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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI6924AEDQ-T1-GE3 | - |  | 9759 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6924 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) draine commun | 28v | 4.1a | 33MOHM @ 4.6A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 10nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SI3433CDV-T1-E3 | 0,5100 | | 7915 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3433 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 6A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 38MOHM @ 5.2A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 45 NC @ 8 V | ± 8v | 1300 pf @ 10 V | - | 3.3W (TC) | |||||
 | SI7886ADP-T1-E3 | - | | 4383 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7886 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 15A (TA) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 25A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 60 NC @ 4,5 V | ± 12V | 6450 pf @ 15 V | - | 1.9W (TA) | ||||
| SQ3410EV-T1_GE3 | 0 7600 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SQ3410 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 8A (TC) | 4,5 V, 10V | 17,5 mohm @ 5a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1005 pf @ 15 V | - | 5W (TC) | |||||
 | SQ2364EES-T1_BE3 | 0,6700 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 2A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 240 mohm @ 2a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 2,5 NC @ 4,5 V | ± 8v | 330 pf @ 25 V | - | 3W (TC) | |||||||
 | SQJ409EP-T1_BE3 | 1.4900 | | 1565 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ409EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 40 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 7MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 260 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||
| SI3473DV-T1-E3 | - | | 1770 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3473 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 5.9A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 23MOHM @ 7.9A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.1W (TA) | |||||
 | Irfbe30spbf | 3.2000 | | 6859 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbe30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfbe30spbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5A, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI4808DY-T1-GE3 | - | | 4666 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4808 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5.7A | 22MOHM @ 7.5A, 10V | 800 mV à 250µa (min) | 20nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | |||||||
 | Sijh800e-T1-Ge3 | 4.8400 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 80 V | 29A (TA), 299A (TC) | 7,5 V, 10V | 1 55 mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 10230 pf @ 40 V | - | 3.3W (TA), 333W (TC) | ||||||
| SI4226DY-T1-GE3 | - | | 4490 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4226 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.2W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 25V | 8a | 19,5 mohm @ 7a, 4,5 V | 2V à 250µA | 36nc @ 10v | 1255pf @ 15v | - | ||||||
 | SIB412DK-T1-GE3 | - | | 1362 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-75-6 | SIB412 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-75-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 9A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 34MOHM @ 6.6A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 10.16 NC @ 5 V | ± 8v | 535 pf @ 10 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
 | TN2404K-T1-GE3 | 0,9100 | | 6237 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TN2404 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 240 V | 200mA (TA) | 2,5 V, 10V | 4OHM @ 300mA, 10V | 2V à 250µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | - | 360MW (TA) | |||||
| SI7170DP-T1-GE3 | - | | 6699 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7170 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,4MOHM @ 15A, 10V | 2,6 V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 4355 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
 | SIHB120N60E-T1-GE3 | 5.2400 | | 760 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 600 V | 25a (TC) | 10V | 120 MOHM @ 12A, 10V | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 1562 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||||
| SI7431DP-T1-GE3 | 4.0900 | | 1015 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Si7431 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 200 V | 2.2a (TA) | 6v, 10v | 174MOHM @ 3,8A, 10V | 4V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | Sia817edj-T1-Ge3 | 0,5100 | | 6957 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | SIA817 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 4.5a (TC) | 2,5 V, 10V | 65MOHM @ 3A, 10V | 1,3 V à 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 12V | 600 pf @ 15 V | Diode Schottky (isolé) | 1.9W (TA), 6,5W (TC) | |||||
| SI2306BDS-T1-BE3 | 0,5500 | | 4754 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI2306BDS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 3.16A (TA) | 4,5 V, 10V | 47MOHM @ 3,5A, 10V | 3V à 250µA | 4,5 NC @ 5 V | ± 20V | 305 PF @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||||
 | SI5913DC-T1-E3 | - | | 1184 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5913 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 4A (TC) | 2,5 V, 10V | 84MOHM @ 3,7A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 12V | 330 pf @ 10 V | Diode Schottky (isolé) | 1.7W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | SQW44N65EF-GE3 | 7.6600 | | 509 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, E | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247ad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQW44N65EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 480 | Canal n | 650 V | 47a (TC) | 10V | 73MOHM @ 22A, 10V | 4V @ 250µA | 266 NC @ 10 V | ± 30V | 5858 PF @ 100 V | - | 500W (TC) | |||||
 | Sup70040e-ge3 | 3.0600 | | 490 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup70040 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 100 V | 120A (TC) | 7,5 V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 5100 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||
| SIHB22N65E-T1-GE3 | 4.8100 | | 797 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHB22N65E-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 650 V | 22A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2415 PF @ 100 V | - | 227W (TC) | ||||||
 | Irfr420atrpbf | 1 5500 | | 12 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 500 V | 3.3A (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 340 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||
| SI4840BDY-T1-E3 | 1.6600 | | 69 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 19A (TC) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 12.4A, 10V | 3V à 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 6W (TC) | |||||
| Sud50p10-43l-ge3 | 2.6500 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 100 V | 37.1a (TC) | 4,5 V, 10V | 43MOHM @ 9.2A, 10V | 3V à 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4600 PF @ 50 V | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | |||||
| SI7456CDP-T1-GE3 | 1.6700 | | 3200 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7456 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 27.5A (TC) | 4,5 V, 10V | 23,5MOHM @ 10A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 730 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 35,7W (TC) | |||||
 | Sud70090e-Ge3 | 1.5800 | | 7571 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud70090 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 100 V | 50A (TC) | 7,5 V, 10V | 8,9MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 PF @ 50 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SI7270DP-T1-GE3 | - | | 2475 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SI7270 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 17.8W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 8a | 21MOHM @ 8A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 21nc @ 10v | 900pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||
| Irf9z34strrpbf | 2.8100 | | 408 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irf9z34 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 60 V | 18A (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
| IRFR120TRPBF-BE3 | 1.5800 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 270MOHM @ 4.6A, 10V | 4V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) |
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