SIC
close

Transistors (5716)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max)
SI8817DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8817DB-T2-E1 0 4700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4-XFBGA SI8817 MOSFET (Oxyde Métallique) 4 Microfoot télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 2.1A (TA) 1,5 V, 4,5 V 76MOHM @ 1A, 4,5 V 1V @ 250µA 19 NC @ 8 V ± 8v 615 PF @ 10 V - 500mw (TA)
IRF9610PBF-BE3 Vishay Siliconix Irf9610pbf-be3 1.6700
RFQ
 ECAD 860 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 IRF9610 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger 1 (illimité) 742-IRF9610PBF-BE3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal p 200 V 1.8A (TC) 3OHM @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ± 20V 170 pf @ 25 V - 20W (TC)
SQ4946AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4946AEY-T1_GE3 -
RFQ
 ECAD 3595 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SQ4946 MOSFET (Oxyde Métallique) 4W 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 60V 7a 40 mohm @ 4.5a, 10v 2,5 V @ 250µA 18nc @ 10v 750pf @ 25v Porte de Niveau Logique
SI5933CDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5933CDC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4767 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat SI5933 MOSFET (Oxyde Métallique) 2,8 W 1206-8 Chipfet ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 3.7a 144MOHM @ 2,5A, 4,5 V 1V @ 250µA 6.8nc @ 5v 276pf @ 10v -
SUP90N04-3M3P-GE3 Vishay Siliconix SUP90N04-3M3P-GE3 -
RFQ
 ECAD 7148 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sup90 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 500 Canal n 40 V 90a (TC) 4,5 V, 10V 3,3MOHM @ 22A, 10V 2,5 V @ 250µA 131 NC @ 10 V ± 20V 5286 PF @ 20 V - 3.1W (TA), 125W (TC)
SISA14DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA14DN-T1-GE3 0,6700
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 Sisa14 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 20A (TC) 4,5 V, 10V 5.1MOHM @ 10A, 10V 2,2 V @ 250µA 29 NC @ 10 V + 20V, -16V 1450 pf @ 15 V - 3 57W (TA), 26,5W (TC)
IRF3314STRL Vishay Siliconix Irf3314strl -
RFQ
 ECAD 2715 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic - Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF3314 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 150 V - 10V - - ± 20V - -
SIHH14N65EF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH14N65EF-T1-GE3 5.4100
RFQ
 ECAD 3783 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN Sihh14 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 8 x 8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 650 V 15A (TC) 10V 271MOHM @ 7A, 10V 4V @ 250µA 98 NC @ 10 V ± 30V 1749 PF @ 100 V - 156W (TC)
SIHB18N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB18N60E-GE3 1.7405
RFQ
 ECAD 7994 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SIHB18 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d²pak) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 18A (TC) 10V 202MOHM @ 9A, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 V ± 30V 1640 PF @ 100 V - 179W (TC)
SIZ988DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz988dt-t1-GE3 1.2800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN Siz988 MOSFET (Oxyde Métallique) 20.2W, 40W 8-PowerPair® télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 30V 40a (TC), 60a (TC) 7,5MOHM @ 10A, 10V, 4,1MOHM @ 19A, 10V 2,4 V @ 250µA, 2,2 V @ 250µA 10.5nc @ 4.5v, 23.1nc @ 4.5 V 1000pf @ 15v, 2425pf @ 15v -
SI7840BDP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7840BDP-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4615 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 SI7840 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 11a (ta) 4,5 V, 10V 8,5 mohm @ 16,5a, 10v 3V à 250µA 21 NC @ 4,5 V ± 20V - 1.8W (TA)
SIR474DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIR474DP-T1-GE3 0,9400
RFQ
 ECAD 618 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir474 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 20A (TC) 10V 9.5MOHM @ 10A, 10V 2,2 V @ 250µA 27 NC @ 10 V ± 20V 985 PF @ 15 V - 3.9W (TA), 29,8W (TC)
SI5435BDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5435BDC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3502 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat SI5435 MOSFET (Oxyde Métallique) 1206-8 Chipfet ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 30 V 4.3A (TA) 4,5 V, 10V 45MOHM @ 4.3A, 10V 3V à 250µA 24 NC @ 10 V ± 20V - 1.3W (TA)
SIHP11N80AE-GE3 Vishay Siliconix Sihp11n80ae-ge3 2.0300
RFQ
 ECAD 818 0,00000000 Vishay Siliconix E Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sihp11 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 8A (TC) 10V 450mohm @ 5.5a, 10v 4V @ 250µA 42 NC @ 10 V ± 30V 804 PF @ 100 V - 78W (TC)
SIHLR120-GE3 Vishay Siliconix Sihlr120-ge3 0,2893
RFQ
 ECAD 2209 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sihlr120 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SIHLR120-GE3TR EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 7.7a (TC) 4V, 5V 270MOHM @ 4.6A, 5V 2V à 250µA 12 NC @ 5 V ± 10V 490 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIA445EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix Sia445edjt-t1-ge3 0.4900
RFQ
 ECAD 1854 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SC-70-6 Sia445 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SC-70-6 Single télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 12A (TC) 2,5 V, 4,5 V 16.7MOHM @ 7A, 4,5 V 1,2 V à 250µA 69 NC @ 10 V ± 12V 2180 PF @ 10 V - 19W (TC)
IRFR9120TR Vishay Siliconix Irfr9120tr -
RFQ
 ECAD 1952 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR9120 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal p 100 V 5.6a (TC) 10V 600 mOhm @ 3,4a, 10v 4V @ 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 390 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir882Adp-T1-Ge3 2.5100
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sir882 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 60a (TC) 4,5 V, 10V 8,7MOHM @ 20A, 10V 2,8 V @ 250µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1975 PF @ 50 V - 5.4W (TA), 83W (TC)
SQJQ112ER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ112ER-T1_GE3 3.8600
RFQ
 ECAD 3163 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8 Powersmd, Aile du Mouette MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 8 x 8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SQJQ112ER-T1_GE3TR EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 100 V 296A (TC) 10V 2 53MOHM @ 20A, 10V 3,5 V @ 250µA 272 NC @ 10 V ± 20V 15945 pf @ 25 V - 600W (TC)
SQD19P06-60L_GE3 Vishay Siliconix SQD19P06-60L_GE3 1,6000
RFQ
 ECAD 9867 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 SQD19 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal p 60 V 20A (TC) 4,5 V, 10V 55MOHM @ 19A, 10V 2,5 V @ 250µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1490 pf @ 25 V - 46W (TC)
SIHFR9220-GE3 Vishay Siliconix SIHFR9220-GE3 0,8400
RFQ
 ECAD 6221 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 200 V 3.6A (TC) 10V 1,5 ohm @ 2,2a, 10v 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 340 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIDR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SiDR622DP-T1-GE3 3.0500
RFQ
 ECAD 2007 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sidr622 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8DC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 150 V 64.6a (TA), 56,7a (TC) 7,5 V, 10V 17.7MOHM @ 20A, 10V 4,5 V @ 250µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1516 pf @ 75 V - 6.25W (TA), 125W (TC)
SIHB053N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB053N60E-GE3 6.3800
RFQ
 ECAD 912 0,00000000 Vishay Siliconix E Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) 742-SIHB053N60E-GE3 EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 47a (TC) 10V 54MOHM @ 26,5A, 10V 5V @ 250µA 92 NC @ 10 V ± 30V 3722 PF @ 100 V - 278W (TC)
SI4890BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4890BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6520 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4890 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 16A (TC) 4,5 V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2,6 V @ 250µA 33 NC @ 10 V ± 25V 1535 pf @ 15 V - 2,5W (TA), 5,7W (TC)
SI7460DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7460DP-T1-E3 2.2000
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 SI7460 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 11a (ta) 4,5 V, 10V 9.6MOHM @ 18A, 10V 3V à 250µA 100 nc @ 10 V ± 20V - 1.9W (TA)
SI3475DV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3475DV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7214 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3475 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 200 V 950mA (TC) 6v, 10v 1,61 ohm @ 900mA, 10V 4V @ 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 50 V - 2W (TA), 3,2W (TC)
SUD90330E-BE3 Vishay Siliconix Sud90330e-be3 1.5800
RFQ
 ECAD 8916 0,00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sud90330 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa - 1 (illimité) 742-Sud90330E-BE3TR EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 200 V 35,8A (TC) 7,5 V, 10V 37,5MOHM @ 12.2A, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 V ± 20V 1172 PF @ 100 V - 125W (TC)
TN0201K-T1-E3 Vishay Siliconix TN0201K-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8938 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 TN0201 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 (à 236) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 20 V 420mA (TA) 4,5 V, 10V 1OHM @ 300mA, 10V 3V à 250µA 1,5 NC @ 10 V ± 20V - 350MW (TA)
IRFZ14SPBF Vishay Siliconix Irfz14spbf 1.5200
RFQ
 ECAD 120 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Irfz14 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 60 V 10A (TC) 10V 200 mohm @ 6a, 10v 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 43W (TC)
SIA430DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Sia430dj-t1-ge3 -
RFQ
 ECAD 3481 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SC-70-6 Sia430 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 20 V 12A (TC) 4,5 V, 10V 13,5MOHM @ 7A, 10V 3V à 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 800 pf @ 10 V - 3.5W (TA), 19.2W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

Liste RFQ (0 éléments)
Liste des paniers (0 articles)
WishlistWishList (0 éléments)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

Quantité: 1

Comparez la liste (0 éléments)
Appuyez sur Entrée pour rechercher ou ESC pour fermer