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Transistors (5716)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max)
SIR5808DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR5808DP-T1-RE3 1.4100
RFQ
 ECAD 1063 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir5808 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 80 V 18.8A (TA), 66.8A (TC) 7,5 V, 10V 157MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ± 30V 1210 PF @ 40 V - 5.2W (TA), 65,7W (TC)
IRFBE20L Vishay Siliconix Irfbe20l -
RFQ
 ECAD 1628 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Irfbe20 MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) * Irfbe20l EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 1.8A (TC) 10V 6,5 ohm @ 1.1a, 10v 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ± 20V 530 pf @ 25 V - -
SIR888DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR888DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6224 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir888 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 25 V 40A (TC) 4,5 V, 10V 3,25 mohm @ 15a, 10v 2,2 V @ 250µA 120 NC @ 10 V ± 16V 5065 PF @ 15 V - 5W (TA), 48W (TC)
2N6661JTXV02 Vishay Siliconix 2N6661JTXV02 -
RFQ
 ECAD 3690 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 2N6661 MOSFET (Oxyde Métallique) To-39 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 Canal n 90 V 860mA (TC) 5v, 10v 4OHM @ 1A, 10V 2v @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 725MW (TA), 6,25W (TC)
SIR624DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir624dp-T1-Ge3 1.2000
RFQ
 ECAD 5356 0,00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir624 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 200 V 18.6a (TC) 7,5 V, 10V 60mohm @ 10a, 10v 4V @ 250µA 23 NC @ 7,5 V ± 20V 1110 PF @ 100 V - 52W (TC)
SI7421DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7421DN-T1-E3 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 SI7421 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 30 V 6.4a (TA) 4,5 V, 10V 25MOHM @ 9.8A, 10V 3V à 250µA 40 NC @ 10 V ± 20V - 1.5W (TA)
IRFPG30PBF Vishay Siliconix Irfpg30pbf 3.5400
RFQ
 ECAD 161 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Irfpg30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irfpg30pbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 1000 V 3.1A (TC) 10V 5OHM @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 80 NC @ 10 V ± 20V 980 PF @ 25 V - 125W (TC)
IRF9620PBF Vishay Siliconix Irf9620pbf 1.6800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 IRF9620 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irf9620pbf EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 200 V 3.5a (TC) 10V 1,5 ohm @ 1,5a, 10v 4V @ 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 40W (TC)
IRFIBF30G Vishay Siliconix Irfibf30g -
RFQ
 ECAD 4558 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Irfibf30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * Irfibf30g EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 900 V 1.9A (TC) 10V 3,7 ohm @ 1.1a, 10v 4V @ 250µA 78 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 35W (TC)
IRFP460NPBF Vishay Siliconix Irfp460npbf -
RFQ
 ECAD 2523 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IRFP460 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * Irfp460npbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 500 V 20A (TC) 10V 240mohm @ 12a, 10v 5V @ 250µA 124 NC @ 10 V ± 30V 3540 pf @ 25 V - 280W (TC)
SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4554DY-T1-GE3 0,7900
RFQ
 ECAD 2207 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4554 MOSFET (Oxyde Métallique) 3.1W, 3.2W 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n et p 40V 8a 24MOHM @ 6.8A, 10V 2,2 V @ 250µA 20nc @ 10v 690pf @ 20v Porte de Niveau Logique
SI9433BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9433BDY-T1-E3 0,8900
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI9433 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 20 V 4.5a (TA) 2,7 V, 4,5 V 40 mohm @ 6.2a, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 14 NC @ 4,5 V ± 12V - 1.3W (TA)
SIE810DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE810DF-T1-E3 1.7317
RFQ
 ECAD 1049 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 10-Polarpak® (L) Sie810 MOSFET (Oxyde Métallique) 10-Polarpak® (L) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 60a (TC) 2,5 V, 10V 1,4 mohm @ 25a, 10v 2V à 250µA 300 NC @ 10 V ± 12V 13000 pf @ 10 V - 5.2W (TA), 125W (TC)
SI2392ADS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2392ADS-T1-BE3 0,5400
RFQ
 ECAD 2716 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger 1 (illimité) 742-SI2392ADS-T1-BE3TR EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 2.2A (TA), 3.1A (TC) 4,5 V, 10V 126MOHM @ 2A, 10V 3V à 250µA 10.4 NC @ 10 V ± 20V 196 pf @ 50 V - 1,25W (TA), 2,5W (TC)
SIJH5800E-T1-GE3 Vishay Siliconix Sijh5800e-T1-Ge3 6.5400
RFQ
 ECAD 8664 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 8 x 8 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 8 x 8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 80 V 30A (TA), 302A (TC) 7,5 V, 10V 1 35 mohm @ 20a, 10v 4V @ 250µA 155 NC @ 10 V ± 20V 7730 PF @ 40 V - 3.3W (TA), 333W (TC)
SI4774DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4774DY-T1-GE3 0,3900
RFQ
 ECAD 65 0,00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TA) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4774 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 16A (TC) 4,5 V, 10V 9.5MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 1mA 14.3 NC @ 4,5 V ± 20V 1025 PF @ 15 V Diode Schottky (Corps) 5W (TC)
SIHFR9310TR-GE3 Vishay Siliconix Sihfr9310tr-ge3 1.5800
RFQ
 ECAD 8059 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sihfr9310 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal p 400 V 1.8A (TC) 10V 7OHM @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 20V 270 pf @ 25 V - 50W (TC)
SIHA150N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHA150N60E-GE3 3.6100
RFQ
 ECAD 9374 0,00000000 Vishay Siliconix E Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Siha150 MOSFET (Oxyde Métallique) Emballage complet à 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SIHA150N60E-GE3 EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 9A (TC) 10V 155MOHM @ 10A, 10V 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1514 pf @ 100 V - 179W (TC)
SQJQ148E-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ148E-T1_GE3 2.3700
RFQ
 ECAD 3705 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 8 x 8 SQJQ148 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 8 x 8 - Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SQJQ148E-T1_GE3TR EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 40 V 375A (TC) 10V 1,6 mohm @ 20a, 10v 3,5 V @ 250µA 86 NC @ 10 V ± 20V 4930 pf @ 25 V - 325W (TC)
SI7120DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7120DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 1466 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban de Coupé (CT) Obsolète Support de surface PowerPak® 1212-8 Si7120 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 6.3A (TA) 19MOHM @ 10A, 10V 3,5 V @ 250µA 45 NC @ 10 V -
SIHA22N60E-GE3 Vishay Siliconix Siha22n60e-ge3 3,9000
RFQ
 ECAD 997 0,00000000 Vishay Siliconix El Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) Emballage complet à 220 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 8A (TC) 10V 180MOHM @ 11A, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 V ± 30V 1920 pf @ 100 V - 35W (TC)
SI5459DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5459DU-T1-GE3 0,6100
RFQ
 ECAD 901 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® Chipfet ™ Single SI5459 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® Chipfet ™ Single télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 8A (TC) 2,5 V, 4,5 V 52MOHM @ 6.7A, 4,5 V 1,4 V @ 250µA 26 NC @ 10 V ± 12V 665 PF @ 10 V - 3,5W (TA), 10,9W (TC)
SIHF6N65E-GE3 Vishay Siliconix Sihf6n65e-ge3 1.2028
RFQ
 ECAD 5949 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET Sihf6 MOSFET (Oxyde Métallique) Emballage complet à 220 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 650 V 7a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10v 4V @ 250µA 48 NC @ 10 V ± 30V 820 pf @ 100 V - 31W (TC)
IRFP064PBF Vishay Siliconix Irfp064pbf 5.3400
RFQ
 ECAD 452 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Irfp064 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irfp064pbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 60 V 70A (TC) 10V 9MOHM @ 78A, 10V 4V @ 250µA 190 NC @ 10 V ± 20V 7400 pf @ 25 V - 300W (TC)
SQJA70EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJA70EP-T1_BE3 0,7500
RFQ
 ECAD 1477 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger 1 (illimité) 742-SQJA70EP-T1_BE3TR EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 14.7A (TC) 10V 95MOHM @ 4A, 10V 3,5 V @ 250µA 7 NC @ 10 V ± 20V 220 pf @ 25 V - 27W (TC)
SIHF9540PBF Vishay Siliconix Sihf9540pbf -
RFQ
 ECAD 7246 0,00000000 Vishay Siliconix * Tube Actif Sihf9540 - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50
SI2314EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2314EDS-T1-GE3 0,3197
RFQ
 ECAD 6452 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2314 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 20 V 3.77A (TA) 1,8 V, 4,5 V 33MOHM @ 5A, 4,5 V 950 mV à 250µA 14 NC @ 4,5 V ± 12V - 750MW (TA)
SIHB22N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60E-GE3 4.1200
RFQ
 ECAD 1632 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Sihb22 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Sihb22n60ege3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 21A (TC) 10V 180MOHM @ 11A, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 V ± 30V 1920 pf @ 100 V - 227W (TC)
SQJQ131EL-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ131EL-T1_GE3 3.3300
RFQ
 ECAD 3247 0,00000000 Vishay Siliconix Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 8 x 8 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 8 x 8 - Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SQJQ131EL-T1_GE3TR EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal p 30 V 280a (TC) 4,5 V, 10V 1,4 mohm @ 10a, 10v 2,5 V @ 250µA 731 NC @ 10 V ± 20V 33050 pf @ 15 V - 600W (TC)
SUP85N10-10P-GE3 Vishay Siliconix Sup85n10-10p-ge3 -
RFQ
 ECAD 6079 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sup85 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 100 V 85a (TC) 10V 10MOHM @ 20A, 10V 4,5 V @ 250µA 120 NC @ 10 V ± 20V 4660 pf @ 50 V - 3,75W (TA), 227W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

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AD9208BBPZ-3000

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