SIC
close

Transistors (3903)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXTQ52P10P IXYS Ixtq52p10p 7.5500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Ixys Polarp ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq52 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal p 100 V 52A (TC) 10V 50MOHM @ 52A, 10V 4,5 V @ 250µA 60 NC @ 10 V ± 20V 2845 PF @ 25 V - 300W (TC)
IXTH32N65X IXYS Ixth32n65x 7.1147
RFQ
 ECAD 9871 0,00000000 Ixys Ultra x Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth32 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 32A (TC) 10V 135MOHM @ 16A, 10V 5,5 V @ 250µA 54 NC @ 10 V ± 30V 2205 PF @ 25 V - 500W (TC)
IXFR20N80Q IXYS IXFR20N80Q -
RFQ
 ECAD 8414 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète Ixfr20 - 1 (illimité) OBSOLÈTE 0000.00.0000 30 -
GMM3X60-015X2-SMDSAM IXYS GMM3X60-015X2-SMDSAM -
RFQ
 ECAD 9672 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface Isoplus-Dil ™ Gmm3x60 MOSFET (Oxyde Métallique) - Isoplus-Dil ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 6 Canaux N (phases Pont 3) 150V 50A 24MOHM @ 38A, 10V 4,5 V @ 1MA 97nc @ 10v 5800pf @ 25v -
IXGR40N120B2D1 IXYS IXGR40N120B2D1 -
RFQ
 ECAD 9932 0,00000000 Ixys - Tube Actif - Par le trou À 247-3 Ixgr40 Standard Isoplus247 ™ - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 - - 1200 V - - -
IXTH72N20T IXYS Ixth72n20t -
RFQ
 ECAD 6402 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif - Par le trou À 247-3 Ixth72 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 72A (TC) - - - -
IXTY01N100D-TRL IXYS Ixty01n100d-trl 3.3100
RFQ
 ECAD 4465 0,00000000 Ixys Épuisement Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty01 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 1000 V 400mA (TC) 0v 80ohm @ 50mA, 0v 4,5 V @ 25µa 5,8 NC @ 5 V ± 20V 100 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 1.1W (TA), 25W (TC)
IXGA42N30C3 IXYS Ixga42n30c3 -
RFQ
 ECAD 9863 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixga42 Standard 223 W À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 200v, 21a, 10hm, 15v Pt 300 V 250 A 1,85 V @ 15V, 42A 120 µJ (ON), 150µJ (OFF) 76 NC 21NS / 113NS
IXFH28N60P3 IXYS IXFH28N60P3 7.5200
RFQ
 ECAD 238 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXFH28 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247ad (ixfh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 28a (TC) 10V 260MOHM @ 14A, 10V 5V @ 2,5mA 50 NC @ 10 V ± 30V 3560 pf @ 25 V - 695W (TC)
IXTQ100N25P IXYS Ixtq100n25p 12.0200
RFQ
 ECAD 49 0,00000000 Ixys Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq100 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 100A (TC) 10V 24MOHM @ 50A, 10V 5V @ 250µA 185 NC @ 10 V ± 20V 6300 pf @ 25 V - 600W (TC)
IXFB30N120P IXYS IXFB30N120P 48.9200
RFQ
 ECAD 3182 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfb30 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus264 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 1200 V 30a (TC) 10V 350mohm @ 500mA, 10V 6,5 V @ 1MA 310 NC @ 10 V ± 20V 22500 pf @ 25 V - 1250W (TC)
IXTH140P05T IXYS Ixth140p05t 10.2500
RFQ
 ECAD 120 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth140 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal p 50 V 140a (TC) 10V 9MOHM @ 70A, 10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ± 15V 13500 pf @ 25 V - 298W (TC)
IXTT6N120 IXYS Ixtt6n120 13.2300
RFQ
 ECAD 275 0,00000000 Ixys - Boîte Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt6 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1200 V 6A (TC) 10V 2,6 ohm @ 3a, 10v 5V @ 250µA 56 NC @ 10 V ± 20V 1950 PF @ 25 V - 300W (TC)
IXST15N120BD1 IXYS IXST15N120BD1 -
RFQ
 ECAD 1822 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixst15 Standard 150 W À 268aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 960V, 15A, 10OHM, 15V 30 ns Pt 1200 V 30 A 60 a 3,4 V @ 15V, 15A 1,5 MJ (off) 57 NC 30ns / 148ns
IXFA14N60P-TRL IXYS Ixfa14n60p-trl 3.2699
RFQ
 ECAD 8870 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa14 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXFA14N60P-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 600 V 14A (TC) 10V 550mohm @ 7a, 10v 5,5 V @ 2,5mA 36 NC @ 10 V ± 30V 2500 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFT30N60Q IXYS IXFT30N60Q -
RFQ
 ECAD 7009 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Q CLASSE Boîte Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 30a (TC) 10V 230mohm @ 500mA, 10V 4,5 V @ 4mA 125 NC @ 10 V ± 20V 4700 PF @ 25 V - 500W (TC)
IXYH20N120C3D1 IXYS IXYH20N120C3D1 13.0900
RFQ
 ECAD 8185 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixyh20 Standard 230 W À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 600V, 20A, 10OHM, 15V 195 ns - 1200 V 36 A 88 A 3,4 V @ 15V, 20A 1,3MJ (ON), 500 µJ (OFF) 53 NC 20ns / 90ns
IXFB50N80Q2 IXYS IXFB50N80Q2 -
RFQ
 ECAD 9303 0,00000000 Ixys HiperFet ™, CLASSE Q2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfb50 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus264 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 800 V 50A (TC) 10V 160MOHM @ 500mA, 10V 5,5 V @ 8mA 260 NC @ 10 V ± 30V 7200 pf @ 25 V - 1135W (TC)
IXXH75N60B3 IXYS Ixxh75n60b3 11.8227
RFQ
 ECAD 8921 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixxh75 Standard 750 W À 247ad (ixxh) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXXH75N60B3 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 5OHM, 15V 75 ns Pt 600 V 160 A 300 A 1,85 V @ 15V, 60A 1,7mj (on), 1,5mj (off) 107 NC 35ns / 118ns
IXA20I1200PZ-TUB IXYS Ixa20i1200pz-tub 4.8668
RFQ
 ECAD 5782 0,00000000 Ixys Xpt ™ Tube Actif Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IXA20I1200 Standard 165 W À 263HV - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXA20I1200pz-tub EAR99 8541.29.0095 50 600V, 15A, 56OHM, 15V Pt 1200 V 38 A 2.1V @ 15V, 15A 1,6mj (on), 1,7mj (off) 47 NC 48ns / 230ns
IXTQ80N28T IXYS IXTQ80N28T -
RFQ
 ECAD 5352 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq80 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 280 V 80A (TC) 10V 49MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 1MA 115 NC @ 10 V ± 30V 5000 pf @ 25 V - 500W (TC)
IXFN24N100F IXYS Ixfn24n100f -
RFQ
 ECAD 1936 0,00000000 Ixys Hiperrf ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn24 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 1000 V 24a (TC) 10V 390MOHM @ 12A, 10V 5,5 V @ 8mA 195 NC @ 10 V ± 20V 6600 pf @ 25 V - 600W (TC)
IXTX240N075L2 IXYS Ixtx240n075l2 37.2000
RFQ
 ECAD 239 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixtx240 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 75 V 240a (TC) 10V 7MOHM @ 120A, 10V 4,5 V @ 3MA 546 NC @ 10 V ± 20V 19000 pf @ 25 V - 960W (TC)
IXGA12N60C IXYS Ixga12n60c -
RFQ
 ECAD 5984 0,00000000 Ixys Hiperfast ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixga12 Standard 100 W À 263aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 480V, 12A, 18OHM, 15V - 600 V 24 A 48 A 2,7 V @ 15V, 12A 90 µJ (off) 32 NC 20ns / 60ns
IXSH20N60B2D1 IXYS IXSH20N60B2D1 -
RFQ
 ECAD 8661 0,00000000 Ixys - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixsh20 Standard 190 W À 247ad télécharger Non applicable Atteindre non affecté IXSH20N60B2D1-NDR EAR99 8541.29.0095 30 480v, 16a, 10 ohms, 15v 30 ns Pt 600 V 35 A 60 a 2,5 V @ 15V, 16A 380 µJ (off) 33 NC 30ns / 116ns
IXFL55N50 IXYS Ixfl55n50 -
RFQ
 ECAD 9260 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète - Par le trou À 264-3, à 264aa Ixfl55 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus264 ™ - 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 500 V 55A (TC) - - - -
IXGK75N250 IXYS IXGK75N250 116.4100
RFQ
 ECAD 2171 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixgk75 Standard 780 W À 264 (ixgk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 - NPT 2500 V 170 A 530 A 3.6V @ 15V, 150A - 410 NC -
IXGH25N120A IXYS IXGH25N120A -
RFQ
 ECAD 5100 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IXGH25 Standard 200 W À 247ad télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 960V, 25A, 33OHM, 15V - 1200 V 50 a 100 A 4V @ 15V, 25A 11mj (off) 130 NC 100ns / 650ns
MIAA10WF600TMH IXYS MIAA10WF600TMH -
RFQ
 ECAD 4740 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Soutenir de châssis Minipack2 MIAA10W 70 W Redredeur de pont en trois phases Minipack2 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 20 Onduleur Triphasé NPT 600 V 18 a 2.6V @ 15V, 10A 600 µA Oui 450 pf @ 25 V
FIO50-12BD IXYS Fio50-12bd -
RFQ
 ECAD 3539 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou I4-Pac ™ -5 Fio50 Standard 200 W ISOPLUS I4-PAC ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 24 600V, 30A, 39OHM, 15V 150 ns NPT 1200 V 50 a 2,6 V @ 15V, 30A 4,6mj (on), 2,2mj (off) 150 NC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

Liste RFQ (0 éléments)
Liste des paniers (0 articles)
WishlistWishList (0 éléments)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

Quantité: 1

Comparez la liste (0 éléments)
Appuyez sur Entrée pour rechercher ou ESC pour fermer