SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max)
IRC740PBF Vishay Siliconix Irc740pbf -
RFQ
ECAD 2473 0,00000000 Vishay Siliconix Hexfet® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-5 IRC740 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-5 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRC740PBF EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 400 V 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10v 4V @ 250µA 66 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V Détection de Courant 125W (TC)
IRFU9020PBF Vishay Siliconix Irfu9020pbf 1.8900
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa IRFU9020 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * IRFU9020PBF EAR99 8541.29.0095 75 Canal p 50 V 9.9a (TC) 10V 280mohm @ 5.7a, 10v 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ± 20V 490 pf @ 25 V - 42W (TC)
SI4486EY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4486EY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9236 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Si4486 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 100 V 5.4a (TA) 6v, 10v 25MOHM @ 7.9A, 10V 2V @ 250µA (min) 44 NC @ 10 V ± 20V - 1.8W (TA)
SI4403DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4403DDY-T1-GE3 0,4800
RFQ
ECAD 1630 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® GEN III Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) Si4403 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 20 V 15.4A (TC) 1,8 V, 4,5 V 14MOHM @ 9A, 4,5 V 1V @ 250µA 99 NC @ 8 V ± 8v 3250 pf @ 10 V - 5W (TC)
SI9410BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9410BDY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8970 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI9410 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 6.2a (TA) 4,5 V, 10V 24MOHM @ 8.1A, 10V 3V à 250µA 23 NC @ 10 V ± 20V - 1.5W (TA)
SI4965DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4965DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4814 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4965 MOSFET (Oxyde Métallique) 2W 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canal P (double) 8v - 21MOHM @ 8A, 4,5 V 450 mV à 250 µA (min) 55nc @ 4,5 V - Porte de Niveau Logique
IRFPS29N60LPBF Vishay Siliconix Irfps29n60lpbf -
RFQ
ECAD 4016 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 274aa Irfps29 MOSFET (Oxyde Métallique) Super-247 ™ (à 274aa) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * Irfps29n60lpbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 29A (TC) 10V 210MOHM @ 17A, 10V 5V @ 250µA 220 NC @ 10 V ± 30V 6160 PF @ 25 V - 480W (TC)
SUP40N25-60-E3 Vishay Siliconix Sup40n25-60-e3 5.0400
RFQ
ECAD 6962 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sup40 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 250 V 40A (TC) 6v, 10v 60mohm @ 20a, 10v 4V @ 250µA 140 NC @ 10 V ± 30V 5000 pf @ 25 V - 3,75W (TA), 300W (TC)
SQ1563AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1563AEH-T1_GE3 0,5300
RFQ
ECAD 841 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SC-70-6 Double SQ1563 MOSFET (Oxyde Métallique) 1,5 w PowerPak® SC-70-6 Double télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n et p 20V 850mA (TC) 280MOHM @ 850mA, 4,5 V, 575MOHM @ 800mA, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 1,25nc @ 4,5 V, 1,33NC @ 4,5 V 89pf @ 10v, 84pf @ 10v -
IRFR310TRLPBF Vishay Siliconix Irfr310trlpbf 1.5300
RFQ
ECAD 6733 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR310 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 400 V 1.7A (TC) 10V 3,6 ohm @ 1a, 10v 4V @ 250µA 12 NC @ 10 V ± 20V 170 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI4554DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4554DY-T1-GE3 0,7900
RFQ
ECAD 2207 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4554 MOSFET (Oxyde Métallique) 3.1W, 3.2W 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n et p 40V 8a 24MOHM @ 6.8A, 10V 2,2 V @ 250µA 20nc @ 10v 690pf @ 20v Porte de Niveau Logique
IRFIBF20G Vishay Siliconix Irfibf20g -
RFQ
ECAD 3824 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Irfibf20 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRFIBF20G EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 900 V 1.2A (TC) 10V 8OHM @ 720mA, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 V ± 20V 490 pf @ 25 V - 30W (TC)
IRFZ30 Vishay Siliconix Irfz30 -
RFQ
ECAD 3175 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Irfz30 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRFZ30 EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 50 V 30a (TC) 10V 50MOHM @ 16A, 10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 74W (TC)
SQA470EEJ-T1_GE3 Vishay Siliconix SQA470EEJ-T1_GE3 0,6300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SC-70-6 SQA470 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 2.25A (TC) 2,5 V, 4,5 V 56MOHM @ 2A, 4,5 V 1,6 V @ 250µA 5.2 NC @ 4,5 V ± 12V 453 PF @ 20 V - 13.6W (TC)
IRFRC20TRL Vishay Siliconix Irfrc20trl -
RFQ
ECAD 8772 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Irfrc20 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 600 V 2A (TC) 10V 4.4OHM @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 18 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SIHP100N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHP100N60E-GE3 4.9900
RFQ
ECAD 9474 0,00000000 Vishay Siliconix E Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sihp100 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 30a (TC) 10V 100 mohm @ 13a, 10v 5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ± 30V 1851 PF @ 100 V - 208W (TC)
IRL520LPBF Vishay Siliconix IRL520LPBF 0,6856
RFQ
ECAD 6297 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa IRL520 MOSFET (Oxyde Métallique) À 262-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * IRL520LPBF EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 9.2a (TC) 4V, 5V 270MOHM @ 5.5A, 5V 2V à 250µA 12 NC @ 5 V ± 10V 490 pf @ 25 V - 60W (TC)
VP0300B-E3 Vishay Siliconix VP0300B-E3 -
RFQ
ECAD 2220 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète - - VP0300 MOSFET (Oxyde Métallique) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 100 Canal p 30 V 320mA (TA) 2,5 ohm @ 1a, 12v 4,5 V @ 1MA 150 pf @ 15 V - -
IRFPE50PBF Vishay Siliconix Irfpe50pbf 4.8500
RFQ
ECAD 175 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Irfpe50 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irfpe50pbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 800 V 7.8a (TC) 10V 1,2 ohm @ 4,7a, 10v 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 25 V - 190W (TC)
IRFR214TRLPBF Vishay Siliconix Irfr214trlpbf 0,6159
RFQ
ECAD 9879 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR214 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 250 V 2.2a (TC) 10V 2OHM @ 1,3A, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 140 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFB16N50K Vishay Siliconix IRFB16N50K -
RFQ
ECAD 2631 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Irfb16 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRFB16N50K EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 500 V 17A (TC) 10V 350mohm @ 10a, 10v 5V @ 250µA 89 NC @ 10 V ± 30V 2210 PF @ 25 V - 280W (TC)
SI1450DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1450DH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 1280 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1450 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 8 V 4.53A (TA), 6.04A (TC) 1,5 V, 4,5 V 47MOHM @ 4A, 4,5 V 1V @ 250µA 7.05 NC @ 5 V ± 5V 535 PF @ 4 V - 1 56W (TA), 2,78W (TC)
SI7613DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7613DN-T1-GE3 1.0700
RFQ
ECAD 52 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 SI7613 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 35A (TC) 4,5 V, 10V 8,7MOHM @ 17A, 10V 2,2 V @ 250µA 87 NC @ 10 V ± 16V 2620 PF @ 10 V - 3.8W (TA), 52.1w (TC)
SI6404DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6404DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8758 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) SI6404 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 8.6a (TA) 2,5 V, 10V 9MOHM @ 11A, 10V 600 mV à 250 µA (min) 48 NC @ 4,5 V ± 12V - 1.08W (TA)
IRFP254PBF Vishay Siliconix Irfp254pbf 4.2200
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 IRFP254 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) * Irfp254pbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 250 V 23A (TC) 10V 140mohm @ 14a, 10v 4V @ 250µA 140 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 190W (TC)
SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-GE3 1,3000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) Si6913 MOSFET (Oxyde Métallique) 830mw 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 2 Canal P (double) 12V 4.9a 21MOHM @ 5.8A, 4,5 V 900 mV à 400µA 28nc @ 4,5 V - Porte de Niveau Logique
IRF3205ZSTRR Vishay Siliconix Irf3205zstrr -
RFQ
ECAD 6474 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Abandonné à sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF3205 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 55 V 75A (TC) 10V 6,5 mohm @ 66a, 10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ± 20V 3450 pf @ 25 V - 170W (TC)
SUM110P04-04L-E3 Vishay Siliconix Sum110p04-04l-e3 4.7600
RFQ
ECAD 18 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab SUM110 MOSFET (Oxyde Métallique) À 263 (d²pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 40 V 110a (TC) 4,5 V, 10V 4.2MOHM @ 30A, 10V 3V à 250µA 350 NC @ 10 V ± 20V 11200 pf @ 25 V - 3 75W (TA), 375W (TC)
IRFU210 Vishay Siliconix IRFU210 -
RFQ
ECAD 2611 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa IRFU2 MOSFET (Oxyde Métallique) À 251aa télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRFU210 EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 200 V 2.6a (TC) 10V 1,5 ohm @ 1,6a, 10v 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 140 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
SI4497DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4497DY-T1-GE3 1.8800
RFQ
ECAD 3879 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4497 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 36a (TC) 4,5 V, 10V 3,3MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250µA 285 NC @ 10 V ± 20V 9685 PF @ 15 V - 3,5W (TA), 7,8W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock