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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7421DN-T1-E3 | 1.4600 |  | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7421 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 6.4a (TA) | 4,5 V, 10V | 25MOHM @ 9.8A, 10V | 3V à 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | Sir624dp-T1-Ge3 | 1.2000 | | 5356 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir624 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 200 V | 18.6a (TC) | 7,5 V, 10V | 60mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250µA | 23 NC @ 7,5 V | ± 20V | 1110 PF @ 100 V | - | 52W (TC) | |||||
 | Irfibf30g | - | | 4558 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfibf30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfibf30g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 900 V | 1.9A (TC) | 10V | 3,7 ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||
 | Irfpg30pbf | 3.5400 | | 161 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfpg30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfpg30pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 1000 V | 3.1A (TC) | 10V | 5OHM @ 1.9A, 10V | 4V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 980 PF @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
| Irfp064pbf | 5.3400 | | 452 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfp064 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfp064pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 60 V | 70A (TC) | 10V | 9MOHM @ 78A, 10V | 4V @ 250µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | 7400 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||
 | Siha22n60e-ge3 | 3,9000 | | 997 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | El | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 8A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||||
| SI7120DN-T1-GE3 | - | | 1466 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Si7120 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 6.3A (TA) | 19MOHM @ 10A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | - | |||||||||
 | SIHA150N60E-GE3 | 3.6100 | | 9374 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Siha150 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SIHA150N60E-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 9A (TC) | 10V | 155MOHM @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1514 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | ||||
 | SIHH100N60E-T1-GE3 | 3.6787 | | 1880 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | Sihh100 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 600 V | 28a (TC) | 10V | 100MOHM @ 13,5A, 10V | 5V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1850 pf @ 100 V | - | 174W (TC) | |||||
 | SI5459DU-T1-GE3 | 0,6100 | | 901 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Single | SI5459 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® Chipfet ™ Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 8A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 52MOHM @ 6.7A, 4,5 V | 1,4 V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ± 12V | 665 PF @ 10 V | - | 3,5W (TA), 10,9W (TC) | |||||
 | SQJQ148E-T1_GE3 | 2.3700 | | 3705 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | SQJQ148 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQJQ148E-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 40 V | 375A (TC) | 10V | 1,6 mohm @ 20a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 4930 pf @ 25 V | - | 325W (TC) | ||||
 | Sihfr9310tr-ge3 | 1.5800 | | 8059 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sihfr9310 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 400 V | 1.8A (TC) | 10V | 7OHM @ 1.1A, 10V | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||
 | SUD20N10-66L-GE3 | 0,8500 | | 1072 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 100 V | 16.9A (TC) | 4,5 V, 10V | 66MOHM @ 6.6A, 10V | 3V à 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 50 V | - | 2.1W (TA), 41,7W (TC) | |||||
| SUD15N15-95-E3 | 2.2000 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud15 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 150 V | 15A (TC) | 6v, 10v | 95MOHM @ 15A, 10V | 2V @ 250µA (min) | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 2.7W (TA), 62W (TC) | |||||
 | SI4896DY-T1-GE3 | 1.9500 | | 450 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4896 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 80 V | 6.7A (TA) | 6v, 10v | 16,5MOHM @ 10A, 10V | 2V @ 250µA (min) | 41 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1 56W (TA) | ||||||
 | SISA18BDN-T1-GE3 | 0,7000 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | Sisa18 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerpak® 1212-8pt | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 18A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,83MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 680 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 36.8W (TC) | |||||
 | Sir644dp-T1-Ge3 | - | | 7553 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir644 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 2,7MOHM @ 20A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||
 | SI1034X-T1-GE3 | 0 4600 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | SI1034 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 250mw | SC-89 (SOT-563F) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 180mA | 5OHM @ 200mA, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 0,75nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SQM30010EL_GE3 | 2.9500 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM30010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 120A (TC) | 10V | 1 35 mohm @ 40a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 450 NC @ 10 V | ± 20V | 28000 pf @ 15 V | - | 375W (TC) | |||||
| SQM50N04-4M0L_GE3 | 1.5475 | | 2748 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | SQM50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263 (d²pak) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 6100 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||
 | Sihf8n50l-e3 | - | | 6750 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Sihf8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 8A (TC) | 10V | 1OHM @ 4A, 10V | 5V @ 250µA | 34 NC @ 0 V | ± 30V | 873 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||
 | IRL640 | - | | 5588 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL640 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRL640S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 17A (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5v | 2V à 250µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
 | SQJ110EP-T1_GE3 | 1.7300 | | 3943 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 170a (TC) | 10V | 6,3MOHM @ 15A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 113 NC @ 10 V | ± 20V | 6100 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||
 | Irfr9220trl | - | | 6528 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 200 V | 3.6A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 2,2a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| IRLR014TR | - | | 1152 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRLR014 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 60 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 200 mohm @ 4.6a, 5v | 2V à 250µA | 8,4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| SI4408DY-T1-GE3 | 1.6758 | | 8886 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4408 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 20 V | 14A (TA) | 4,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 21a, 10v | 1V @ 250µA (min) | 32 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.6W (TA) | ||||||
| SUD19N20-90-T4-E3 | 1.4033 | | 4908 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud19 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 200 V | 19A (TC) | 6v, 10v | 90MOHM @ 5A, 10V | 4V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
| Irfbe20strr | - | | 2611 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbe20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 800 V | 1.8A (TC) | 10V | 6,5 ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | - | |||||
| SI1016CX-T1-GE3 | 0 4700 | | 1941 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | SI1016 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 220mw | SC-89 (SOT-563F) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n et p | 20V | - | 396MOHM @ 500mA, 4,5 V | 1V @ 250µA | 2NC @ 4,5 V | 43pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | SIRS4401DP-T1-GE3 | 3.2900 | | 8939 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SIRS4401 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 40 V | 46.8A (TA), 198A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,2MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 250µA | 588 NC @ 10 V | ± 20V | 21850 PF @ 20 V | - | 7.4W (TA), 132W (TC) |
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