SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max)
SIS415DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS415DNT-T1-GE3 0,7500
RFQ
ECAD 9694 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 SIS415 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 35A (TC) 2,5 V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 1,5 V @ 250µA 180 NC @ 10 V ± 12V 5460 pf @ 10 V - 3.7W (TA), 52W (TC)
SIHP12N50E-BE3 Vishay Siliconix Sihp12n50e-be3 1.8600
RFQ
ECAD 990 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 10.5a (TC) 10V 380MOHM @ 6A, 10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ± 30V 886 pf @ 100 V - 114W (TC)
IRF840ALPBF Vishay Siliconix Irf840alpbf 2.7800
RFQ
ECAD 475 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa IRF840 MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irf840alpbf EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1018 PF @ 25 V - 3.1W (TA), 125W (TC)
2N5546JTXL01 Vishay Siliconix 2N5546JTXL01 -
RFQ
ECAD 2172 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète - Par le trou To-71-6 2N5546 To-71 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 20 - -
SIR668ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir668Adp-T1-RE3 2.3000
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir668 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 93.6a (TC) 7,5 V, 10V 4,8MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 V ± 20V 3750 pf @ 50 V - 104W (TC)
SQ3460EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3460EV-T1_GE3 0,9100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SQ3460 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 8A (TC) 1,8 V, 4,5 V 30MOHM @ 5.1A, 4,5 V 1V @ 250µA 14 NC @ 4,5 V ± 8v 1060 pf @ 10 V - 3.6W (TC)
SI6913DQ-T1-BE3 Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-BE3 2.1400
RFQ
ECAD 8472 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) Si6913 MOSFET (Oxyde Métallique) 830mw (TA) 8-TSSOP télécharger 1 (illimité) 742-SI6913DQ-T1-BE3TR EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canal P (double) 12V 4.9a (TA) 21MOHM @ 5.8A, 4,5 V 900 mV à 400µA 28nc @ 4,5 V - -
SIHF22N60S-E3 Vishay Siliconix SiHF22N60S-E3 -
RFQ
ECAD 2615 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Sihf22 MOSFET (Oxyde Métallique) Emballage complet à 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 22A (TC) 190MOHM @ 11A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V 2810 PF @ 25 V - 250W (TC)
SI2312CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2312CDS-T1-BE3 0,3900
RFQ
ECAD 4771 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 5A (TA), 6A (TC) 1,8 V, 4,5 V 31.8MOHM @ 5A, 4,5 V 1V @ 250µA 18 NC @ 5 V ± 8v 865 PF @ 10 V - 1.25W (TA), 2,1W (TC)
SI7478DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7478DP-T1-E3 2.8500
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 SI7478 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 15A (TA) 4,5 V, 10V 7,5 mohm @ 20a, 10v 3V à 250µA 160 NC @ 10 V ± 20V - 1.9W (TA)
SI1967DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1967DH-T1-E3 0,4100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1967 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.25W SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 1.3a 490MOHM @ 910mA, 4,5 V 1V @ 250µA 4nc @ 8v 110pf @ 10v Porte de Niveau Logique
SIHP30N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHP30N60E-GE3 5.9800
RFQ
ECAD 7039 0,00000000 Vishay Siliconix E Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sihp30 MOSFET (Oxyde Métallique) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 29A (TC) 10V 125MOHM @ 15A, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 V ± 30V 2600 pf @ 100 V - 250W (TC)
SQM100P10-19L_GE3 Vishay Siliconix SQM100P10-19L_GE3 3.4300
RFQ
ECAD 3547 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SQM100 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d²pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 100 V 93a (TC) 4,5 V, 10V 19MOHM @ 30A, 10V 2,5 V @ 250µA 350 NC @ 10 V ± 20V 14100 pf @ 25 V - 375W (TC)
SIR586DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR586DP-T1-RE3 1.4100
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN V Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 80 V 20,7a (TA), 78,4a (TC) 7,5 V, 10V 5,8MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1905 PF @ 40 V - 5W (TA), 71,4W (TC)
SIDR608DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SiDR608DP-T1-RE3 2.4300
RFQ
ECAD 6315 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sidr608 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8DC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 45 V 51A (TA), 208A (TC) 4,5 V, 10V 1,2 mohm @ 20a, 10v 2,3 V @ 250µA 167 NC @ 10 V + 20V, -16V 8900 pf @ 20 V - 6.25W (TA), 104W (TC)
SISH536DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH536DN-T1-GE3 0,6400
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN V Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8SH MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8SH télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 24,7a (TA), 67,4a (TC) 4,5 V, 10V 3 25MOHM @ 10A, 10V 2,2 V @ 250µA 25 NC @ 10 V + 16v, -12v 1150 pf @ 15 V - 3 57W (TA), 26,5W (TC)
SQA442EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA442EJ-T1_GE3 0,6300
RFQ
ECAD 29 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SC-70-6 SQA442 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 9A (TC) 4,5 V, 10V 32MOHM @ 3A, 10V 2,5 V @ 250µA 9.7 NC @ 10 V ± 20V 636 PF @ 25 V - 13.6W (TC)
SI3442CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3442CDV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6589 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Si3442 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 8A (TC) 2,5 V, 10V 27MOHM @ 6.5A, 10V 1,5 V @ 250µA 14 NC @ 10 V ± 12V 335 PF @ 10 V - 1.7W (TA), 2,7W (TC)
SI4992EY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4992EY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6227 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4992 MOSFET (Oxyde Métallique) 1,4 W 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 75V 3.6a 48MOHM @ 4.8A, 10V 3V à 250µA 21nc @ 10v - Porte de Niveau Logique
SISH402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH402DN-T1-GE3 0,9400
RFQ
ECAD 480 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8SH Sish402 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8SH télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 19A (TA), 35A (TC) 4,5 V, 10V 6MOHM @ 19A, 10V 2,2 V @ 250µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 52W (TC)
SIHD6N62E-GE3 Vishay Siliconix Sihd6n62e-ge3 0,6918
RFQ
ECAD 7517 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sihd6 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 6A (TC) 10V 900MOHM @ 3A, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 V ± 30V 578 PF @ 100 V - 78W (TC)
SI5999EDU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5999EDU-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9313 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® Chipfet ™ Dual SI5999 MOSFET (Oxyde Métallique) 10.4w PowerPak® Chipfet Dual télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 6A 59MOHM @ 3,5A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 20nc @ 10v 496pf @ 10v Porte de Niveau Logique
SI7456DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7456DP-T1-GE3 2.1000
RFQ
ECAD 942 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 SI7456 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 5.7A (TA) 6v, 10v 25MOHM @ 9.3A, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 V ± 20V - 1.9W (TA)
SI2331DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2331DS-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2644 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 Si2331 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 12 V 3.2a (TA) 1,8 V, 4,5 V 48MOHM @ 3,6A, 4,5 V 900 mV à 250 µA 14 NC @ 4,5 V ± 8v 780 pf @ 6 V - 710mw (TA)
SI5517DU-T1-E3 Vishay Siliconix SI5517DU-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7282 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® Chipfet ™ Dual SI5517 MOSFET (Oxyde Métallique) 8.3W PowerPak® Chipfet Dual télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n et p 20V 6A 39MOHM @ 4,4A, 4,5 V 1V @ 250µA 16nc @ 8v 520pf @ 10v Porte de Niveau Logique
IRFB9N65APBF-BE3 Vishay Siliconix IRFB9N65APBF-BE3 2.8500
RFQ
ECAD 863 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Irfb9 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) 742-IRFB9N65APBF-BE3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 8.5A (TC) 930MOHM @ 5.1A, 10V 4V @ 250µA 48 NC @ 10 V ± 30V 1417 pf @ 25 V - 167W (TC)
IRLIZ14G Vishay Siliconix Irliz14g -
RFQ
ECAD 9268 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé IRliz14 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * Irliz14g EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 60 V 8A (TC) 4V, 5V 200 mohm @ 4.8a, 5v 2V à 250µA 8,4 NC @ 5 V ± 10V 400 pf @ 25 V - 27W (TC)
SI6469DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6469DQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9451 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) Si6469 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 8 V 6a (ta) 1,8 V, 4,5 V 28MOHM @ 6A, 4,5 V 450 mV à 250 µA (min) 40 NC @ 4,5 V ± 8v - 1.5W (TA)
SIJ458DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sij458dp-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 4687 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sij458 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 60a (TC) 4,5 V, 10V 2,2MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 122 NC @ 10 V ± 20V 4810 PF @ 15 V - 5W (TA), 69,4W (TC)
SQJ200EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ200EP-T1_GE3 1.2100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Dual SQJ200 MOSFET (Oxyde Métallique) 27W, 48W PowerPak® SO-8 Double asymétrique télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 20V 20A, 60A 8,8MOHM @ 16A, 10V 2V à 250µA 18nc @ 10v 975pf @ 10v -
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    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

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