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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIS415DNT-T1-GE3 | 0,7500 | ![]() | 9694 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SIS415 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 35A (TC) | 2,5 V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 180 NC @ 10 V | ± 12V | 5460 pf @ 10 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
![]() | Sihp12n50e-be3 | 1.8600 | ![]() | 990 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 10.5a (TC) | 10V | 380MOHM @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 886 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | |||||||
![]() | Irf840alpbf | 2.7800 | ![]() | 475 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRF840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irf840alpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1018 PF @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
![]() | 2N5546JTXL01 | - | ![]() | 2172 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | Par le trou | To-71-6 | 2N5546 | To-71 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | ||||||||||||||
![]() | Sir668Adp-T1-RE3 | 2.3000 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir668 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 93.6a (TC) | 7,5 V, 10V | 4,8MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 3750 pf @ 50 V | - | 104W (TC) | |||||
![]() | SQ3460EV-T1_GE3 | 0,9100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SQ3460 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 8A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 30MOHM @ 5.1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 14 NC @ 4,5 V | ± 8v | 1060 pf @ 10 V | - | 3.6W (TC) | |||||
![]() | SI6913DQ-T1-BE3 | 2.1400 | ![]() | 8472 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6913 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw (TA) | 8-TSSOP | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI6913DQ-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 12V | 4.9a (TA) | 21MOHM @ 5.8A, 4,5 V | 900 mV à 400µA | 28nc @ 4,5 V | - | - | |||||||
![]() | SiHF22N60S-E3 | - | ![]() | 2615 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Sihf22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 22A (TC) | 190MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | 2810 PF @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||||
![]() | SI2312CDS-T1-BE3 | 0,3900 | ![]() | 4771 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 5A (TA), 6A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 31.8MOHM @ 5A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 8v | 865 PF @ 10 V | - | 1.25W (TA), 2,1W (TC) | |||||||
![]() | SI7478DP-T1-E3 | 2.8500 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7478 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 15A (TA) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 20a, 10v | 3V à 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
![]() | SI1967DH-T1-E3 | 0,4100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1967 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.25W | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 1.3a | 490MOHM @ 910mA, 4,5 V | 1V @ 250µA | 4nc @ 8v | 110pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||
SiHP30N60E-GE3 | 5.9800 | ![]() | 7039 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sihp30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 29A (TC) | 10V | 125MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||
![]() | SQM100P10-19L_GE3 | 3.4300 | ![]() | 3547 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 100 V | 93a (TC) | 4,5 V, 10V | 19MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 350 NC @ 10 V | ± 20V | 14100 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||
![]() | SIR586DP-T1-RE3 | 1.4100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN V | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 20,7a (TA), 78,4a (TC) | 7,5 V, 10V | 5,8MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1905 PF @ 40 V | - | 5W (TA), 71,4W (TC) | ||||||
![]() | SiDR608DP-T1-RE3 | 2.4300 | ![]() | 6315 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sidr608 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8DC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 45 V | 51A (TA), 208A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,2 mohm @ 20a, 10v | 2,3 V @ 250µA | 167 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 8900 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
![]() | SISH536DN-T1-GE3 | 0,6400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN V | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8SH | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8SH | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 24,7a (TA), 67,4a (TC) | 4,5 V, 10V | 3 25MOHM @ 10A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | + 16v, -12v | 1150 pf @ 15 V | - | 3 57W (TA), 26,5W (TC) | ||||||
![]() | SQA442EJ-T1_GE3 | 0,6300 | ![]() | 29 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | SQA442 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 9A (TC) | 4,5 V, 10V | 32MOHM @ 3A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 9.7 NC @ 10 V | ± 20V | 636 PF @ 25 V | - | 13.6W (TC) | |||||
![]() | SI3442CDV-T1-GE3 | - | ![]() | 6589 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3442 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 8A (TC) | 2,5 V, 10V | 27MOHM @ 6.5A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 12V | 335 PF @ 10 V | - | 1.7W (TA), 2,7W (TC) | |||||
![]() | SI4992EY-T1-GE3 | - | ![]() | 6227 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4992 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,4 W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 75V | 3.6a | 48MOHM @ 4.8A, 10V | 3V à 250µA | 21nc @ 10v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | SISH402DN-T1-GE3 | 0,9400 | ![]() | 480 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8SH | Sish402 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8SH | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 19A (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 19A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
![]() | Sihd6n62e-ge3 | 0,6918 | ![]() | 7517 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sihd6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 6A (TC) | 10V | 900MOHM @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 30V | 578 PF @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||||
![]() | SI5999EDU-T1-GE3 | - | ![]() | 9313 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Dual | SI5999 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10.4w | PowerPak® Chipfet Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 6A | 59MOHM @ 3,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 20nc @ 10v | 496pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||
![]() | SI7456DP-T1-GE3 | 2.1000 | ![]() | 942 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7456 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 5.7A (TA) | 6v, 10v | 25MOHM @ 9.3A, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
![]() | SI2331DS-T1-GE3 | - | ![]() | 2644 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2331 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 3.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 48MOHM @ 3,6A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 14 NC @ 4,5 V | ± 8v | 780 pf @ 6 V | - | 710mw (TA) | ||||
![]() | SI5517DU-T1-E3 | - | ![]() | 7282 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Dual | SI5517 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8.3W | PowerPak® Chipfet Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 20V | 6A | 39MOHM @ 4,4A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 16nc @ 8v | 520pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||
![]() | IRFB9N65APBF-BE3 | 2.8500 | ![]() | 863 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irfb9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | 742-IRFB9N65APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 8.5A (TC) | 930MOHM @ 5.1A, 10V | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 1417 pf @ 25 V | - | 167W (TC) | ||||||
![]() | Irliz14g | - | ![]() | 9268 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | IRliz14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irliz14g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 8A (TC) | 4V, 5V | 200 mohm @ 4.8a, 5v | 2V à 250µA | 8,4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | |||
![]() | SI6469DQ-T1-GE3 | - | ![]() | 9451 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6469 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 28MOHM @ 6A, 4,5 V | 450 mV à 250 µA (min) | 40 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.5W (TA) | |||||
![]() | Sij458dp-t1-ge3 | - | ![]() | 4687 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sij458 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 2,2MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 122 NC @ 10 V | ± 20V | 4810 PF @ 15 V | - | 5W (TA), 69,4W (TC) | |||||
SQJ200EP-T1_GE3 | 1.2100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ200 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 27W, 48W | PowerPak® SO-8 Double asymétrique | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 20A, 60A | 8,8MOHM @ 16A, 10V | 2V à 250µA | 18nc @ 10v | 975pf @ 10v | - |
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