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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7160DP-T1-E3 | - |  | 7774 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7160 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,7MOHM @ 15A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ± 16V | 2970 PF @ 15 V | - | 5W (TA), 27,7W (TC) | ||||
 | Siha30n60ael-ge3 | - | | 6319 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | El | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Siha30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 28a (TC) | 10V | 120 MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 2565 PF @ 100 V | - | 39W (TC) | |||||
 | SISB46DN-T1-GE3 | 0,8900 | | 2041 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 Dual | Sisb46 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 23W | PowerPak® 1212-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 40V | 34A (TC) | 11.71MOHM @ 5A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 11nc @ 4,5 V | 1100pf @ 20v | - | |||||||
 | SI2347DS-T1-GE3 | 0,4300 | | 246 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2347 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 5A (TC) | 4,5 V, 10V | 42MOHM @ 3,8A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 705 PF @ 15 V | - | 1.7W (TC) | ||||
| SI2343DS-T1-E3 | 0,6600 | | 32 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2343 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 3.1A (TA) | 4,5 V, 10V | 53MOHM @ 4A, 10V | 3V à 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||
 | IRL510 | - | | 8733 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRL510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRL510 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540 mOhm @ 3,4a, 5v | 2V à 250µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | |||
 | IRFI9540G | - | | 6470 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi9540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFI9540G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 100 V | 11a (TC) | 10V | 200 mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||
| Irfbc30a | - | | 9426 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irfbc30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFBC30A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 3.6A (TC) | 10V | 2,2 ohm @ 2,2a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 510 PF @ 25 V | - | 74W (TC) | |||
 | SI3459BDV-T1-GE3 | 0,8300 | | 15 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3459 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 2.9A (TC) | 4,5 V, 10V | 216MOHM @ 2.2A, 10V | 3V à 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 30 V | - | 2W (TA), 3,3W (TC) | |||||
 | SUD06N10-225L-E3 | - | | 2256 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud06 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 100 V | 6.5a (TC) | 4,5 V, 10V | 200 mohm @ 3a, 10v | 3V à 250µA | 4 NC @ 5 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 1.25W (TA), 20W (TC) | ||||
 | SUM110N06-3M9H-E3 | - | | 8595 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SUM110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 110a (TC) | 10V | 3,9MOHM @ 30A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 15800 pf @ 25 V | - | 3 75W (TA), 375W (TC) | |||||
 | Sud08p06-155l-ge3 | 1 0000 | | 42 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud08 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 60 V | 8.4a (TC) | 4,5 V, 10V | 155MOHM @ 5A, 10V | 3V à 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 25 V | - | 1.7W (TA), 20.8W (TC) | |||||
 | Irfpe50 | - | | 2751 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfpe50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFPE50 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 800 V | 7.8a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 4,7a, 10v | 4V @ 250µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||
 | Irfps40n50l | - | | 4611 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 274aa | Irfps40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Super-247 ™ (à 274aa) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFPS40N50L | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 500 V | 46A (TC) | 10V | 100MOHM @ 28A, 10V | 5V @ 250µA | 380 NC @ 10 V | ± 30V | 8110 PF @ 25 V | - | 540W (TC) | |||
 | SI4947ADY-T1-E3 | - | | 9209 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4947 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.2W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 30V | 3A | 80MOHM @ 3,9A, 10V | 1V @ 250µA (min) | 8nc @ 5v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Irfsl31n20dtrr | - | | 2953 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRFSL31 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 31A (TC) | 10V | 82MOHM @ 18A, 10V | 5,5 V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2370 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 200W (TC) | |||||
| IRFP440 | - | | 2752 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP440 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFP440 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 500 V | 8.8A (TC) | 10V | 850mohm @ 5.3a, 10v | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | Sihf7n60e-e3 | 2.4000 | | 6676 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Sihf7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Sihf7n60ee3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600 mOhm @ 3,5a, 10v | 4V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 680 PF @ 100 V | - | 31W (TC) | ||||
 | IRl630strl | - | | 7339 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL630 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5v | 2V à 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| SI3867DV-T1-E3 | - | | 9705 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3867 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 3.9A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 51MOHM @ 5.1A, 4,5 V | 1,4 V @ 250µA | 11 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.1W (TA) | |||||
| SI4943CDY-T1-GE3 | 1,7000 | | 6726 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4943 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 20V | 8a | 19.2MOHM @ 8.3A, 10V | 3V à 250µA | 62nc @ 10v | 1945pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||
 | Irfr9210trl | - | | 9672 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9210 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 200 V | 1.9A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250µA | 8,9 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | SQJ184EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 118A (TC) | 10V | 7,5 mohm @ 15a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 3478 PF @ 25 V | - | 234W (TC) | |||||||
 | SiHP22N60AE-GE3 | 1.9830 | | 8658 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 20A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 1451 PF @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||
| SI4455DY-T1-E3 | 2.0800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4455 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 150 V | 2.8A (TC) | 10V | 295MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1190 pf @ 50 V | - | 3.1W (TA), 5.9W (TC) | |||||
| SIHG050N60E-GE3 | 9.8200 | | 8120 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg050 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 51A (TC) | 10V | 50mohm @ 23A, 10V | 5V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 30V | 3459 PF @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
 | SI6966EDQ-T1-GE3 | - | | 6456 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6966 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.25W | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | - | 30 mOhm @ 5.2a, 4,5 V | 600 mV à 250 µA (min) | 25nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| SQ3418EV-T1_GE3 | 0,6900 | | 35 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SQ3418 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 8A (TC) | 4,5 V, 10V | 32MOHM @ 5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 12.7 NC @ 10 V | ± 20V | 678 PF @ 20 V | - | 5W (TC) | ||||||
| Irfp9240pbf | 3.2300 | | 8947 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP9240 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfp9240pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal p | 200 V | 12A (TC) | 10V | 500mohm @ 7.2a, 10v | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
 | SQJ479EP-T1_BE3 | 1.2300 | | 1306 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ479EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 80 V | 32A (TC) | 4,5 V, 10V | 33MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 25 V | - | 68W (TC) |
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