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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1450DH-T1-E3 | - |  | 1280 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1450 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 8 V | 4.53A (TA), 6.04A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 47MOHM @ 4A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 7.05 NC @ 5 V | ± 5V | 535 PF @ 4 V | - | 1 56W (TA), 2,78W (TC) | |||
 | Sum110p04-04l-e3 | 4.7600 | | 18 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SUM110 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 40 V | 110a (TC) | 4,5 V, 10V | 4.2MOHM @ 30A, 10V | 3V à 250µA | 350 NC @ 10 V | ± 20V | 11200 pf @ 25 V | - | 3 75W (TA), 375W (TC) | ||||
 | SI7530DP-T1-E3 | - | | 7254 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | Si7530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.4W, 1.5W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 60V | 3a, 3.2a | 75MOHM @ 4.6A, 10V | 3V à 250µA | 20nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SI7810DN-T1-GE3 | 1.5100 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Si7810 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 3.4A (TA) | 6v, 10v | 62MOHM @ 5.4A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SiHP17N80E-GE3 | 4.8400 | | 5002 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp17 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 800 V | 15A (TC) | 10V | 290MOHM @ 8.5A, 10V | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2408 PF @ 100 V | - | 208W (TC) | |||||
 | SI4630DY-T1-E3 | 2 0000 | | 8741 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4630 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,7MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 161 NC @ 10 V | ± 16V | 6670 PF @ 15 V | - | 3,5W (TA), 7,8W (TC) | ||||
 | Sia914dj-t1-ge3 | - | | 6455 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | Sia914 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6,5 W | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 4.5a | 53MOHM @ 3,7A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 11.5nc @ 8v | 400pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||
 | Siss12DN-T1-GE3 | 1.1700 | | 9706 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8S | Siss12 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 37,5A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 1 98MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 89 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 4270 PF @ 20 V | - | 5W (TA), 65,7W (TC) | ||||
| SI4406DY-T1-GE3 | - | | 1906 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4406 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 13a (ta) | 4,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 20a, 10v | 3V à 250µA | 50 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.6W (TA) | ||||
 | SI1024X-T1-GE3 | 0,5500 | | 132 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | SI1024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 250mw | SC-89 (SOT-563F) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 485mA | 700MOHM @ 600mA, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 0,75nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | |||||
 | SQD70140EL_GE3 | 1.2100 | | 9 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD70140 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 100 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 15MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 PF @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||
 | SI2318DS-T1-GE3 | 0,5300 | | 16 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2318 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 3a (ta) | 4,5 V, 10V | 45MOHM @ 3,9A, 10V | 3V à 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 540 PF @ 20 V | - | 750MW (TA) | |||
 | SI7858ADP-T1-E3 | 2.7500 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7858 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 12 V | 20A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 2,6MOHM @ 29A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 80 NC @ 4,5 V | ± 8v | 5700 pf @ 6 V | - | 1.9W (TA) | ||||
 | Sija52dp-t1-ge3 | 1.3900 | | 2746 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sija52 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,7MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 150 NC @ 20 V | + 20V, -16V | 7150 pf @ 20 V | - | 48W (TC) | ||||
 | SI3457BDV-T1-E3 | - | | 1221 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3457 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 3.7A (TA) | 4,5 V, 10V | 54MOHM @ 5A, 10V | 3V à 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||
 | Sq1902ael-t1_ge3 | - | | 6841 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | SQ1902 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 430mw | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 780mA (TC) | 415MOHM @ 660mA, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 1.2NC @ 4,5 V | 75pf @ 10v | - | |||||||
| SI4403BDY-T1-GE3 | - | | 6298 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4403 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 7.3a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 17MOHM @ 9.9A, 4,5 V | 1V @ 350µA | 50 NC @ 5 V | ± 8v | - | 1.35W (TA) | ||||
| SIR878DP-T1-GE3 | - | | 8008 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir878 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 14MOHM @ 15A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1250 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 44,5W (TC) | ||||
 | SQJ912AEP-T1_GE3 | - | | 5227 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ912 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 48W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 40V | 30A | 9.3MOHM @ 9.7A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 38nc @ 10v | 1835pf @ 20v | - | ||||||
 | SQJ170ELP-T1_GE3 | 1.0800 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 63a (TC) | 4,5 V, 10V | 16.3MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 1165 PF @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||
 | SI5935CDC-T1-GE3 | 0,5500 | | 4202 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5935 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 4A | 100MOHM @ 3.1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 11nc @ 5v | 455pf @ 10v | - | |||||
 | Irf634strr | - | | 4361 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF634 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 250 V | 8.1a (TC) | 10V | 450mohm @ 5.1a, 10v | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
| Irlz14strl | - | | 6846 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irlz14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 10A (TC) | 4V, 5V | 200 mohm @ 6a, 5v | 2V à 250µA | 8,4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
| SI7356ADP-T1-GE3 | - | | 6539 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7356 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 3MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 6215 PF @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||
 | Irfrc20trpbf | 1.2900 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfrc20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 600 V | 2A (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.2A, 10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| SI4442DY-T1-GE3 | 1.5780 | | 6018 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4442 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 15A (TA) | 2,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 22a, 10v | 1,5 V @ 250µA | 50 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.6W (TA) | |||||
| SI3477DV-T1-GE3 | 0,7500 | | 9052 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3477 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 8A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 17,5 mohm @ 9a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 10V | 2600 pf @ 6 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | ||||
| Irfz14strr | - | | 7497 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfz14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 10A (TC) | 10V | 200 mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
| SQJ570EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 5611 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ570 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 27W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 100V | 15A (TC), 9,5A (TC) | 45MOHM @ 6A, 10V, 146MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 20nc @ 10v, 15nc @ 10v | 650pf @ 25v, 600pf @ 25V | - | ||||||
| SI1402DH-T1-GE3 | - | | 5669 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1402 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 2.7A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 77MOHM @ 3A, 4,5 V | 1,6 V @ 250µA | 4,5 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 950MW (TA) |
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