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Transistors (5716)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
SIHR080N60E-T1-GE3	6.1300	RFQ	3222	Vishay Siliconix	E	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8 Powersmd, Aile du Mouette		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 8 x 8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	600 V	51A (TC)	10V	84MOHM @ 17A, 10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 30V	2557 pf @ 100 V	-	500W (TC)
Irf9540strlpbf	2.9500	RFQ	9	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IRF9540	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal p	100 V	19A (TC)	10V	200 mohm @ 11a, 10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 150W (TC)
SI2301CDS-T1-BE3	0,3900	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	20 V	2.3A (TA), 3.1A (TC)	2,5 V, 4,5 V	112MOHM @ 2,8A, 4,5 V	1V @ 250µA	10 NC @ 4,5 V	± 8v	405 PF @ 10 V	-	860MW (TA), 1,6W (TC)
SQJA68EP-T1_BE3	0,7500	RFQ	1291	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger		1 (illimité)		742-SQJA68EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	14A (TC)	4,5 V, 10V	92MOHM @ 4A, 10V	2,5 V @ 250µA	8 NC @ 10 V	± 20V	280 pf @ 25 V	-	45W (TC)
SQJ418EP-T1_BE3	1.1800	RFQ	5041	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger		1 (illimité)		742-SQJ418EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	48A (TC)	10V	14MOHM @ 10A, 10V	3,5 V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 20V	1700 pf @ 25 V	-	68W (TC)
SI7462DP-T1-E3	-	RFQ	9434	Vishay Siliconix	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7462	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	200 V	2.6A (TA)		130mohm @ 4.1a, 10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V			-
SI6562DQ-T1-E3	-	RFQ	7113	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	SI6562	MOSFET (Oxyde Métallique)	1W	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n et p		20V	-		30 mohm @ 4.5a, 4,5 V	600 mV à 250 µA (min)	25nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
SQJ444EP-T1_GE3	1.3300	RFQ	9034	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SQJ444	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	40 V	60a (TC)	4,5 V, 10V	3,2MOHM @ 10A, 10V	2,5 V @ 250µA	80 NC @ 10 V	± 20V	5000 pf @ 25 V	-	68W (TC)
Siha17n80ae-ge3	2.7700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Siha17	MOSFET (Oxyde Métallique)		Emballage complet à 220	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIHA17N80AE-GE3	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	800 V	7a (TC)	10V	290MOHM @ 8.5A, 10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	± 30V	1260 pf @ 100 V	-	34W (TC)
SI5482DU-T1-E3	-	RFQ	1276	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® Chipfet ™ Single	SI5482	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® Chipfet ™ Single	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	12A (TC)	4,5 V, 10V	15MOHM @ 7.4A, 10V	2V à 250µA	51 NC @ 10 V	± 12V	1610 PF @ 15 V	-	3.1W (TA), 31W (TC)
Sihfps43n50k-ge3	-	RFQ	8460	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 274aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		Super-247 ™ (à 274aa)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-SIHFPS43N50K-GE3	EAR99	8541.29.0095	25		Canal n	500 V	47a (TC)	10V	90MOHM @ 28A, 10V	5V @ 250µA	350 NC @ 10 V	± 30V	8310 PF @ 25 V	-	540W (TC)
SI6973DQ-T1-GE3	-	RFQ	9710	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	Si6973	MOSFET (Oxyde Métallique)	830mw	8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canal P (double)		20V	4.1a		30MOHM @ 4.8A, 4,5 V	450 mV à 250 µA (min)	30nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
SQ4920EY-T1_BE3	1.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SQ4920	MOSFET (Oxyde Métallique)	4.4W (TC)	8-SOIC	télécharger		1 (illimité)		742-SQ4920EY-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		30V	8A (TC)		14,5 mohm @ 6a, 10v	2,5 V @ 250µA	30nc @ 10v		1465pf @ 15v	-
IRFP27N60K	-	RFQ	8116	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	IRFP27	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	600 V	27a (TC)	10V	220mohm @ 16a, 10v	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	± 30V	4660 pf @ 25 V	-	500W (TC)
Sir690dp-T1-RE3	0,7316	RFQ	3012	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	Sir690	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	200 V	34.4a (TC)	7,5 V, 10V	35MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	± 20V	1935 PF @ 100 V	-	104W (TC)
SQM35N30-97_GE3	3.8400	RFQ	974	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	SQM35	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	300 V	35A (TC)	10V	97MOHM @ 10A, 10V	3,5 V @ 250µA	130 NC @ 10 V	± 20V	5650 pf @ 25 V	-	375W (TC)
SQJ868EP-T1_BE3	0,9800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual		MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8 Dual	télécharger		1 (illimité)		742-SQJ868EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	40 V	58A (TC)	10V	7,35 mohm @ 14a, 10v	3,5 V @ 250µA	55 NC @ 10 V	± 20V	2450 pf @ 20 V	-	48W (TC)
SI4886DY-T1-E3	-	RFQ	5268	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4886	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	9.5A (TA)	4,5 V, 10V	10MOHM @ 13A, 10V	800 mV à 250µa (min)	20 nc @ 5 V	± 20V		-	1 56W (TA)
SI2374DS-T1-BE3	0,4800	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3 (à 236)	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n	20 V	4.5A (TA), 5.9A (TC)	1,8 V, 4,5 V	30MOHM @ 4A, 4,5 V	1V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 8v	735 PF @ 10 V	-	960MW (TA), 1,7W (TC)
SI4840DY-T1-GE3	-	RFQ	5992	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4840	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	40 V	10A (TA)	4,5 V, 10V	9MOHM @ 14A, 10V	3V à 250µA	28 NC @ 5 V	± 20V		-	1 56W (TA)
SIHD12N50E-GE3	1 8000	RFQ	8456	Vishay Siliconix	E	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sihd12	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	550 V	10.5a (TC)	10V	380MOHM @ 6A, 10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 30V	886 pf @ 100 V	-	114W (TC)
SQ4282EY-T1_GE3	1.5100	RFQ	210	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SQ4282	MOSFET (Oxyde Métallique)	3.9W	8-SOIC	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		30V	8A (TC)		12.3MOHM @ 15A, 10V	2,5 V @ 250µA	47nc @ 10v		2367pf @ 15v	-
IRF9520PBF-BE3	1.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	IRF9520	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger		1 (illimité)		742-IRF9520PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	100 V	6.8A (TC)		600mohm @ 4.1a, 10v	4V @ 250µA	18 NC @ 10 V	± 20V	390 pf @ 25 V	-	60W (TC)
SiHG47N60AE-GE3	7.7900	RFQ	3	Vishay Siliconix	E	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Sihg47	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247AC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	25		Canal n	600 V	43A (TC)	10V	65MOHM @ 24A, 10V	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	± 30V	3600 PF @ 100 V	-	313W (TC)
V50383-E3	-	RFQ	8432	Vishay Siliconix	*	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				V50383				-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		742-V50383-E3TR	OBSOLÈTE		500				-
SiHP25N60EFL-GE3	4.7300	RFQ	1625	Vishay Siliconix	E	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Sihp25	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	600 V	25a (TC)	10V	146MOHM @ 12,5A, 10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	± 30V	2274 PF @ 100 V	-	250W (TC)
SUP90N08-7M7P-E3	-	RFQ	9675	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	Sup90	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	500		Canal n	75 V	90a (TC)	10V	7,7MOHM @ 20A, 10V	4,5 V @ 250µA	105 NC @ 10 V	± 20V	4250 pf @ 30 V	-	3,75W (TA), 208,3W (TC)
SQM40014EM_GE3	2.9800	RFQ	7750	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	SQM40014	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263-7	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	40 V	200A (TC)	10V	1MOHM @ 35A, 10V	3,5 V @ 250µA	250 NC @ 10 V	± 20V	15525 PF @ 25 V	-	375W (TC)
SQJB70EP-T1_GE3	0,9600	RFQ	8970	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SQJB70	MOSFET (Oxyde Métallique)	27W (TC)	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		100V	11.3A (TC)		95MOHM @ 4A, 10V	3,5 V @ 250µA	7nc @ 10v		220pf @ 25v	-
Sud80460e-be3	0,9700	RFQ	1259	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sud80460	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	-		1 (illimité)		742-Sud80460e-Be3	EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	150 V	42A (TC)	10V	44,7MOHM @ 8,3A, 10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	± 20V	560 pf @ 50 V	-	65.2W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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Fabricants mondiaux
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Transistors (5716)

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