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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1426DH-T1-GE3 | - |  | 2951 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1426 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 2.8A (TA) | 4,5 V, 10V | 75MOHM @ 3,6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 3 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1W (ta) | |||||
 | SQS850EN-T1_GE3 | 1.0300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SQS850 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 21,5 mohm @ 6.1a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 2021 PF @ 30 V | - | 33W (TC) | ||||||
 | Irf9z24strr | - | | 4600 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 60 V | 11a (TC) | 10V | 280MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
 | SQJA60EP-T1_BE3 | 1.1100 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJA60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 Dual | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 12,5 mohm @ 8a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||
 | Sihg73n60ae-ge3 | 11.4800 | | 74 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg73 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 600 V | 60a (TC) | 10V | 40MOHM @ 36,5A, 10V | 4V @ 250µA | 394 NC @ 10 V | ± 30V | 5500 pf @ 100 V | - | 417W (TC) | |||||
 | IRFI840G | - | | 4585 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFI840G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 4.6a (TC) | 10V | 850mohm @ 2,8a, 10v | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||
| IRl640strrpbf | 2.9500 | | 800 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL640 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 17A (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5v | 2V à 250µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
 | IRLU024 | - | | 5183 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRLU024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * IRLU024 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 60 V | 14A (TC) | 4V, 5V | 100 mohm @ 8,4a, 5v | 2V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | IRL520PBF-BE3 | 1.4600 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRL520 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | 742-irl520pbf-be3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 9.2a (TC) | 270MOHM @ 5.5A, 5V | 2V à 250µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||
 | SI4943CDY-T1-E3 | 1,7000 | | 8274 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4943 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 20V | 8a | 19.2MOHM @ 8.3A, 10V | 3V à 250µA | 62nc @ 10v | 1945pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||
| Irli540gpbf | 2.1600 | | 364 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | IRli540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 17A (TC) | 4V, 5V | 77MOHM @ 10A, 5V | 2V à 250µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||
 | SIR838DP-T1-GE3 | - | | 3144 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir838 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 150 V | 35A (TC) | 10V | 33MOHM @ 8.3A, 10V | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2075 PF @ 75 V | - | 5.4W (TA), 96W (TC) | ||||
| Sir624dp-t1-re3 | 1.2000 | | 2242 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir624 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 200 V | 5.7A (TA), 18.6A (TC) | 7,5 V, 10V | 60mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1110 PF @ 100 V | - | 5W (TA), 52W (TC) | |||||
 | Siss46dn-t1-ge3 | 1 5500 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8S | Siss46 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8S | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 12.5A (TA), 45,3A (TC) | 7,5 V, 10V | 12.8MOHM @ 10A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 2140 PF @ 50 V | - | 5W (TA), 65,7W (TC) | |||||
 | Sir5108dp-T1-RE3 | 1.5700 | | 5133 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir5108 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 15.4A (TA), 55,9A (TC) | 7,5 V, 10V | 7 45 mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 50 V | - | 5.2W (TA), 65,7W (TC) | ||||||
 | SIHK075N60EF-T1GE3 | 7.3900 | | 26 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Ef | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerBsfn | Sihk075 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerpak®10 x 12 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 600 V | 33A (TC) | 10V | 71MOHM @ 15A, 10V | 5V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 2954 PF @ 100 V | - | 192W (TC) | |||||
 | SQJ431AEP-T1_BE3 | 1.6400 | | 2342 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJ431AEP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 200 V | 9.4a (TC) | 6v, 10v | 305MOHM @ 3,8A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 3700 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||
 | SQ2310ES-T1_GE3 | 0,9000 | | 13 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2310 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 6A (TC) | 1,5 V, 4,5 V | 30MOHM @ 5A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 8,5 NC @ 4,5 V | ± 8v | 485 PF @ 10 V | - | 2W (TC) | |||||
| SQ2398ES-T1_GE3 | 0,6300 | | 458 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2398 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 1.6A (TC) | 10V | 300 MOHM @ 1,5A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 3,4 NC @ 10 V | ± 20V | 152 pf @ 50 V | - | 2W (TC) | ||||||
| SI4186DY-T1-GE3 | 1.2100 | | 69 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4186 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 20 V | 35,8A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,6MOHM @ 15A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3630 PF @ 10 V | - | 3W (TA), 6W (TC) | |||||
| SI4048DY-T1-GE3 | - | | 2509 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4048 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 19.3a (TC) | 10V | 85MOHM @ 15A, 10V | 3V à 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2060 PF @ 15 V | - | 2,5W (TA), 5,7W (TC) | |||||
 | SQD40081EL_GE3 | 1.3700 | | 2265 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD40081 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 40 V | 50A (TC) | 10V | 8,5MOHM @ 25A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 9950 PF @ 25 V | - | 71W (TC) | |||||
 | IRFL214 | - | | 5602 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | IRFL214 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFL214 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | Canal n | 250 V | 790mA (TC) | 10V | 2OHM @ 470mA, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||
 | Sihd5n50d-ge3 | 1.0500 | | 1756 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sihd5 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 500 V | 5.3A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 2,5a, 10v | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 325 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||
| Irfibc40glcpbf | 2.3946 | | 3626 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfibc40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfibc40glcpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 3.5a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,1a, 10v | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
 | Sia814dj-t1-ge3 | - | | 7117 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | SIA814 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 4.5a (TC) | 2,5 V, 10V | 61MOHM @ 3,3A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 12V | 340 pf @ 10 V | Diode Schottky (isolé) | 1.9W (TA), 6,5W (TC) | ||||
 | SI6966DQ-T1-GE3 | - | | 9688 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6966 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 830mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 4A | 30 mohm @ 4.5a, 4,5 V | 1,4 V @ 250µA | 20nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SI5933DC-T1-GE3 | - | | 3407 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5933 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 2.7A | 110MOHM @ 2,7A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 7.7nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SUD25N15-52-T4-E3 | 1.5962 | | 1682 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 150 V | 25a (TC) | 6v, 10v | 52MOHM @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1725 PF @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
| Irfl9014trpbf | 0,9300 | | 47 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | Irfl9014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 60 V | 1.8A (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) |
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