
RFQ
 ECAD 8050 0,00000000 Ixys Xpt ™ Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IXA20I1200 Standard 165 W À 263HV - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXA20I1200PZ-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 600V, 15A, 56OHM, 15V Pt 1200 V 38 A 2.1V @ 15V, 15A 1,6mj (on), 1,7mj (off) 47 NC 48ns / 230ns
MIXG240W1200PTEH IXYS Mixg240w1200pteh 227.7113
RFQ
 ECAD 6637 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module Mixg240 938 W Standard E3 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-mixg240w1200pteh EAR99 8541.29.0095 24 Onduleur Triphasé - 1200 V 312 A 2V @ 15V, 200A 150 µA Oui 10.6 NF @ 100 V
IXTY1N80P-TRL IXYS Ixty1n80p-trl 1.3298
RFQ
 ECAD 7098 0,00000000 Ixys Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty1 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTY1N80P-TLTR EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 800 V 1A (TC) 10V 14OHM @ 500mA, 10V 4V @ 50µA 9 NC @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 42W (TC)
IXG100IF1200HF IXYS IXG100IF1200HF 23.3630
RFQ
 ECAD 8103 0,00000000 Ixys X2pt ™ Tube Actif Par le trou Variante à 247-3 Ixg100 Standard Plus247 ™ -3 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXG100IF1200HF 0000.00.0000 30 - Pt 1200 V 140 a - - -
MIXG360RF1200P-PC IXYS Mixg360rf1200p-pc 98.4107
RFQ
 ECAD 9811 0,00000000 Ixys - Boîte Actif - - - Mixg360 - - télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 28 - - -
IXTA110N055T2-TRL IXYS IXTA110N055T2-TRL 1.8685
RFQ
 ECAD 1372 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta110 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA110N055T2-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 55 V 110a (TC) 10V 6,6MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 V ± 20V 3060 PF @ 25 V - 180W (TC)
IXTP76N25TM IXYS Ixtp76n25tm 3.9398
RFQ
 ECAD 5291 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Ixtp76 MOSFET (Oxyde Métallique) Onglet isolé à 220 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTP76N25TM EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 250 V 76a (TC) 10V 44MOHM @ 38A, 10V 5V @ 250µA 92 NC @ 10 V ± 20V 4920 PF @ 25 V - 460W (TC)
IXTA6N100D2-TRL IXYS Ixta6n100d2-trl 5.2825
RFQ
 ECAD 1953 0,00000000 Ixys Épuisement Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta6 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA6N100D2-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 1000 V 6A (TJ) 0v 2.2OHM @ 3A, 0V 4,5 V @ 250µA 95 NC @ 5 V ± 20V 2650 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 300W (TC)
IXFA22N65X2-TRL IXYS Ixfa22n65x2-trl 5.8800
RFQ
 ECAD 1742 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x2 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa22 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXFA22N65X2-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 650 V 22A (TC) 10V 145MOHM @ 11A, 10V 5V @ 1,5mA 37 NC @ 10 V ± 30V 2190 PF @ 25 V - 390W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

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