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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7469DP-T1-E3 | 2.6600 |  | 74 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Si7469 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 80 V | 28a (TC) | 4,5 V, 10V | 25MOHM @ 10.2A, 10V | 3V à 250µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4700 PF @ 40 V | - | 5.2W (TA), 83,3W (TC) | |||||
 | SI5418DU-T1-GE3 | 1.3200 | | 659 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Single | SI5418 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® Chipfet ™ Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 14,5 mohm @ 7,7a, 10v | 3V à 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||
 | SI4200DY-T1-GE3 | - | | 5117 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4200 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2,8 W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 25V | 8a | 25MOHM @ 7.3A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 12nc @ 10v | 415pf @ 13v | Porte de Niveau Logique | |||||||
 | SUM60020E-GE3 | 3.1100 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum60020 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 80 V | 150a (TC) | 7,5 V, 10V | 2.1MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 227 NC @ 10 V | ± 20V | 10680 PF @ 40 V | - | 375W (TC) | |||||
 | Irf644npbf | - | | 6534 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF644 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irf644npbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 250 V | 14A (TC) | 10V | 240mohm @ 8,4a, 10v | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | Irfbc40strlpbf | 4.4500 | | 3642 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbc40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 3,7a, 10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | |||||
 | Irfi840glcpbf | 2.9600 | | 725 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfi840glcpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 4.5a (TC) | 10V | 850mohm @ 2,7a, 10v | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
| SI7850DP-T1-E3 | 2 0000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7850 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 6.2a (TA) | 4,5 V, 10V | 22MOHM @ 10.3A, 10V | 3V à 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.8W (TA) | ||||||
| SUM40N02-12P-E3 | - | | 8901 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sum40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 20 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 12 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1000 pf @ 10 V | - | 3,75W (TA), 83W (TC) | ||||
 | SI5485DU-T1-GE3 | - | | 4626 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Single | SI5485 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® Chipfet ™ Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 12A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 25MOHM @ 5.9A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 42 NC @ 8 V | ± 12V | 1100 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
 | SI5853CDC-T1-E3 | - | | 3250 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5853 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 4A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 104MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 11 NC @ 8 V | ± 8v | 350 pf @ 10 V | Diode Schottky (isolé) | 1.5W (TA), 3,1W (TC) | ||||
 | IRlr120trl | - | | 5658 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270MOHM @ 4.6A, 5V | 2V à 250µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| IRlr120trpbf | 1.6500 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRLR120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 100 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270MOHM @ 4.6A, 5V | 2V à 250µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | Si8435DB-T1-E1 | - | | 2179 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8435 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 Microfoot | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 10A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 41MOHM @ 1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 35 NC @ 5 V | ± 5V | 1600 pf @ 10 V | - | 2,78W (TA), 6,25W (TC) | ||||
| IRFR9014NTR | - | | 1970 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SI6463BDQ-T1-GE3 | - | | 3319 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6463 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 6.2a (TA) | 15MOHM @ 7.4A, 4,5 V | 800 mV à 250µA | 60 NC @ 5 V | - | |||||||||
 | SI7107DN-T1-GE3 | - | | 7992 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7107 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 9.8A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 10,8MOHM @ 15,3A, 4,5 V | 1v @ 450µa | 44 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.5W (TA) | |||||
| Sira18dp-t1-re3 | 0.1904 | | 4824 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 33A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 10a, 10v | 2,4 V @ 250µA | 21,5 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 1000 pf @ 15 V | - | 14.7W (TC) | ||||||
| Irfr420trpbf | 1.2900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1.4A, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| SI4778DY-T1-GE3 | - | | 8387 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4778 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 8A (TC) | 4,5 V, 10V | 23MOHM @ 7A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 16V | 680 pf @ 13 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||||
| SQJQ144AE-T1_GE3 | 2.7700 | | 4319 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | SQJQ144 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQJQ144AE-T1_GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 40 V | 575A (TC) | 10V | 0,9MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 9020 PF @ 25 V | - | 600W (TC) | ||||
| Sira01dp-t1-ge3 | 1.2600 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira01 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 26A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,9MOHM @ 15A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 112 NC @ 10 V | + 16v, -20V | 3490 PF @ 15 V | - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||
 | Irfpc40 | - | | 8904 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfpc40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFPC40 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 6.8A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 4.1a, 10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | SQ2310ES-T1_GE3 | 0,9000 | | 13 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2310 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 6A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 30MOHM @ 5A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 8,5 NC @ 4,5 V | ± 8v | 485 PF @ 10 V | - | 2W (TC) | |||||
| Irli540gpbf | 2.1600 | | 364 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | IRli540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 17A (TC) | 4V, 5V | 77MOHM @ 10A, 5V | 2V à 250µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||
| Irf830astrl | - | | 6793 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF830 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 3a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | IRFU224 | - | | 2961 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU2 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFU224 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 250 V | 3.8A (TC) | 10V | 1,1 ohm @ 2,3a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
| SI5473DC-T1-E3 | - | | 8297 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5473 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 5.9A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 27MOHM @ 5.9A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 32 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.3W (TA) | |||||
| IRFU9220 | - | | 1889 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFU9220 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 200 V | 3.6A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 2,2a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | SIE854DF-T1-GE3 | - | | 6300 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 10-Polarpak® (L) | Sie854 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 10-Polarpak® (L) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 60a (TC) | 10V | 14.2MOHM @ 13.2A, 10V | 4,4 V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 50 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) |
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