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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF730 | - |  | 1821 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF730 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF730 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 400 V | 5.5A (TC) | 10V | 1OHM @ 3,3A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | Irlz24pbf | 1,7000 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irlz24 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irlz24pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 17A (TC) | 4V, 5V | 100 mohm @ 10a, 5v | 2V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||
 | Siha4n80e-ge3 | 1.0457 | | 5969 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Siha4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 800 V | 4.3A (TC) | 10V | 1.27OHM @ 2A, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 622 PF @ 100 V | - | 69W (TC) | |||||
 | SI3981DV-T1-E3 | - | | 7540 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3981 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 800mw | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 1.6a | 185MOHM @ 1,9A, 4,5 V | 1,1 V @ 250µA | 5nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SI4322DY-T1-GE3 | - | | 2265 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4322 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 18A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,5 mohm @ 15a, 10v | 3V à 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1640 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5.4W (TC) | ||||
 | Siaa40dj-t1-ge3 | 0,6800 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Siaa40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 12,5MOHM @ 5A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 12 NC @ 4,5 V | + 20V, -16V | 1200 pf @ 20 V | - | 19.2W (TC) | |||||
 | SI6469DQ-T1-E3 | - | | 9531 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6469 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 28MOHM @ 6A, 4,5 V | 450 mV à 250 µA (min) | 40 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.5W (TA) | |||||
 | IRlr024trpbf | 1.2900 | | 709 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRLR024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 60 V | 14A (TC) | 4V, 5V | 100 mohm @ 8,4a, 5v | 2V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| Irf720strr | - | | 5118 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF720 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 400 V | 3.3A (TC) | 10V | 1,8 ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 410 PF @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
 | Irfuc20pbf | 1,6000 | | 9 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | Irfuc20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfuc20pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 600 V | 2A (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.2A, 10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | Sud45p03-15-e3 | - | | 5830 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud45 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 30 V | 13a (ta) | 4,5 V, 10V | 15MOHM @ 13A, 10V | 1V @ 250µA (min) | 125 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 25 V | - | 4W (TA), 70W (TC) | ||||
 | Irf634nlpbf | - | | 8780 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRF634 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irf634nlpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 250 V | 8A (TC) | 10V | 435MOHM @ 4.8A, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 88W (TC) | |||
| Irfs11n50atrr | - | | 2998 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRFS11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520 MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 PF @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||
| IRF9640L | - | | 1852 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRF9640 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF9640L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 200 V | 11a (TC) | 10V | 500MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 125W (TC) | |||
| Irf510strl | - | | 5031 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 540mohm @ 3,4a, 10v | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
| Si4435bdy-t1-e3 | - | | 8069 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4435 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 7a (ta) | 4,5 V, 10V | 20MOHM @ 9.1A, 10V | 3V à 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SQ4425EY-T1_GE3 | 1.9300 | | 17 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SQ4425 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 18A (TC) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 13A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 50 NC @ 4,5 V | ± 20V | 3630 pf @ 25 V | - | 6.8W (TC) | ||||||
 | SI1563EDH-T1-GE3 | - | | 5067 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1563 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 570mw | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n et p | 20V | 1.13A, 880mA | 280MOHM @ 1.13A, 4,5 V | 1V @ 100µA | 1NC @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Irfpe50 | - | | 2751 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfpe50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFPE50 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 800 V | 7.8a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 4,7a, 10v | 4V @ 250µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||
| SI4900DY-T1-E3 | 1.2500 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4900 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 60V | 5.3a | 58MOHM @ 4.3A, 10V | 3V à 250µA | 20nc @ 10v | 665pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||
| SI4418DY-T1-E3 | - | | 6811 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4418 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 2.3A (TA) | 6v, 10v | 130 mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
| IRL3202L | - | | 9397 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRL3202 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRL3202L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 20 V | 48A (TC) | 4,5 V, 7V | 16MOHM @ 29A, 7V | 700 mV à 250 µA (min) | 43 NC @ 4,5 V | ± 10V | 2000 pf @ 15 V | - | 69W (TC) | |||
| Irfbc30apbf | 3.0700 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irfbc30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfbc30apbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 3.6A (TC) | 10V | 2,2 ohm @ 2,2a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 510 PF @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
| IRFP450A | - | | 8961 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP450 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFP450A | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 500 V | 14A (TC) | 10V | 400mohm @ 8,4a, 10v | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 2038 PF @ 25 V | - | 190W (TC) | |||
| Sud42n03-3m9p-ge3 | - | | 1701 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud42 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 30 V | 42A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,9MOHM @ 22A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 3535 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA), 73,5W (TC) | ||||
 | Sqs481enw-t1_ge3 | 0,8800 | | 2849 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SQS481 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 150 V | 4.7A (TC) | 10V | 1.095OHM @ 5A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 385 PF @ 75 V | - | 62,5W (TC) | ||||||
 | SIB911DK-T1-GE3 | - | | 8294 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-75-6L Dual | Sib911 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | PowerPak® SC-75-6L Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 2.6a | 295MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 4nc @ 8v | 115pf @ 10v | - | ||||||
| IRFU420APBF | 1.5800 | | 4869 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU420 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * IRFU420APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 500 V | 3.3A (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 340 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||
 | SI7218DN-T1-E3 | - | | 4083 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 Dual | SI7218 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 23W | PowerPak® 1212-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 24a | 25MOHM @ 8A, 10V | 3V à 250µA | 17nc @ 10v | 700pf @ 15v | - | |||||||
| Irfr9220tr | - | | 1214 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 200 V | 3.6A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 2,2a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) |
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