SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des émettes de collection (max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXFN39N90 IXYS Ixfn39n90 50.9820
RFQ
ECAD 7425 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixfn39 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 10 Canal n 900 V 39a (TC) 10V 220mohm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 390 NC @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 25 V - 694W (TC)
IXTP2N100 IXYS Ixtp2n100 3.9808
RFQ
ECAD 2491 0,00000000 Ixys - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp2 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 1000 V 2A (TC) 10V 7OHM @ 1A, 10V 4,5 V @ 250µA 40 NC @ 10 V ± 20V 825 pf @ 25 V - 100W (TC)
IXYN140N120A4 IXYS Ixyn140n120a4 50.2600
RFQ
ECAD 3867 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Ixyn140 1070 W Standard SOT-227B télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXYN140N120A4 EAR99 8541.29.0095 10 Célibataire Pt 1200 V 380 A 1,7 V @ 15V, 140A 25 µA Non 8.3 NF @ 25 V
IXFT170N25X3HV IXYS IXFT170N25X3HV 20.6100
RFQ
ECAD 70 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa IXFT170 MOSFET (Oxyde Métallique) À 268HV (ixft) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 170a (TC) 10V 7,4MOHM @ 85A, 10V 4,5 V @ 4mA 190 NC @ 10 V ± 20V 13500 pf @ 25 V - 960W (TC)
MMPA60P1000TLA IXYS MMPA60P1000TLA -
RFQ
ECAD 9016 0,00000000 Ixys MMPA60P1000TLA Boîte Obsolète - Soutenir de châssis Y3-li MMPA60 MOSFET (Oxyde Métallique) - Y3-li - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-MMPA60P1000TLA EAR99 8541.29.0095 2 2 n canal (phase de la jambe de) 1000v (1kV) - - - - - -
FMD47-06KC5 IXYS FMD47-06KC5 29.1792
RFQ
ECAD 2801 0,00000000 Ixys CoolMos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Isoplusi5-pak ™ FMD47 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS I4-PAC ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 47a (TC) 10V 45MOHM @ 44A, 10V 3,5 V @ 3MA 190 NC @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 100 V - -
IXFX150N30P3 IXYS IXFX150N30P3 21.5700
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar3 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx150 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXFX150N30P3 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 300 V 150a (TC) 10V 19MOHM @ 75A, 10V 5V @ 8mA 197 NC @ 10 V ± 20V 12100 pf @ 25 V - 1300W (TC)
IXTX90P20P IXYS Ixtx90p20p 21.2100
RFQ
ECAD 9263 0,00000000 Ixys Polarp ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixtx90 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 620108 EAR99 8541.29.0095 30 Canal p 200 V 90a (TC) 10V 44MOHM @ 22A, 10V 4V @ 1MA 205 NC @ 10 V ± 20V 12000 pf @ 25 V - 890W (TC)
IXXX140N65B4H1 IXYS IXXX140N65B4H1 19.3227
RFQ
ECAD 4582 0,00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixxx140 Standard 1200 W Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 100A, 4,7 ohms, 15v 105 ns - 650 V 340 A 840 A 1,9 V @ 15V, 120A 5 75MJ (ON), 2 67MJ (OFF) 250 NC 54NS / 270NS
IXXH75N60B3D1 IXYS IXXH75N60B3D1 13.7800
RFQ
ECAD 5118 0,00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tube Actif - Par le trou À 247-3 Ixxh75 Standard 750 W À 247ad (ixxh) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60A, 5OHM, 15V 25 ns Pt 600 V 160 A 300 A 1,85 V @ 15V, 60A 1,7mj (on), 1,5mj (off) 107 NC 35ns / 118ns
MIXG240W1200PZ-PC IXYS Mixg240w1200pz-pc 248.8071
RFQ
ECAD 9775 0,00000000 Ixys - Boîte Actif - - - Mixg240 - - - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 238-mixg240w1200pz-pc 24 - - -
IXTC280N055T IXYS IXTC280N055T -
RFQ
ECAD 7928 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou ISOPLUS220 ™ Ixtc280 MOSFET (Oxyde Métallique) ISOPLUS220 ™ télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 55 V 145a (TC) 10V 3,6MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ± 20V 9800 pf @ 25 V - 160W (TC)
IXFX100N65X2 IXYS Ixfx100n65x2 19.3700
RFQ
ECAD 77 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou Variante à 247-3 Ixfx100 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus247 ™ -3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 100A (TC) 10V 30mohm @ 50a, 10v 5,5 V @ 4mA 180 NC @ 10 V ± 30V 11300 pf @ 25 V - 1040W (TC)
IXFR13N50 IXYS IXFR13N50 -
RFQ
ECAD 7610 0,00000000 Ixys - Tube Actif - Par le trou À 247-3 Ixfr13 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 500 V 13A (TC) - - - -
IXFK200N10P IXYS Ixfk200n10p 16.4500
RFQ
ECAD 1595 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Boîte Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa IXFK200 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 100 V 200A (TC) 10V 7,5 mohm @ 100a, 10v 5V @ 8mA 235 NC @ 10 V ± 20V 7600 PF @ 25 V - 830W (TC)
IXFR140N20P IXYS IXFR140N20P 18.9800
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Boîte Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixfr140 MOSFET (Oxyde Métallique) Isoplus247 ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 200 V 90a (TC) 10V 22MOHM @ 45A, 10V 5V @ 4mA 240 NC @ 10 V ± 20V 7500 PF @ 25 V - 300W (TC)
IXFA36N20X3 IXYS Ixfa36n20x3 4.9700
RFQ
ECAD 196 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Ultra x3 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa36 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa (ixfa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté -IXFA36N20X3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 200 V 36a (TC) 10V 45MOHM @ 18A, 10V 4,5 V @ 500µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1425 pf @ 25 V - 176W (TC)
IXTH20N65X2 IXYS IXTH20N65X2 6.4000
RFQ
ECAD 267 0,00000000 Ixys Ultra x2 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth20 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 238-IXTH20N65X2 EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 650 V 20A (TC) 10V 185MOHM @ 10A, 10V 4,5 V @ 250µA 27 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 290W (TC)
IXFK180N10 IXYS IXFK180N10 15.8312
RFQ
ECAD 8291 0,00000000 Ixys HiperFet ™ Tube Pas de designs les nouveaux -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa IXFK180 MOSFET (Oxyde Métallique) À 264aa (ixfk) télécharger Rohs3 conforme Non applicable Atteindre non affecté IXFK180N10-NDR EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 100 V 180a (TC) 10V 8MOHM @ 90A, 10V 4V @ 8mA 390 NC @ 10 V ± 20V 10900 pf @ 25 V - 560W (TC)
IXSA20N60B2D1 IXYS IXSA20N60B2D1 -
RFQ
ECAD 9986 0,00000000 Ixys - Boîte Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IXSA20 Standard 190 W À 263aa télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté IXSA20N60B2D1-NDR EAR99 8541.29.0095 50 480v, 16a, 10 ohms, 15v 30 ns Pt 600 V 35 A 60 a 2,5 V @ 15V, 16A 380 µJ (off) 33 NC 30ns / 116ns
IXTA130N15X4 IXYS IXTA130N15X4 11.9100
RFQ
ECAD 596 0,00000000 Ixys Ultra x4 Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixta130 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 150 V 130a (TC) 10V 8MOHM @ 65A, 10V 4,5 V @ 250µA 87 NC @ 10 V ± 20V 4770 pf @ 25 V - 400W (TC)
IXTV280N055TS IXYS Ixtv280n055ts -
RFQ
ECAD 8184 0,00000000 Ixys TRENCHMV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface Plus-220SMD Ixtv280 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus-220SMD télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 55 V 280a (TC) 10V 3,2MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ± 20V 9800 pf @ 25 V - 550W (TC)
IXTY48P05T IXYS Ixty48p05t 4.1800
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Ixys TRENCHP ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Ixty48 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 70 Canal p 50 V 48A (TC) 10V 30 mohm @ 24a, 10v 4,5 V @ 250µA 53 NC @ 10 V ± 15V 3660 PF @ 25 V - 150W (TC)
IXFA6N120P IXYS Ixfa6n120p 10.6300
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polaire Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa6n120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263aa (ixfa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 1200 V 6A (TC) 10V 2,4 ohm @ 500mA, 10V 5V @ 1MA 92 NC @ 10 V ± 30V 2830 pf @ 25 V - 250W (TC)
IXFA14N85XHV IXYS Ixfa14n85xhv 4.7308
RFQ
ECAD 3512 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra x Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Ixfa14 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (ixfa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 850 V 14A (TC) 10V 550mohm @ 500mA, 10v 5,5 V @ 1MA 30 NC @ 10 V ± 30V 1043 PF @ 25 V - 460W (TC)
IXTP160N10T IXYS Ixtp160n10t 5.0500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Ixys Tranché Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp160 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 160a (TC) 10V 7MOHM @ 25A, 10V 4,5 V @ 250µA 132 NC @ 10 V ± 30V 6600 pf @ 25 V - 430W (TC)
IXTP160N085T IXYS Ixtp160n085t -
RFQ
ECAD 3329 0,00000000 Ixys - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Ixtp160 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 85 V 160a (TC) 10V 6MOHM @ 50A, 10V 4V @ 1MA 164 NC @ 10 V ± 20V 6400 PF @ 25 V - 360W (TC)
IXTH6N100D2 IXYS Ixth6n100d2 9.3800
RFQ
ECAD 683 0,00000000 Ixys Épuisement Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Ixth6 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 (ixth) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 1000 V 6A (TC) - 2.2OHM @ 3A, 0V - 95 NC @ 5 V ± 20V 2650 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 300W (TC)
IXFV22N50P IXYS Ixfv22n50p -
RFQ
ECAD 2220 0,00000000 Ixys HiperFet ™, PolarHT ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3, Court de l'onglet Ixfv22 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus220 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 22A (TC) 10V 270MOHM @ 11A, 10V 5,5 V @ 2,5mA 50 NC @ 10 V ± 30V 2630 pf @ 25 V - 350W (TC)
IXTV36N50P IXYS Ixtv36n50p -
RFQ
ECAD 1947 0,00000000 Ixys PolarHV ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3, Court de l'onglet Ixtv36 MOSFET (Oxyde Métallique) Plus220 télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 36a (TC) 10V 170MOHM @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 85 NC @ 10 V ± 30V 5500 pf @ 25 V - 540W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

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