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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI7430DP-T1-E3 | 3.0100 | ![]() | 1605 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Si7430 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 150 V | 26A (TC) | 8v, 10v | 45MOHM @ 5A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1735 PF @ 50 V | - | 5.2W (TA), 64W (TC) | |||||
![]() | SIHH21N65E-T1-GE3 | 3.3167 | ![]() | 8400 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Sihh21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 650 V | 20,3a (TC) | 10V | 170MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 99 NC @ 10 V | ± 30V | 2404 PF @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
![]() | Sir624dp-t1-re3 | 1.2000 | ![]() | 2242 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir624 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 200 V | 5.7A (TA), 18.6A (TC) | 7,5 V, 10V | 60mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1110 PF @ 100 V | - | 5W (TA), 52W (TC) | |||||
![]() | SIR846DP-T1-GE3 | 2.5100 | ![]() | 8527 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir846 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 60a (TC) | 7,5 V, 10V | 7,8MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2870 pf @ 50 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
Irfb9n30apbf | - | ![]() | 8629 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irfb9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfb9n30apbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 300 V | 9.3a (TC) | 10V | 450mohm @ 5.6a, 10v | 4V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 920 PF @ 25 V | - | 96W (TC) | ||||
![]() | SI7994DP-T1-GE3 | 3,7000 | ![]() | 1087 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SI7994 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 46W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 60A | 5,6MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 80nc @ 10v | 3500pf @ 15v | - | |||||||
![]() | SI4425FDY-T1-GE3 | 0,7100 | ![]() | 3274 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4425 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 12.7A (TA), 18.3A (TC) | 4,5 V, 10V | 9.5MOHM @ 10A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | + 16v, -20V | 1620 PF @ 15 V | - | 2.3W (TA), 4,8W (TC) | |||||
![]() | Irfrc20 | - | ![]() | 4178 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfrc20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfrc20 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 600 V | 2A (TC) | 10V | 4.4OHM @ 1.2A, 10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
![]() | Sia814dj-t1-ge3 | - | ![]() | 7117 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | SIA814 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 4.5a (TC) | 2,5 V, 10V | 61MOHM @ 3,3A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 12V | 340 pf @ 10 V | Diode Schottky (isolé) | 1.9W (TA), 6,5W (TC) | ||||
![]() | Irfr9120trl | - | ![]() | 7811 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 600 mOhm @ 3,4a, 10v | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
![]() | IRLR014TR | - | ![]() | 1152 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRLR014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 60 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 200 mohm @ 4.6a, 5v | 2V à 250µA | 8,4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
![]() | IRF830 | - | ![]() | 6092 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF830 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF830 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 4.5a (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 2,7a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 610 PF @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
![]() | Siha5n80ae-ge3 | 1.3800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | Non applicable | 742-SIHA5N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 3A (TC) | 10V | 1,35 ohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | 16,5 NC @ 10 V | ± 30V | 321 PF @ 100 V | - | 29W (TC) | |||||
![]() | SQ1922EEH-T1_GE3 | 0.4900 | ![]() | 480 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1922 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1,5 w | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 840mA (TC) | 350mohm @ 400mA, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 1.2NC @ 4,5 V | 50pf @ 10v | - | |||||||
![]() | SISF04DN-T1-GE3 | 1.3400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8SCD | SISF04 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 5.2W (TA), 69,4W (TC) | PowerPak® 1212-8SCD | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SISF04DN-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) draine commun | 30V | 30A (TA), 108A (TC) | 4MOHM @ 7A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 60nc @ 10v | 2600pf @ 15v | - | ||||||
![]() | SI3442BDV-T1-GE3 | 0 2284 | ![]() | 3719 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3442 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 3a (ta) | 2,5 V, 4,5 V | 57MOHM @ 4A, 4,5 V | 1,8 V à 250µA | 5 NC @ 4,5 V | ± 12V | 295 PF @ 10 V | - | 860mw (TA) | |||||
![]() | Irfr1n60atrlpbf | 1.4800 | ![]() | 99 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 600 V | 1.4A (TC) | 10V | 7OHM @ 840mA, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 PF @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||
![]() | SI4630DY-T1-GE3 | 2 0000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4630 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 25 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,7MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 161 NC @ 10 V | ± 16V | 6670 PF @ 15 V | - | 3,5W (TA), 7,8W (TC) | |||||
IRL520 | - | ![]() | 8266 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRL520 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRL520 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 9.2a (TC) | 4V, 5V | 270MOHM @ 5.5A, 5V | 2V à 250µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||
IRF840LC | - | ![]() | 3579 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * IRF840LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10v | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
![]() | Irfr9014trr | - | ![]() | 5215 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
![]() | Sihd6n65e-ge3 | 1.6100 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sihd6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 650 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 820 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | |||||
![]() | Sia975dj-t1-ge3 | 0,6400 | ![]() | 179 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | Sia975 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 7.8w | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 12V | 4.5a | 41MOHM @ 4.3A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 26nc @ 8v | 1500pf @ 6v | Porte de Niveau Logique | |||||||
![]() | SI5853DDC-T1-E3 | - | ![]() | 7426 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5853 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 4A (TC) | 1,8 V, 4,5 V | 105MOHM @ 2,9A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 12 NC @ 8 V | ± 8v | 320 pf @ 10 V | Diode Schottky (isolé) | 1.3W (TA), 3.1W (TC) | ||||
![]() | SI7116DN-T1-E3 | 2.2300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7116 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 10.5a (TA) | 4,5 V, 10V | 7,8mohm @ 16,4a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 23 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | Irli540gpbf | 2.1600 | ![]() | 364 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | IRli540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 17A (TC) | 4V, 5V | 77MOHM @ 10A, 5V | 2V à 250µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||
![]() | SIR838DP-T1-GE3 | - | ![]() | 3144 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir838 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 150 V | 35A (TC) | 10V | 33MOHM @ 8.3A, 10V | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2075 PF @ 75 V | - | 5.4W (TA), 96W (TC) | ||||
![]() | Irfs11n50apbf | 2.9400 | ![]() | 445 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRFS11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520 MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 PF @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||
![]() | TP0610K-T1-GE3 | 0.4900 | ![]() | 227 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0610 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 185mA (TA) | 4,5 V, 10V | 6OHM @ 500mA, 10V | 3V à 250µA | 1,7 NC @ 15 V | ± 20V | 23 pf @ 25 V | - | 350MW (TA) | ||||
![]() | SIHK155N60E-T1-GE3 | 5.3300 | ![]() | 6952 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerBsfn | Sihk155 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerpak®10 x 12 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 600 V | 19A (TC) | 10V | 155MOHM @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1514 pf @ 100 V | - | 156W (TC) |
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