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Transistors (3903)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce
IXTQ180N085T	-	RFQ	9735	Ixys	TRENCHMV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	Ixtq180		MOSFET (Oxyde Métallique)			To-3p	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		85 V	180a (TC)	10V	5,5 mohm @ 25a, 10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	± 20V	7500 PF @ 25 V	-	430W (TC)
IXFB40N110Q3	48.7800	RFQ	20	Ixys	HiperFet ™, CLASSE Q3	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfb40		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus264 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXFB40N110Q3	EAR99	8541.29.0095	25		Canal n		1100 V	40A (TC)	10V	260mohm @ 20a, 10v	6,5 V @ 8mA	300 NC @ 10 V	± 30V	14000 pf @ 25 V	-	1560W (TC)
Ixfe48n50qd3	-	RFQ	5722	Ixys	Hiperfet ™, Épuisement	Tube	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfe48		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal n		500 V	41A (TC)	10V	110MOHM @ 24A, 10V	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	± 20V	8000 pf @ 25 V	-	400W (TC)
Ixgn50n60bd2	-	RFQ	8479	Ixys	Hiperfast ™	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixgn50			250 W	Standard	SOT-227B	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10	Célibataire														-	600 V	75 A		2,5 V @ 15V, 50A				200 µA	Non	4.1 NF @ 25 V
IXFT60N50P3	12.2800	RFQ	10	Ixys	HiperFet ™, Polar3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixft60		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXFT60N50P3	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		500 V	60a (TC)	10V	100MOHM @ 30A, 10V	5V @ 4mA	96 NC @ 10 V	± 30V	6250 pf @ 25 V	-	1040W (TC)
IXFB80N50Q2	26.3288	RFQ	1432	Ixys	HiperFet ™, CLASSE Q2	Tube	Pas de designs les nouveaux	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfb80		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus264 ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25		Canal n		500 V	80A (TC)	10V	60 Mohm @ 500mA, 10V	5,5 V @ 8mA	250 NC @ 10 V	± 30V	15000 pf @ 25 V	-	960W (TC)
IXKH30N60C5	-	RFQ	3240	Ixys	CoolMos ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixkh30		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		600 V	30a (TC)	10V	125MOHM @ 16A, 10V	3,5 V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 10 V	-	-
IXFA130N10T2	5.6500	RFQ	22	Ixys	HiperFet ™, Trencht2 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IXFA130		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263aa (ixfa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		100 V	130a (TC)	10V	9.1MOHM @ 65A, 10V	4,5 V @ 1MA	130 NC @ 10 V	± 20V	6600 pf @ 25 V	-	360W (TC)
IXTH270N04T4	5.0653	RFQ	5744	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth270		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		40 V	270A (TC)	10V	2,4 mohm @ 50a, 10v	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	± 15V	9140 PF @ 25 V	-	375W (TC)
Ixtp2r4n50p	-	RFQ	9346	Ixys	PolarHV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Ixtp2		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		500 V	2.4a (TC)	10V	3 75 ohm @ 500mA, 10V	5,5 V @ 25µa	6.1 NC @ 10 V	± 30V	240 pf @ 25 V	-	55W (TC)
Ixfn40n90p	42.8000	RFQ	1	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfn40		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal n		900 V	33A (TC)	10V	210MOHM @ 20A, 10V	6,5 V @ 1MA	230 NC @ 10 V	± 30V	14000 pf @ 25 V	-	695W (TC)
IXFK100N25	-	RFQ	5892	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixfk100		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264aa (ixfk)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25		Canal n		250 V	100A (TC)	10V	27MOHM @ 50A, 10V	4V @ 8mA	300 NC @ 10 V	± 20V	9100 pf @ 25 V	-	560W (TC)
Ixfa20n85xhv-trl	5.6463	RFQ	5400	Ixys	Hiperfet ™, Ultra x	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixfa20		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263HV	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	238-IXFA20N85XHV-TLTR	EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		850 V	20A (TC)	10V	330MOHM @ 10A, 10V	5,5 V @ 2,5mA	63 NC @ 10 V	± 30V	1660 PF @ 25 V	-	540W (TC)
IXFH4N100Q	-	RFQ	3313	Ixys	HiperFet ™, Q CLASSE	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixfh4		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247ad (ixfh)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		1000 V	4A (TC)	10V	3OHM @ 2A, 10V	5V @ 1,5mA	39 NC @ 10 V	± 20V	1050 pf @ 25 V	-	150W (TC)
IXTH240N055T	-	RFQ	5196	Ixys	TRENCHMV ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth240		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixth)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		55 V	240a (TC)	10V	3,6MOHM @ 25A, 10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	± 20V	7600 PF @ 25 V	-	480W (TC)
Ixth6n120	13.2300	RFQ	6081	Ixys	-	Boîte	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Ixth6		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 (ixth)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		1200 V	6A (TC)	10V	2,6 ohm @ 3a, 10v	5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	± 20V	1950 PF @ 25 V	-	300W (TC)
Ixty2n100p	3.4700	RFQ	3471	Ixys	Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Ixty2		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	70		Canal n		1000 V	2A (TC)	10V	7,5 ohm @ 500mA, 10V	4,5 V @ 100µA	24.3 NC @ 10 V	± 20V	655 pf @ 25 V	-	86W (TC)
IXTX20N150	30.7800	RFQ	4334	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixtx20		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXTX20N150	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		1500 V	20A (TC)	10V	1OHM @ 10A, 10V	4,5 V @ 1MA	215 NC @ 10 V	± 30V	7800 pf @ 25 V	-	1250W (TC)
Ixtx1r4n450hv	71.7900	RFQ	118	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixtx1		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247plus-hv	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	-IXTX1R4N450HV	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		4500 V	1.4A (TC)	10V	40 ohm @ 50mA, 10V	6V @ 250µA	88 NC @ 10 V	± 20V	3300 pf @ 25 V	-	960W (TC)
IXFC60N20	-	RFQ	6846	Ixys	HiperFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	ISOPLUS220 ™	IXFC60N20		MOSFET (Oxyde Métallique)			ISOPLUS220 ™	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		200 V	60a (TC)	10V	33MOHM @ 30A, 10V	4V @ 4mA	155 NC @ 10 V	± 20V	5200 pf @ 25 V	-	230W (TC)
Ixtk200n10p	16.0200	RFQ	9175	Ixys	Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Ixtk200		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 (ixtk)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25		Canal n		100 V	200A (TC)	10V	7,5 mohm @ 100a, 10v	5V @ 500µA	240 NC @ 10 V	± 20V	7600 PF @ 25 V	-	800W (TC)
Ixtt60n10	-	RFQ	2543	Ixys	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixtt60		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		100 V	60a (TC)	10V	20mohm @ 30a, 10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	3200 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Ixfp14n85xm	6.4400	RFQ	40	Ixys	Hiperfet ™, Polaire	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Ixfp14		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		850 V	14A (TC)	10V	550mohm @ 7a, 10v	5,5 V @ 1MA	30 NC @ 10 V	± 30V	1043 PF @ 25 V	-	38W (TC)
Ixxx300n60c3	31.4893	RFQ	7803	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixxx300	Standard		2300 W		Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			400V, 100A, 1OHM, 15V												Pt	600 V	510 A	1075 A	2V @ 15V, 100A	3 35mj (on), 1,9mJ (off)	438 NC	50ns / 160ns
IXYX120N120C3	35.5300	RFQ	320	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixyx120	Standard		1500 W		Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			600V, 100A, 1OHM, 15V												-	1200 V	240 A	700 A	3.2V @ 15V, 120A	6,75mJ (on), 5,1mJ (off)	412 NC	35ns / 176ns
IXFX73N30Q	-	RFQ	3410	Ixys	HiperFet ™, Q CLASSE	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	Ixfx73		MOSFET (Oxyde Métallique)			Plus247 ™ -3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		300 V	73A (TC)	10V	45MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 4mA	195 NC @ 10 V	± 30V	5400 pf @ 25 V	-	500W (TC)
IXFN132N50P3	39.4800	RFQ	5119	Ixys	HiperFet ™, Polar3 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Ixfn132		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10		Canal n		500 V	112A (TC)	10V	39MOHM @ 66A, 10V	5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	± 30V	18600 PF @ 25 V	-	1500W (TC)
IXTA130N10T7	4.3090	RFQ	4521	Ixys	Tranché	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	Ixta130		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263-7 (ixta)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		100 V	130a (TC)	10V	9.1MOHM @ 25A, 10V	4,5 V @ 250µA	104 NC @ 10 V	± 20V	5080 PF @ 25 V	-	360W (TC)
Ixfa72n20x3	8.9400	RFQ	152	Ixys	HiperFet ™, Ultra x3	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Ixfa72		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263aa (ixfa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		200 V	72A (TC)	10V	20 mohm @ 36a, 10v	4,5 V @ 1,5 mA	55 NC @ 10 V	± 20V	3780 pf @ 25 V	-	320W (TC)
IXBT24N170	28.4097	RFQ	6584	Ixys	Bimosfet ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	Ixbt24	Standard		250 W		À 268aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			-											1 06 µs	-	1700 V	60 A	230 A	2,5 V @ 15V, 24A	-	140 NC	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Entrepôt en stock

Transistors (3903)

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30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²