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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sir610dp-t1-re3 | 1.8800 |  | 4446 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir610 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 200 V | 35.4a (TC) | 7,5 V, 10V | 31,9MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1380 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||
 | Irf830aspbf | 2.2000 | | 776 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF830 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irf830aspbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 3a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| IRL640 | - | | 5588 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL640 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRL640S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 17A (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5v | 2V à 250µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
 | SI1032X-T1-E3 | - | | 5713 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-89, SOT-490 | SI1032 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-89-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 200mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 5OHM @ 200mA, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 0,75 NC à 4,5 V | ± 6V | - | 300mw (TA) | |||||
 | Irfp460lcpbf | 5.3900 | | 19 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP460 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfp460lcpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270MOHM @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 3600 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
 | SI4122DY-T1-GE3 | 2.3500 | | 9977 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4122 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 27.2A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 15a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 25V | 4200 pf @ 20 V | - | 3W (TA), 6W (TC) | |||||
| SI7454DP-T1-E3 | 2 0000 | | 13 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7454 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 5A (TA) | 6v, 10v | 34MOHM @ 7.8A, 10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SIHB053N60E-GE3 | 6.3800 | | 912 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIHB053N60E-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 600 V | 47a (TC) | 10V | 54MOHM @ 26,5A, 10V | 5V @ 250µA | 92 NC @ 10 V | ± 30V | 3722 PF @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
 | SQJB04ELP-T1_GE3 | 0,9700 | | 23 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJB04 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 27W (TC) | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 40V | 30a (TC) | 11MOHM @ 5A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 20nc @ 10v | 1055pf @ 25v | - | ||||||||
 | SI8415DB-T1-E1 | - | | 9867 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8415 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 Microfoot | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 5.3A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 37MOHM @ 1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 30 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.47W (TA) | |||||
 | SI1013R-T1-E3 | - | | 6433 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-75, SOT-416 | SI1013 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-75A | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 350mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 1,2 ohm @ 350mA, 4,5 V | 450 mV à 250 µA (min) | 1,5 NC @ 4,5 V | ± 6V | - | 150mw (TA) | |||||
 | Irc640pbf | - | | 9424 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-5 | IRC640 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-5 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRC640PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 18A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | Détection de Courant | 125W (TC) | |||
| Sira00dp-t1-re3 | 0,7903 | | 2197 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira00 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 1MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 220 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 11700 pf @ 15 V | - | 104W (TC) | ||||||
 | Irfi644g | - | | 7730 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi644 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfi644g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 250 V | 7.9a (TC) | 10V | 280MOHM @ 4.7A, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||
 | SI8472DB-T2-E1 | 0,5600 | | 18 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-ufbga | Si8472 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-Micro Food® (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 3.3A (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 44MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 18 NC @ 8 V | ± 8v | 630 pf @ 10 V | - | 780mw (TA) | ||||
 | Sia445edj-t1-ge3 | 0,6400 | | 285 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Sia445 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 12A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 16,5 mohm @ 7a, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 12V | 2130 PF @ 10 V | - | 3,5W (TA), 19W (TC) | |||||
| SI4466DY-T1-GE3 | - | | 5587 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4466 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 20 V | 9.5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 9MOHM @ 13.5A, 4,5 V | 1,4 V @ 250µA | 60 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SI2399DS-T1-BE3 | 0,5100 | | 5804 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI2399DS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 5.1A (TA), 6A (TC) | 2,5 V, 10V | 34MOHM @ 5.1A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 20 NC @ 4,5 V | ± 12V | 835 PF @ 10 V | - | 1,25W (TA), 2,5W (TC) | ||||||
 | Sum33n20-60p-e3 | - | | 2669 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum33 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 33A (TC) | 10v, 15v | 59MOHM @ 20A, 15V | 4,5 V @ 250µA | 113 NC @ 15 V | ± 25V | 2735 PF @ 25 V | - | 3.12W (TA), 156W (TC) | ||||
| SQM40081EL_GE3 | 1.7900 | | 8318 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM40081 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,5MOHM @ 25A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 9950 PF @ 25 V | - | 107W (TC) | |||||
 | SIB412DK-T1-E3 | - | | 7233 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-75-6 | SIB412 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-75-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 9A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 34MOHM @ 6.6A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 10.16 NC @ 5 V | ± 8v | 535 pf @ 10 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
| Sira52dp-t1-ge3 | 1.3900 | | 9699 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira52 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,7MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 7150 pf @ 20 V | - | 48W (TC) | |||||
| Sia439edj-t1-ge3 | - | | 8077 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Sia439 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 28a (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 16,5 mohm @ 5a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 69 NC @ 8 V | ± 8v | 2410 PF @ 10 V | - | 3,5W (TA), 19W (TC) | |||||
| IRF737LCS | - | | 5183 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF737 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF737LCS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750mohm @ 3,7a, 10v | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | - | |||
 | Irfr010trpbf | 0,6218 | | 4260 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 50 V | 8.2a (TC) | 10V | 200 mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||
 | SI2343DS-T1-GE3 | 0,6300 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2343 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 3.1A (TA) | 10V | 53MOHM @ 4A, 10V | 3V à 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||
 | SQJ560EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ560 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 34W (TC) | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 60V | 30A (TC), 18A (TC) | 12MOHM @ 10A, 10V, 52.6MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 30nc @ 10v, 45nc @ 10v | 1650pf @ 25v | - | |||||||
| SI4563DY-T1-E3 | - | | 6498 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4563 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.25W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n et p | 40V | 8a | 16MOHM @ 5A, 10V | 2V à 250µA | 85nc @ 10v | 2390pf @ 20v | - | ||||||
| SQM120N04-1M9_GE3 | 2.1090 | | 2922 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 120A (TC) | 10V | 1,9MOHM @ 30A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 8790 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||
| Irfbc30as | - | | 5193 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbc30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfbc30as | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 3.6A (TC) | 10V | 2,2 ohm @ 2,2a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 510 PF @ 25 V | - | 74W (TC) |
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