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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4848DY-T1-E3 | 1.6400 |  | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4848 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 150 V | 2.7A (TA) | 6v, 10v | 85MOHM @ 3,5A, 10V | 2V @ 250µA (min) | 21 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | Sir696dp-T1-Ge3 | 1.3600 | | 4035 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir696 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 125 V | 60a (TC) | 7,5 V, 10V | 11,5MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1410 PF @ 75 V | - | 104W (TC) | |||||
 | Irfr310trrpbf | - | | 8625 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR310 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 400 V | 1.7A (TC) | 10V | 3,6 ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | Irfl110trpbf | 0,9400 | | 3321 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Irfl110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 1.5A (TC) | 10V | 540mohm @ 900mA, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
 | Sud35n10-26p-ge3 | 2.1700 | | 90 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud35 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 100 V | 35A (TC) | 7v, 10v | 26MOHM @ 12A, 10V | 4,4 V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 12 V | - | 8.3W (TA), 83W (TC) | |||||
 | SQM120N03-1M5L_GE3 | 3.8200 | | 9647 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 120A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,5 mohm @ 30a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 15605 PF @ 15 V | - | 375W (TC) | |||||
 | Siss10Adn-T1-Ge3 | 0,9600 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8S | Siss10 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 31.7A (TA), 109A (TC) | 4,5 V, 10V | 2 65 mohm @ 15a, 10v | 2,4 V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 3030 PF @ 20 V | - | 4.8W (TA), 56.8W (TC) | |||||
 | SiHP11N80E-GE3 | 3 5300 | | 18 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 800 V | 12A (TC) | 10V | 440mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | 88 NC @ 10 V | ± 30V | 1670 PF @ 100 V | - | 179W (TC) | ||||||
 | Sia921edj-t1-ge3 | 0,6300 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | Sia921 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 7.8w | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 4.5a | 59MOHM @ 3,6A, 4,5 V | 1,4 V @ 250µA | 23nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | |||||||
| Irfl210trpbf-be3 | 0,8800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Irfl210 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | 1 (illimité) | 742-irfl210trpbf-be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 960mA (TC) | 1,5 ohm @ 580mA, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||||
| SI4226DY-T1-E3 | - | | 2590 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4226 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.2W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 25V | 8a | 19,5 mohm @ 7a, 4,5 V | 2V à 250µA | 36nc @ 10v | 1255pf @ 15v | - | ||||||
| SI4620DY-T1-E3 | - | | 9669 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4620 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 6A (TA), 7,5A (TC) | 4,5 V, 10V | 35MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 1040 pf @ 15 V | Diode Schottky (isolé) | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
| SI4401BDY-T1-GE3 | 1.9500 | | 9135 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4401 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 40 V | 8.7A (TA) | 4,5 V, 10V | 14MOHM @ 10.5A, 10V | 3V à 250µA | 55 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SI7818DN-T1-GE3 | 1.6600 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7818 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 150 V | 2.2a (TA) | 6v, 10v | 135MOHM @ 3,4A, 10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | Irlz14pbf | 1.1100 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irlz14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irlz14pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 10A (TC) | 4V, 5V | 200 mohm @ 6a, 5v | 2V à 250µA | 8,4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||
 | SI3529DV-T1-E3 | - | | 2037 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3529 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 40V | 2,5A, 1 95A | 125 mohm @ 2,2a, 10v | 3V à 250µA | 7nc @ 10v | 205pf @ 20v | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | 2N4860JAN02 | - | | 7844 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | Par le trou | To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN | 2N4860 | To-206aa (à 18) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
 | SIR494DP-T1-GE3 | 1.1500 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir494 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 12 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,2 mohm @ 20a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 6 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SQP50N06-09L_GE3 | - | | 7128 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | SQP50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3065 PF @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
 | SQ2361ES-T1_BE3 | 0,6300 | | 44 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2361 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 2.8A (TC) | 4,5 V, 10V | 177MOHM @ 2,4A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 30 V | - | 2W (TC) | ||||||
| Sir864dp-T1-Ge3 | - | | 8959 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir864 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,6MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 2460 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 54W (TC) | |||||
 | Sia437dj-t1-ge3 | 0,6900 | | 2425 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Sia437 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 29.7A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 14,5 mohm @ 8a, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 90 NC @ 8 V | ± 8v | 2340 pf @ 10 V | - | 3,5W (TA), 19W (TC) | |||||
| SI4654DY-T1-GE3 | - | | 7223 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4654 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 28.6a (TC) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 16V | 3770 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5,9W (TC) | ||||
 | SIR500DP-T1-RE3 | 1.6400 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN V | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIR500DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 85,9a (TA), 350,8A (TC) | 4,5 V, 10V | 0,47MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | + 16v, -12v | 8960 pf @ 15 V | - | 6.25W (TA), 104.1W (TC) | |||||
| Sira52dp-t1-re3 | 0,5600 | | 2336 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira52 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,7MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 7150 pf @ 20 V | - | 48W (TC) | ||||||
| IRF9Z30 | - | | 2157 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF9Z30 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 50 V | 18A (TC) | 10V | 140MOHM @ 9,3A, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||
 | SQ4153EY-T1_GE3 | 1.6500 | | 6784 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SQ4153 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 12 V | 25a (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 8,32MOHM @ 14A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 151 NC @ 4,5 V | ± 8v | 11000 pf @ 6 V | - | 7.1w (TC) | ||||||
 | Sihj7n65e-T1-Ge3 | 1.1737 | | 7081 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sihj7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 650 V | 7.9a (TC) | 10V | 598MOHM @ 3,5A, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 820 pf @ 100 V | - | 96W (TC) | |||||
| SIS126DN-T1-GE3 | 0,9500 | | 9191 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SIS126 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 12A (TA), 45.1a (TC) | 7,5 V, 10V | 10.2MOHM @ 10A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1402 PF @ 40 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | Irfbc40as | - | | 7915 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbc40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfbc40as | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 3,7a, 10v | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 1036 pf @ 25 V | - | 125W (TC) |
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