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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7116DN-T1-E3 | 2.2300 |  | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SI7116 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 10.5a (TA) | 4,5 V, 10V | 7,8mohm @ 16,4a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 23 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | Irli540gpbf | 2.1600 | | 364 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | IRli540 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 17A (TC) | 4V, 5V | 77MOHM @ 10A, 5V | 2V à 250µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||
 | SIR838DP-T1-GE3 | - | | 3144 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir838 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 150 V | 35A (TC) | 10V | 33MOHM @ 8.3A, 10V | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2075 PF @ 75 V | - | 5.4W (TA), 96W (TC) | ||||
 | Irfs11n50apbf | 2.9400 | | 445 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRFS11 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520 MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 PF @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||
 | TP0610K-T1-GE3 | 0.4900 | | 227 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0610 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal p | 60 V | 185mA (TA) | 4,5 V, 10V | 6OHM @ 500mA, 10V | 3V à 250µA | 1,7 NC @ 15 V | ± 20V | 23 pf @ 25 V | - | 350MW (TA) | ||||
 | SIHK155N60E-T1-GE3 | 5.3300 | | 6952 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerBsfn | Sihk155 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Powerpak®10 x 12 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 600 V | 19A (TC) | 10V | 155MOHM @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1514 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||||
| IRF820 | - | | 8597 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF820 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRF820 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 2.5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5A, 10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
 | IRF9530L | - | | 7169 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRF9530 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * IRF9530L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal p | 100 V | 12A (TC) | 10V | 300 MOHM @ 7.2A, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | - | ||||
| Irf634spbf | - | | 3817 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF634 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irf634spbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 250 V | 8.1a (TC) | 10V | 450mohm @ 5.1a, 10v | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | SQJQ112ER-T1_GE3 | 3.8600 | | 3163 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8 Powersmd, Aile du Mouette | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQJQ112ER-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 100 V | 296A (TC) | 10V | 2 53MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 272 NC @ 10 V | ± 20V | 15945 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | |||||
 | Sihl620strl-ge3 | 0,9000 | | 788 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 5.2a (TC) | 4V, 10V | 800MOHM @ 3.1A, 10V | 2V à 250µA | 16 NC @ 5 V | ± 10V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||||
 | SIHF15N65E-GE3 | 1.9257 | | 6692 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | Sihf15 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 650 V | 15A (TC) | 10V | 280MOHM @ 8A, 10V | 4V @ 250µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 1640 PF @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||
| SI7403BDN-T1-GE3 | - | | 1342 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Si7403 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 8A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 74MOHM @ 5.1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 15 NC @ 8 V | ± 8v | 430 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 9.6W (TC) | ||||
 | SI3446ADV-T1-GE3 | - | | 4627 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3446 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 6A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 37MOHM @ 5.8A, 4,5 V | 1,8 V à 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 12V | 640 PF @ 10 V | - | 2W (TA), 3,2W (TC) | ||||
 | SQS182ELNW-T1_GE3 | 0,8500 | | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Soutien de la surface, flanc Mouillable | PowerPak® 1212-8SLW | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8SLW | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 80 V | 45A (TC) | 4,5 V, 10V | 13.2MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 2024 PF @ 25 V | - | 65W (TC) | ||||||
| SISA01DN-T1-GE3 | 0,9300 | | 4089 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | Sisa01 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 22.4A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,9MOHM @ 15A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 84 NC @ 10 V | + 16v, -20V | 3490 PF @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | Irc630pbf | - | | 4508 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-5 | IRC630 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-5 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRC630PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10v | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | Détection de Courant | 74W (TC) | |||
| SI7384DP-T1-GE3 | - | | 3167 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7384 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 8,5MOHM @ 18A, 10V | 3V à 250µA | 18 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.8W (TA) | ||||||
| SI3454CDV-T1-GE3 | - | | 8358 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3454 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 4.2a (TC) | 4,5 V, 10V | 50MOHM @ 3,8A, 10V | 3V à 250µA | 10.6 NC @ 10 V | ± 20V | 305 PF @ 15 V | - | 1,25W (TA), 1,5W (TC) | ||||
| SI7392ADP-T1-E3 | - | | 7249 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7392 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 12,5a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1465 PF @ 15 V | - | 5W (TA), 27,5W (TC) | ||||
 | SI5904DC-T1-E3 | - | | 9801 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5904 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 3.1a | 75MOHM @ 3.1A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 6nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
| SIHB21N60EF-GE3 | 4.1800 | | 346 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihb21 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 176MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 84 NC @ 10 V | ± 30V | 2030 PF @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||
| IRFI614G | - | | 9819 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi614 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFI614G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 250 V | 2.1A (TC) | 10V | 2OHM @ 1,3A, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 23W (TC) | |||
| IRL3303d1strr | - | | 9378 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL3303 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 38A (TC) | 4,5 V, 10V | 26MOHM @ 20A, 10V | 1V @ 250µA | 26 NC @ 4,5 V | ± 16V | 870 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||
 | SI5458DU-T1-GE3 | 0 2284 | | 3940 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Single | SI5458 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® Chipfet ™ Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 6A (TC) | 4,5 V, 10V | 41MOHM @ 7.1A, 10V | 3V à 250µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | 325 pf @ 15 V | - | 3,5W (TA), 10,4W (TC) | |||||
| Sira01dp-t1-ge3 | 1.2600 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira01 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 26A (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,9MOHM @ 15A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 112 NC @ 10 V | + 16v, -20V | 3490 PF @ 15 V | - | 5W (TA), 62,5W (TC) | |||||
 | Irfp048rpbf | 5.0600 | | 7453 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfp048 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfp048rpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 60 V | 70A (TC) | 10V | 18MOHM @ 44A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
| SQD50N04_4M5LT4GE3 | 0,6985 | | 2916 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742 SQD50N04_4M5LT4GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,5 mohm @ 20a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 5860 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||
 | SI5418DU-T1-GE3 | 1.3200 | | 659 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Single | SI5418 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® Chipfet ™ Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 14,5 mohm @ 7,7a, 10v | 3V à 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||
 | Irfr9010trpbf | 1.0600 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9010 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 50 V | 5.3A (TC) | 10V | 500MOHM @ 2,8A, 10V | 4V @ 250µA | 9.1 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 25W (TC) |
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