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Transistors (3903)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXFH120N25T	12.9570	RFQ	4685	Ixys	Hiperfet ™, Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXFH120		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		250 V	120A (TC)	10V	23MOHM @ 60A, 10V	5V @ 4mA	180 NC @ 10 V	± 20V	11300 pf @ 25 V	-	890W (TC)
Ixfb82n60p	31.8000	RFQ	300	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfb82		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus264 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25		Canal n		600 V	82A (TC)	10V	75MOHM @ 41A, 10V	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	± 30V	23000 pf @ 25 V	-	1250W (TC)
Ixgp50n33tbm-a	-	RFQ	4886	Ixys	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixgp50	Standard		50 W		À 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50			-												Tranché	330 V	30 A		1,6 V @ 15V, 25A	-	42 NC	-
Ixth88n30p	12.5100	RFQ	94	Ixys	Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth88		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		300 V	88A (TC)	10V	40 mohm @ 44a, 10v	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	± 20V	6300 pf @ 25 V	-	600W (TC)
Ixfh22n50p	6.3600	RFQ	75	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfh22		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		500 V	22A (TC)	10V	270MOHM @ 11A, 10V	5,5 V @ 2,5mA	50 NC @ 10 V	± 30V	2630 pf @ 25 V	-	350W (TC)
Ixtv26n50ps	-	RFQ	9942	Ixys	PolarHV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Plus-220SMD	Ixtv26		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus-220SMD	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		500 V	26A (TC)	10V	230MOHM @ 13A, 10V	5,5 V @ 250µA	65 NC @ 10 V	± 30V	3600 pf @ 25 V	-	460W (TC)
Ixfn94n50p2	31.2300	RFQ	2	Ixys	HiperFet ™, Polarp2 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfn94		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXFN94N50P2	EAR99	8541.29.0095	10		Canal n		500 V	68A (TC)	10V	55MOHM @ 500mA, 10V	5V @ 8mA	220 NC @ 10 V	± 30V	13700 pf @ 25 V	-	780W (TC)
Ixa4if1200tc-tub	4.8809	RFQ	2562	Ixys	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	IXA4IF1200	Standard		45 W		À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			600V, 3A, 330OHM, 15V											350 ns	Pt	1200 V	9 A		2.1V @ 15V, 3A	400 µJ (ON), 300µJ (OFF)	12 NC	-
IXTA160N075T7	-	RFQ	9825	Ixys	TRENCHMV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	Ixta160		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263-7 (ixta)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		75 V	160a (TC)	10V	6MOHM @ 25A, 10V	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	± 20V	4950 pf @ 25 V	-	360W (TC)
MWI30-12E6K	-	RFQ	6328	Ixys	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	E1	MWI30			130 W	Standard	E1	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Onduleur Triphasé														-	1200 V	29 A		2,9 V @ 15V, 20A				1 mA	Oui	1.18 NF @ 25 V
VMK165-007T	52.6539	RFQ	3541	Ixys	-	Boîte	Pas de designs les nouveaux	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	À 240aa	VMK165		MOSFET (Oxyde Métallique)	390W		À 240aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	36	2 Canaux N (double)			70V	165a		7MOHM @ 82.5A, 10V	4V @ 8mA	480nc @ 10v		8800pf @ 25v	-
IXFT12N100F	-	RFQ	6556	Ixys	Hiperrf ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixft12		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 268	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		1000 V	12A (TC)	10V	1.05OHM @ 6A, 10V	5,5 V @ 4mA	77 NC @ 10 V	± 20V	2700 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Ixfn48n60p	30.8300	RFQ	5	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfn48		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXFN48N60P	EAR99	8541.29.0095	10		Canal n		600 V	40A (TC)	10V	140 MOHM @ 4A, 10V	5,5 V @ 8mA	150 NC @ 10 V	± 30V	8860 pf @ 25 V	-	625W (TC)
IXFH14N100Q	-	RFQ	3206	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXFH14		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad (ixfh)	-		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		1000 V	14A (TC)	10V	750MOHM @ 7A, 10V	5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	± 20V	4500 pf @ 25 V	-	360W (TC)
IXFP130N10T	3.9572	RFQ	9559	Ixys	Hiperfet ™, Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixfp130		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		100 V	130a (TC)	10V	9.1MOHM @ 25A, 10V	4,5 V @ 1MA	104 NC @ 10 V	± 20V	5080 PF @ 25 V	-	360W (TC)
Ixtt16n50d2	19.6500	RFQ	324	Ixys	Épuisement	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixtt16		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		500 V	16A (TC)	0v	240mohm @ 8a, 0v	-	199 NC @ 5 V	± 20V	5250 pf @ 25 V	Mode d'Épuiment	695W (TC)
Ixfn38n80q2	-	RFQ	1634	Ixys	HiperFet ™, CLASSE Q2	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfn38		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal n		800 V	38A (TC)	10V	220mohm @ 500mA, 10V	4,5 V @ 8mA	190 NC @ 10 V	± 30V	8340 pf @ 25 V	-	735W (TC)
Ixfk24n80p	9.0142	RFQ	3371	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfk24		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264aa (ixfk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25		Canal n		800 V	24a (TC)	10V	400mohm @ 12a, 10v	5V @ 4mA	105 NC @ 10 V	± 30V	7200 pf @ 25 V	-	650W (TC)
Ixfr44n50p	15.3800	RFQ	300	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfr44		MOSFET (Oxyde Métallique)			Isoplus247 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		500 V	24a (TC)	10V	150 mohm @ 22a, 10v	5V @ 4mA	98 NC @ 10 V	± 30V	5440 PF @ 25 V	-	208W (TC)
IXXH110N65C4	11.1300	RFQ	30	Ixys	GenX4 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixxh110	Standard		880 W		À 247ad (ixxh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			400V, 55A, 2OHM, 15V												Pt	650 V	234 A	600 A	2,35 V @ 15V, 110A	2,3MJ (ON), 600 µJ (OFF)	180 NC	35ns / 143ns
Ixta74n15t	-	RFQ	7277	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixta74		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263aa	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		150 V	74a (TC)		-	-				-	-
IXYH10N170C	11.7500	RFQ	1	Ixys	Xpt ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixyh10	Standard		280 W		À 247 (ixyh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			850V, 10A, 10OHM, 15V											17 ns	-	1700 V	36 A	84 A	3,8 V @ 15V, 10A	1,4MJ (ON), 700 µJ (OFF)	46 NC	14NS / 130NS
IXFH15N100P	12.3900	RFQ	48	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IXFH15		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		1000 V	15A (TC)	10V	760MOHM @ 500mA, 10V	6,5 V @ 1MA	97 NC @ 10 V	± 30V	5140 PF @ 25 V	-	543W (TC)
IXYH40N120C3D1	15h0000	RFQ	3	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixyh40	Standard		480 W		À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			600v, 40a, 10hm, 15v											195 ns	-	1200 V	64 A	105 A	4V @ 15V, 40A	3,9MJ (ON), 660µJ (OFF)	85 NC	24 ns / 125ns
IXGX120N60A3	21.1800	RFQ	26	Ixys	Genx3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixgx120	Standard		780 W		Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXGX120N60A3	EAR99	8541.29.0095	30			480V, 100A, 1,5 ohm, 15v												Pt	600 V	200 A	600 A	1,35 V @ 15V, 100A	2,7mj (on), 6,6mj (off)	450 NC	39ns / 295ns
IXTA340N04T4-7	5.0654	RFQ	8533	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	Ixta340		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263-7	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		40 V	340A (TC)	10V	1,7MOHM @ 100A, 10V	4V @ 250µA	256 NC @ 10 V	± 15V	13000 pf @ 25 V	-	480W (TC)
Ixty64n055t	-	RFQ	1132	Ixys	TRENCHMV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ixty64		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	75		Canal n		55 V	64a (TC)	10V	13MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 25µa	37 NC @ 10 V	± 20V	1420 pf @ 25 V	-	130W (TC)
IXGK120N120B3	32.5688	RFQ	3599	Ixys	Genx3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixgk120	Standard		830 W		À 264 (ixgk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			600 V, 100A, 2OHM, 15V												Pt	1200 V	200 A	370 A	3V @ 15V, 100A	5,5mj (on), 5,8mJ (off)	470 NC	36ns / 275ns
IXTH110N10L2	20.1900	RFQ	6908	Ixys	L2 ™ Lineaire	En gros	Actif	-	Par le trou	À 247-3	Ixth110		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		100 V	110a (TC)	10V	18MOHM @ 500mA, 10V	4,5 V @ 250µA	260 NC @ 10 V	± 20V	10500 pf @ 25 V	-	600W (TC)
IXGK72N60A3H1	-	RFQ	7802	Ixys	Genx3 ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixgk72	Standard		540 W		À 264 (ixgk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25			480V, 50A, 3OHM, 15V											140 ns	Pt	600 V	75 A	400 A	1,35 V @ 15V, 60A	1,4mj (on), 3,5mj (off)	230 NC	31NS / 320NS

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