SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXTA1N100P-TRL IXYS Ixta1n100p-trl 1.7238
RFQ
ECAD 5248 0,00000000 Ixys Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta1 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA1N100P-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 1000 V 1A (TC) 10V 15OHM @ 500mA, 10V 4,5 V @ 50µA 15,5 NC @ 10 V ± 20V 331 PF @ 25 V - 50W (TC)
IXTA32P05T-TRL IXYS Ixta32p05t-trl 1.7646
RFQ
ECAD 6930 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta32 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA32P05T-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 50 V 32A (TC) 10V 39MOHM @ 16A, 10V 4,5 V @ 250µA 46 NC @ 10 V ± 15V 1975 PF @ 25 V - 83W (TC)
IXTA4N70X2 IXYS Ixta4n70x2 3.0778
RFQ
ECAD 4686 0,00000000 Ixys Ultra x2 Tube Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta4 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA4N70X2 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 700 V 4A (TC) 10V 850MOHM @ 2A, 10V 4,5 V @ 250µA 11,8 NC @ 10 V ± 30V 386 PF @ 25 V - 80W (TC)
IXTY2N100P-TRL IXYS Ixty2n100p-trl 1.7259
RFQ
ECAD 3191 0,00000000 Ixys Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty2 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTY2N100P-TLTR EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 1000 V 2A (TC) 10V 7,5 ohm @ 1a, 10v 4,5 V @ 100µA 24.3 NC @ 10 V ± 20V 655 pf @ 25 V - 86W (TC)
IXTT6N120-TRL IXYS Ixtt6n120-trl 9.7655
RFQ
ECAD 5996 0,00000000 Ixys - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt6 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTT6N120-TLTR EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 1200 V 6A (TC) 10V 2,6 ohm @ 3a, 10v 5V @ 250µA 56 NC @ 10 V ± 20V 1950 PF @ 25 V - 300W (TC)
IXTH44N25L2 IXYS Ixth44n25l2 31.5380
RFQ
ECAD 7656 0,00000000 Ixys L2 ™ Lineaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth44 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTH44N25L2 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 44a (TC) 10V 75MOHM @ 22A, 10V 4,5 V @ 250µA 256 NC @ 10 V ± 20V 5740 pf @ 25 V - 400W (TC)
MIXG330PF1200PTSF IXYS Mixg330pf1200ptsf 157.0608
RFQ
ECAD 8621 0,00000000 Ixys - Boîte Actif - - - Mixg330 - - - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-mixg330pf1200ptsf 24 - - -
IXTT11P50-TRL IXYS Ixtt11p50-trl 9.1355
RFQ
ECAD 8889 0,00000000 Ixys - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt11 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-ixtt11p50-trltr EAR99 8541.29.0095 400 Canal p 500 V 11a (TC) 10V 750mohm @ 5.5a, 10v 5V @ 250µA 130 NC @ 10 V ± 20V 4700 PF @ 25 V - 300W (TC)
IXTQ32P20T IXYS Ixtq32p20t 6.0893
RFQ
ECAD 1972 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq32 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTQ32P20T EAR99 8541.29.0095 30 Canal p 200 V 32A (TC) 10V 130mohm @ 16a, 10v 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ± 15V 14500 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXTA380N036T4-7-TR IXYS IXTA380N036T4-7-TR 4.2820
RFQ
ECAD 7461 0,00000000 Ixys Tranché Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) Ixta380 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263-7 (ixta) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA380N036T4-7-TR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 36 V 380A (TC) 10V 1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 V ± 15V 13400 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXFT80N65X2HV-TRL IXYS Ixft80n65x2hv-trl 11.8738
RFQ
ECAD 7815 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x2 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixft80 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268HV (ixft) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 238-IXFT80N65X2HV-TLTR EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 650 V 80A (TC) 10V 38MOHM @ 40A, 10V 5V @ 4mA 140 NC @ 10 V ± 30V 8300 pf @ 25 V - 890W (TC)
IXTA08N120P-TRL IXYS Ixta08n120p-trl 2.5952
RFQ
ECAD 1599 0,00000000 Ixys Polaire Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta08 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d2pak) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXTA08N120P-TLTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 1200 V 800mA (TC) 10V 25OHM @ 400mA, 10V 4,5 V @ 50µA 14 NC @ 10 V ± 20V 333 PF @ 25 V - 50W (TC)
IXGT72N60A3-TRL IXYS Ixgt72n60a3-trl 8.7981
RFQ
ECAD 4357 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixgt72 Standard 540 W À 268 - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXGT72N60A3-TRLTR EAR99 8541.29.0095 400 480V, 50A, 3OHM, 15V 34 ns Pt 600 V 75 A 400 A 1,35 V @ 15V, 60A 1,38mJ (on), 3,5mJ (off) 230 NC 31NS / 320NS
MIXG120W1200PTEH IXYS Mixg120w1200pteh 154.9675
RFQ
ECAD 6401 0,00000000 Ixys - Boîte Actif - - - Mixg120 - - - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-mixg120w1200pteh 24 - - -
IXG70IF1200NA IXYS IXG70IF1200NA 25.1170
RFQ
ECAD 5432 0,00000000 Ixys X2pt ™, xpt ™ Tube Actif - Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc IXG70IF1200 Standard SOT-227B - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXG70IF1200NA 0000.00.0000 10 - Pt 1200 V 130 A - -
IXYK30N170CV1 IXYS IXYK30N170CV1 27.4088
RFQ
ECAD 7667 0,00000000 Ixys Xpt ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Ixyk30 Standard 937 W À 264 (ixyk) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-IXYK30N170CV1 EAR99 8541.29.0095 25 850V, 30A, 2,7 ohms, 15v 33 ns Pt 1700 V 100 A 250 A 4V @ 15V, 30A 3,6mj (on), 1,8mj (off) 150 NC 16NS / 143NS
IXXH50N60B3 IXYS Ixxh50n60b3 8.8916
RFQ
ECAD 1530 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif - Par le trou À 247-3 Ixxh50 Standard 600 W À 247ad (ixxh) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 360v, 36a, 5hm, 15v Pt 600 V 120 A 200 A 1,8 V @ 15V, 36A 670 µJ (ON), 740µJ (OFF) 70 NC 27NS / 100NS
IXFA5N100P IXYS Ixfa5n100p 4.0491
RFQ
ECAD 2945 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IXFA5N100 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa (ixfa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 1000 V 5A (TC) 10V 2,8 ohm @ 2,5a, 10v 6V @ 250µA 33,4 NC @ 10 V ± 30V 1830 pf @ 25 V - 250W (TC)
IXGQ50N60B4D1 IXYS IXGQ50N60B4D1 -
RFQ
ECAD 7944 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Ixgq50 Standard 300 W To-3p télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 36a, 10 ohms, 15v 25 ns Pt 600 V 100 A 230 A 1,8 V @ 15V, 36A 930 µJ (ON), 1MJ (OFF) 110 NC 37ns / 330ns
IXGR55N120A3H1 IXYS IXGR55N120A3H1 15.9793
RFQ
ECAD 1639 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixgr55 Standard 200 W Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 960V, 55A, 3OHM, 15V 200 ns Pt 1200 V 70 A 330 A 2,35 V @ 15V, 55A 5.1mj (on), 13,3mj (off) 185 NC 23ns / 365ns
IXTN210P10T IXYS Ixtn210p10t 52.2500
RFQ
ECAD 138 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixtn210 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal p 100 V 210A (TC) 10V 7,5 mohm @ 105a, 10v 4,5 V @ 250µA 740 NC @ 10 V ± 15V 69500 pf @ 25 V - 830W (TC)
IXTR210P10T IXYS Ixtr210p10t 30.4840
RFQ
ECAD 5770 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixtr210 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal p 100 V 195a (TC) 10V 8MOHM @ 105A, 10V 4,5 V @ 250µA 740 NC @ 10 V ± 15V 69500 pf @ 25 V - 595W (TC)
IXTT12N150 IXYS Ixtt12n150 17.0700
RFQ
ECAD 2069 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt12 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1500 V 12A (TC) 10V 2OHM @ 6A, 10V 4,5 V @ 250µA 106 NC @ 10 V ± 30V 3720 PF @ 25 V - 890W (TC)
IXTT440N055T2 IXYS Ixtt440n055t2 15.4300
RFQ
ECAD 2791 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixtt440 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXTT440N055T2 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 55 V 440a (TC) 10V 1,8MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 405 NC @ 10 V ± 20V 25000 pf @ 25 V - 1000W (TC)
IXBN75N170 IXYS IXBN75N170 94.5350
RFQ
ECAD 7777 0,00000000 Ixys Bimosfet ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixbn75 625 W Standard SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Célibataire - 1700 V 145 A 3.1V @ 15V, 75A 25 µA Non 6,93 nf @ 25 V
IXGX72N60A3H1 IXYS Ixgx72n60a3h1 -
RFQ
ECAD 2382 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixgx72 Standard 540 W Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 480V, 50A, 3OHM, 15V 140 ns Pt 600 V 75 A 400 A 1,35 V @ 15V, 60A 1,4mj (on), 3,5mj (off) 230 NC 31NS / 320NS
MMIX1F360N15T2 IXYS MMIX1F360N15T2 46.8120
RFQ
ECAD 6350 0,00000000 Ixys Gigamos ™, Trencht2 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 24 Powersmd, 21 pistes MMIX1F360 MOSFET (Oxyde Métallique) 24-SMPD télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 Canal n 150 V 235a (TC) 10V 4.4MOHM @ 100A, 10V 5V @ 8mA 715 NC @ 10 V ± 20V 47500 PF @ 25 V - 680W (TC)
IXGF20N300 IXYS IXGF20N300 52.7600
RFQ
ECAD 9677 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou I4-Pac ™ -5 (3 leads) Ixgf20 Standard 100 W ISOPLUS I4-PAC ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 - - 3000 V 22 A 103 A 3.2V @ 15V, 20A - 31 NC -
IXGT2N250 IXYS Ixgt2n250 68.3600
RFQ
ECAD 20 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa Ixgt2 Standard 32 W À 268aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 - - 2500 V 5.5 A 13.5 A 3.1V @ 15V, 2A - 10,5 NC -
IXYH40N120B3D1 IXYS IXYH40N120B3D1 11.2500
RFQ
ECAD 7721 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixyh40 Standard 480 W À 247 (ixyh) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 600v, 40a, 10hm, 15v 100 ns - 1200 V 86 A 180 A 2,9 V @ 15V, 40A 2,7mj (on), 1,6mj (off) 87 NC 22NS / 177NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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