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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4425BDY-T1-E3 | 1.2900 |  | 133 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4425 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 8.8A (TA) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 11.4A, 10V | 3V à 250µA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | Irfbf30strl | - | | 5843 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbf30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 900 V | 3.6A (TC) | 10V | 3,7 ohm @ 2,2a, 10v | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI2343DS-T1-GE3 | 0,6300 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2343 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 3.1A (TA) | 10V | 53MOHM @ 4A, 10V | 3V à 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||
 | Irfi630gpbf | 2.9500 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi630 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfi630gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 5.9a (TC) | 10V | 400MOHM @ 3,5A, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
 | Irfpe30 | - | | 9379 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfpe30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFPE30 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5A, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
| SI9926BDY-T1-GE3 | - | | 6712 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI9926 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.14W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 20V | 6.2a | 20 mohm @ 8,2a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 20nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Sir606bdp-t1-re3 | 1.4600 | | 13 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir606 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 10.9a (TA), 38,7a (TC) | 7,5 V, 10V | 17.4MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1470 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||
 | SQS850EN-T1_BE3 | 1.0300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 21,5 mohm @ 6.1a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 2021 PF @ 30 V | - | 33W (TC) | |||||||
| SI4483edy-T1-Ge3 | - | | 4074 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4483 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 10A (TA) | 4,5 V, 10V | 8,5MOHM @ 14A, 10V | 3V à 250µA | ± 25V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | VP0300B-E3 | - | | 2220 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | - | VP0300 | MOSFET (Oxyde Métallique) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal p | 30 V | 320mA (TA) | 2,5 ohm @ 1a, 12v | 4,5 V @ 1MA | 150 pf @ 15 V | - | - | |||||||||
 | SI2302DDS-T1-BE3 | 0.4400 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | 742-SI2302DDS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 2.6A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 57MOHM @ 3,6A, 4,5 V | 850 mV à 250µA | 5,5 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 710mw (TA) | |||||||
| Sira02dp-t1-ge3 | 1.7700 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira02 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 2MOHM @ 15A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 117 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 6150 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 71,4W (TC) | ||||
| SI2333CDS-T1-BE3 | 0,6200 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 5.1a (TA), 7.1a (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 35MOHM @ 5.1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 25 NC @ 4,5 V | ± 8v | 1225 pf @ 6 V | - | 1,25W (TA), 2,5W (TC) | |||||||
 | SI5511DC-T1-GE3 | - | | 3247 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5511 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W, 2.6W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 30V | 4a, 3.6a | 55MOHM @ 4.8A, 4,5 V | 2V à 250µA | 7.1nc @ 5v | 435pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||
| SI4462DY-T1-GE3 | - | | 2403 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4462 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 1.15A (TA) | 6v, 10v | 480MOHM @ 1,5A, 10V | 4V @ 250µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||
 | Sija58adp-t1-ge3 | 0,9800 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sija58 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 32.3a (TA), 109A (TC) | 4,5 V, 10V | 2 65 mohm @ 15a, 10v | 2,4 V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 3030 PF @ 20 V | - | 5W (TA), 56,8W (TC) | |||||
 | IRF820A | - | | 2120 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF820 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF820A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 2.5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 340 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
 | SQJQ100EL-T1_GE3 | 3.0300 | | 2552 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | SQJQ100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 40 V | 200A (TC) | 4,5 V, 10V | 1,2 mohm @ 20a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 14500 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
| Sihg47n60ef-ge3 | 9.9500 | | 492 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg47 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 47a (TC) | 10V | 67MOHM @ 24A, 10V | 4V @ 250µA | 225 NC @ 10 V | ± 30V | 4854 PF @ 100 V | - | 379W (TC) | |||||
| SQ4431EY-T1_GE3 | 1.0300 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SQ4431 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 10.8a (TC) | 10V | 30MOHM @ 6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1265 pf @ 15 V | - | 6W (TC) | |||||
| Irfp448pbf | 3.4860 | | 4195 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | IRFP448 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfp448pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 500 V | 11a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 84 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | ||||
| SI4322DY-T1-E3 | - | | 7011 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4322 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 18A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,5 mohm @ 15a, 10v | 3V à 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1640 PF @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5.4W (TC) | ||||
| IRL530STRR | - | | 5589 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 15A (TC) | 4V, 5V | 160MOHM @ 9A, 5V | 2V à 250µA | 28 NC @ 5 V | ± 10V | 930 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
 | IRFU9110 | - | | 5198 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFU9110 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 100 V | 3.1A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 1,9a, 10v | 4V @ 250µA | 8,7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
 | SI6433BDQ-T1-E3 | - | | 5047 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6433 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V | 40 mohm @ 4.8a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 15 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.05W (TA) | |||||
 | Irfr9310pbf | 1.6900 | | 2904 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9310 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 400 V | 1.8A (TC) | 10V | 7OHM @ 1.1A, 10V | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||
 | SIHFR430ATR-GE3 | 0,4263 | | 2827 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sihfr430 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIHFR430ATR-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1,7 ohm @ 3a, 10v | 4,5 V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||
 | SI3447BDV-T1-GE3 | - | | 5935 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3447 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 12 V | 4.5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 40 mohm @ 6a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 14 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.1W (TA) | |||||
| Irf640strr | - | | 5661 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF640 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 18A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | ||||
 | Siha5n80ae-ge3 | 1.3800 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | 742-SIHA5N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 3A (TC) | 10V | 1,35 ohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | 16,5 NC @ 10 V | ± 30V | 321 PF @ 100 V | - | 29W (TC) |
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