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Transistors (5716)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)
Irfibg20g	-	RFQ	1680	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Irfibg20	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	-	Rohs non conforme	1 (illimité)		* Irfibg20g	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	1000 V	-		-	-				-	-
Irfiz48g	-	RFQ	5835	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Irfiz48	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	60 V	37a (TC)	10V	18MOHM @ 22A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	50W (TC)
Siss46dn-t1-ge3	1 5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	TRENCHFET® GEN IV	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8S	Siss46	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8S	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	100 V	12.5A (TA), 45,3A (TC)	7,5 V, 10V	12.8MOHM @ 10A, 10V	3,4 V @ 250µA	42 NC @ 10 V	± 20V	2140 PF @ 50 V	-	5W (TA), 65,7W (TC)
V30365-T1-GE3	-	RFQ	9647	Vishay Siliconix	*	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				V30365				-	Rohs3 conforme	1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	3 000
SI4943CDY-T1-E3	1,7000	RFQ	8274	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Si4943	MOSFET (Oxyde Métallique)	3.1W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canal P (double)		20V	8a		19.2MOHM @ 8.3A, 10V	3V à 250µA	62nc @ 10v		1945pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
IRL520PBF-BE3	1.4600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	IRL520	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger		1 (illimité)		742-irl520pbf-be3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	100 V	9.2a (TC)		270MOHM @ 5.5A, 5V	2V à 250µA	12 NC @ 5 V	± 10V	490 pf @ 25 V	-	60W (TC)
SQM40014EM_GE3	2.9800	RFQ	7750	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	SQM40014	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263-7	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	40 V	200A (TC)	10V	1MOHM @ 35A, 10V	3,5 V @ 250µA	250 NC @ 10 V	± 20V	15525 PF @ 25 V	-	375W (TC)
SQJA06EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	1742	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SQJA06	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	60 V	57a (TC)	10V	8,7MOHM @ 10A, 10V	3,5 V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 20V	2800 pf @ 25 V	-	55W (TC)
VQ1004P-E3	-	RFQ	3635	Vishay Siliconix	-	Tube	Obsolète	-	-	-	VQ1004	-		-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	25		-		830mA (TA)	5v, 10v	-	-		± 20V		-	-
SI3981DV-T1-GE3	-	RFQ	5843	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SI3981	MOSFET (Oxyde Métallique)	800mw	6 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canal P (double)		20V	1.6a		185MOHM @ 1,9A, 4,5 V	1,1 V @ 250µA	5nc @ 4,5 V		-	Porte de Niveau Logique
SI7613DN-T1-GE3	1.0700	RFQ	52	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SI7613	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	8,7MOHM @ 17A, 10V	2,2 V @ 250µA	87 NC @ 10 V	± 16V	2620 PF @ 10 V	-	3.8W (TA), 52.1w (TC)
Sihp4n80e-be3	2.0800	RFQ	7542	Vishay Siliconix	E	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger		1 (illimité)		742-SIHP4N80E-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	800 V	4.3A (TC)	10V	1.27OHM @ 2A, 10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	± 30V	622 PF @ 100 V	-	69W (TC)
SI7530DP-T1-E3	-	RFQ	7254	Vishay Siliconix	-	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète		Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	Si7530	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.4W, 1.5W	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n et p		60V	3a, 3.2a		75MOHM @ 4.6A, 10V	3V à 250µA	20nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
SI8821EDB-T2-E1	0,4800	RFQ	5	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4-XFBGA, CSPBGA	Si8821	MOSFET (Oxyde Métallique)		4 Microfoot	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	30 V	1.6A (TA)	2,5 V, 4,5 V	135MOHM @ 1A, 4,5 V	1,3 V à 250µA	17 NC @ 10 V	± 12V	440 PF @ 15 V	-	500mw (TA)
Irfd014pbf	1.3900	RFQ	248	Vishay Siliconix	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	4-DIP (0,300 ", 7,62 mm)	IRFD014	MOSFET (Oxyde Métallique)		4 HVMDIP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		* Irfd014pbf	EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	60 V	1.7A (TA)	10V	200 mohm @ 1a, 10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	± 20V	310 PF @ 25 V	-	1.3W (TA)
SI7114DN-T1-E3	1.7500	RFQ	5	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SI7114	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	11.7A (TA)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 18,3a, 10v	3V à 250µA	19 NC @ 4,5 V	± 20V		-	1.5W (TA)
Irfbe20strl	-	RFQ	8004	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Irfbe20	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	800 V	1.8A (TC)	10V	6,5 ohm @ 1.1a, 10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 20V	530 pf @ 25 V	-	-
SI7958DP-T1-GE3	-	RFQ	4831	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SI7958	MOSFET (Oxyde Métallique)	1,4 W	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		40V	7.2a		16,5 mohm @ 11,3a, 10v	3V à 250µA	75nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
SQJB70EP-T1_GE3	0,9600	RFQ	8970	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8 Dual	SQJB70	MOSFET (Oxyde Métallique)	27W (TC)	PowerPak® SO-8 Dual	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)		100V	11.3A (TC)		95MOHM @ 4A, 10V	3,5 V @ 250µA	7nc @ 10v		220pf @ 25v	-
SI7386DP-T1-E3	1.6200	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7386	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	30 V	12A (TA)	4,5 V, 10V	7MOHM @ 19A, 10V	2,5 V @ 250µA	18 NC @ 4,5 V	± 20V		-	1.8W (TA)
SUM50010E-GE3	3.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Bande	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sum50010	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263 (d²pak)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n	60 V	150a (TC)	7,5 V, 10V	1 75 mOhm @ 30a, 10v	4V @ 250µA	212 NC @ 10 V	± 20V	10895 PF @ 30 V	-	375W (TC)
Sud80460e-be3	0,9700	RFQ	1259	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sud80460	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	-		1 (illimité)		742-Sud80460e-Be3	EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n	150 V	42A (TC)	10V	44,7MOHM @ 8,3A, 10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	± 20V	560 pf @ 50 V	-	65.2W (TC)
IRlr120pbf	1.6500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	IRLR120	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	75		Canal n	100 V	7.7a (TC)	4V, 5V	270MOHM @ 4.6A, 5V	2V à 250µA	12 NC @ 5 V	± 10V	490 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI7368DP-T1-E3	-	RFQ	1746	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SO-8	SI7368	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SO-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n	20 V	13a (ta)	4,5 V, 10V	5,5 mohm @ 20a, 10v	1,8 V à 250µA	25 NC @ 4,5 V	± 16V		-	1.7W (TA)
SI7415DN-T1-GE3	1,6000	RFQ	4985	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® 1212-8	SI7415	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® 1212-8	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	60 V	3.6A (TA)	4,5 V, 10V	65MOHM @ 5.7A, 10V	3V à 250µA	25 NC @ 10 V	± 20V		-	1.5W (TA)
Sia425edj-t1-ge3	-	RFQ	2797	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-70-6	Sia425	MOSFET (Oxyde Métallique)		PowerPak® SC-70-6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	20 V	4.5a (TC)	1,8 V, 4,5 V	60 mohm @ 4.2a, 4,5 V	1V @ 250µA		± 12V		-	2.9W (TA), 15.6W (TC)
SI4890DY-T1-E3	1.3466	RFQ	9915	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4890	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	11a (ta)	4,5 V, 10V	12MOHM @ 11A, 10V	800 mV à 250µa (min)	20 nc @ 5 V	± 25V		-	2.5W (TA)
SI3483CDV-T1-BE3	0 4700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6		MOSFET (Oxyde Métallique)		6 TSOP	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p	30 V	6.1a (TA), 8A (TC)	4,5 V, 10V	34MOHM @ 6.1A, 10V	3V à 250µA	33 NC @ 10 V	± 20V	1000 pf @ 15 V	-	2W (TA), 4.2W (TC)
Sia923aedj-t1-ge3	0,6500	RFQ	4	Vishay Siliconix	TRENCHFET®	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	PowerPak® SC-70-6 Double	Sia923	MOSFET (Oxyde Métallique)	7.8w	PowerPak® SC-70-6 Double	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canal P (double)		20V	4.5a		54MOHM @ 3,8A, 4,5 V	900 mV à 250 µA	25nc @ 8v		770pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
Irfl9110tr	-	RFQ	7383	Vishay Siliconix	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	Irfl9110	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p	100 V	1.1A (TC)	10V	1,2 ohm @ 660mA, 10V	4V @ 250µA	8,7 NC @ 10 V	± 20V	200 pf @ 25 V	-	2W (TA), 3.1W (TC)

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