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Transistors (5716)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
SUM90N08-6M2P-E3	-	RFQ	2199	Vishay Siliconix	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sum90	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	75 V	90a (TC)		6,2MOHM @ 20A, 10V	4,5 V @ 250µA	115 NC @ 10 V		4620 PF @ 30 V	-
SI7434ADP-T1-RE3	1 9000	RFQ	9762	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7434	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	250 V	3.7A (TA), 12.3A (TC)	7,5 V, 10V	150 mohm @ 3,7a, 10v	4V @ 250µA	16,5 NC @ 10 V	± 20V	600 pf @ 125 V	-	5W (TA), 54,3W (TC)
Sihp6n80e-be3	2.4400	RFQ	900	Vishay Siliconix	E	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	800 V	5.4a (TC)	10V	940MOHM @ 3A, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	± 30V	827 pf @ 100 V	-	78W (TC)
IRL510L	-	RFQ	5364	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa	IRL510	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 262-3	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	* IRL510L	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	100 V	5.6a (TC)	4V, 5V	540 mOhm @ 3,4a, 5v	2V à 250µA	6.1 NC @ 5 V	± 10V	250 pf @ 25 V	-	-
SI8402DB-T1-E1	-	RFQ	3231	Vishay Siliconix	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	4-XFBGA, CSPBGA	SI8402	MOSFET (Oxyde Métallique)		4 Microfoot	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	20 V	5.3A (TA)		37MOHM @ 1A, 4,5 V	1V @ 250µA	26 NC @ 4,5 V			-
Irf614strr	-	RFQ	4962	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF614	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	250 V	2.7A (TC)	10V	2OHM @ 1.6A, 10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	± 20V	140 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 36W (TC)
Irf9640pbf	2.0400	RFQ	32	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	IRF9640	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irf9640pbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	200 V	11a (TC)	10V	500MOHM @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	125W (TC)
SI5499DC-T1-GE3	-	RFQ	3336	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 mm, plomb plat	SI5499	MOSFET (Oxyde Métallique)		1206-8 Chipfet ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	8 V	6A (TC)	1,5 V, 4,5 V	36MOHM @ 5.1A, 4,5 V	800 mV à 250µA	35 NC @ 8 V	± 5V	1290 PF @ 4 V	-	2.5W (TA), 6,2W (TC)
IRl540Strl	-	RFQ	1719	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRL540	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	100 V	28a (TC)	4V, 5V	77MOHM @ 17A, 5V	2V à 250µA	64 NC @ 5 V	± 10V	2200 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 150W (TC)
SUP90330E-GE3	1.6700	RFQ	1029	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Sup90330	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	200 V	35,8A (TC)	7,5 V, 10V	37,5MOHM @ 12.2A, 10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	± 20V	1172 PF @ 100 V	-	125W (TC)
SI7230DN-T1-GE3	0,6174	RFQ	2205	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	Si7230	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	9a (ta)	4,5 V, 10V	12MOHM @ 14A, 10V	3V à 250µA	20 nc @ 5 V	± 20V		-	1.5W (TA)
SIR180DP-T1-RE3	1 8000	RFQ	4	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir180	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	32.4a (TA), 60A (TC)	7,5 V, 10V	2 05 mOhm @ 10a, 10v	3,6 V @ 250µA	87 NC @ 10 V	± 20V	4030 PF @ 30 V	-	5.4W (TA), 83,3W (TC)
Irfps40n50lpbf	-	RFQ	7861	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 274aa	Irfps40	MOSFET (Oxyde Métallique)		Super-247 ™ (à 274aa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irfps40n50lpbf	EAR99	8541.29.0095	25		Canal n	500 V	46A (TC)	10V	100MOHM @ 28A, 10V	5V @ 250µA	380 NC @ 10 V	± 30V	8110 PF @ 25 V	-	540W (TC)
SiHG23N60E-GE3	4.6700	RFQ	1770	Vishay Siliconix	E	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	Par le trou	À 247-3	Sihg23	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	600 V	23A (TC)	10V	158MOHM @ 12A, 10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	± 30V	2418 PF @ 100 V	-	227W (TC)
SQD50N10-8M9L_GE3	1.7500	RFQ	7224	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	SQD50	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	100 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	8,9MOHM @ 15A, 10V	2,5 V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 20V	2950 pf @ 25 V	-	136W (TC)
SQR50N04-3M8_GE3	1.6200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 252-4, DPAK (3 leads + onglet)	SQR50	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-Pak (à 252)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	40 V	50A (TC)	10V	3,8MOHM @ 20A, 10V	3,5 V @ 250µA	105 NC @ 10 V	± 20V	6700 pf @ 25 V	-	136W (TC)
SI5997DU-T1-GE3	-	RFQ	3528	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® Chipfet ™ Dual	SI5997	MOSFET (Oxyde Métallique)	10.4w	PowerPak® Chipfet Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canal P (double)		30V	6A		54MOHM @ 3A, 10V	2,4 V @ 250µA	14.5nc @ 10v		430pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
SIR870BDP-T1-RE3	2.2000	RFQ	9421	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir870	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	18.8A (TA), 81A (TC)	4,5 V, 10V	6,1MOHM @ 15A, 10V	3V à 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	4870 PF @ 50 V	-	5.4W (TA), 100W (TC)
Irfs11n50atrlp	2.9400	RFQ	330	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRFS11	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	500 V	11a (TC)	10V	520 MOHM @ 6.6A, 10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	± 30V	1423 PF @ 25 V	-	170W (TC)
Irfz46l	-	RFQ	2315	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfz46	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)		* Irfz46l	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	50 V	50A (TC)	10V	24MOHM @ 32A, 10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	± 20V	1800 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 150W (TC)
Siz704dt-t1-ge3	1.1300	RFQ	3	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-PowerPair ™	Siz704	MOSFET (Oxyde Métallique)	20W, 30W	6-PowerPair ™	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 N-Canal (Demi-pont)		30V	12A, 16A		24MOHM @ 7.8A, 10V	2,5 V @ 250µA	12nc @ 10v		435pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
SI6413DQ-T1-E3	-	RFQ	8977	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	Si6413	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	7.2a (TA)	1,8 V, 4,5 V	10MOHM @ 8.8A, 4,5 V	800 mV à 400 µA	105 NC @ 5 V	± 8v		-	1.05W (TA)
IRFR120TRRPBF-BE3	1.5900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRFR120	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger		1 (illimité)		742-IRFR120TRRPBF-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	7.7a (TC)		270MOHM @ 4.6A, 10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SQD50P03-07_GE3	2.7600	RFQ	3796	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	SQD50	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal p	30 V	50A (TC)	4,5 V, 10V	7MOHM @ 20A, 10V	2,5 V @ 250µA	146 NC @ 10 V	± 20V	5490 pf @ 25 V	-	136W (TC)
Irf840strlpbf	2.8500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF840	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	500 V	8A (TC)	10V	850mohm @ 4.8a, 10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 125W (TC)
SQ2301ES-T1_BE3	0,5300	RFQ	202	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2301	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	-		1 (illimité)		742-SQ2301ES-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	3.9A (TC)	2,5 V, 4,5 V	120 MOHM @ 2,8A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	8 NC @ 4,5 V	± 8v	425 PF @ 10 V	-	3W (TC)
SI6973DQ-T1-E3	-	RFQ	9141	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	Si6973	MOSFET (Oxyde Métallique)	830mw	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canal P (double)		20V	4.1a		30MOHM @ 4.8A, 4,5 V	450 mV à 250 µA (min)	30nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
Sihw70n60ef-ge3	8.2809	RFQ	8568	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Sihw70	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	25		Canal n	600 V	70A (TC)	10V	38MOHM @ 35A, 10V	4V @ 250µA	380 NC @ 10 V	± 30V	7500 pf @ 100 V	-	520W (TC)
SQJ168ELP-T1_GE3	0,8800	RFQ	3	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SQJ168ELP-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	24a (TC)	4,5 V, 10V	36MOHM @ 15A, 10V	2,5 V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V	987 pf @ 25 V	-	29.4W (TC)
Sira10bdp-t1-ge3	0,8400	RFQ	3794	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sira10	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	30A (TA), 60A (TC)	4,5 V, 10V	3,6MOHM @ 10A, 10V	2,4 V @ 250µA	36.2 NC @ 10 V	+ 20V, -16V	1710 PF @ 15 V	-	5W (TA), 43W (TC)

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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Fabricants mondiaux
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