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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3948DV-T1-E3 | - |  | 9061 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3948 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.15W | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | - | 105MOHM @ 2,5A, 10V | 1V @ 250µA (min) | 3.2nc @ 5v | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Irlz24l | - | | 4476 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Irlz24 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 262-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRLZ24L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 17A (TC) | 4V, 5V | 100 mohm @ 10a, 5v | 2V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||
 | TN0201K-T1-E3 | - | | 8938 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | TN0201 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 420mA (TA) | 4,5 V, 10V | 1OHM @ 300mA, 10V | 3V à 250µA | 1,5 NC @ 10 V | ± 20V | - | 350MW (TA) | |||||
 | Irfz14spbf | 1.5200 | | 120 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfz14 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 60 V | 10A (TC) | 10V | 200 mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SQJ456EP-T1_GE3 | 5.2000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ456 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 32A (TC) | 6v, 10v | 26MOHM @ 9.3A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 3342 PF @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||
 | Siha21n80aef-ge3 | 3.0700 | | 957 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | Emballage complet à 220 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHA21N80AEF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 800 V | 7a (TC) | 10V | 250 mohm @ 8,5a, 10v | 4V @ 250µA | 71 NC @ 10 V | ± 30V | 1511 PF @ 100 V | - | 33W (TC) | ||||||
 | SI4890BDY-T1-E3 | - | | 6520 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4890 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16A (TC) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 10A, 10V | 2,6 V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 25V | 1535 pf @ 15 V | - | 2,5W (TA), 5,7W (TC) | |||||
 | Sud90330e-be3 | 1.5800 | | 8916 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud90330 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | - | 1 (illimité) | 742-Sud90330E-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 200 V | 35,8A (TC) | 7,5 V, 10V | 37,5MOHM @ 12.2A, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1172 PF @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||
 | Sia430dj-t1-ge3 | - | | 3481 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Sia430 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 13,5MOHM @ 7A, 10V | 3V à 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | |||||
 | Irfp260pbf | 6.5100 | | 949 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | À 247-3 | IRFP260 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfp260pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 200 V | 46A (TC) | 10V | 55MOHM @ 28A, 10V | 4V @ 250µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 5200 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
| SI3475DV-T1-E3 | - | | 7214 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3475 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 200 V | 950mA (TC) | 6v, 10v | 1,61 ohm @ 900mA, 10V | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 500 pf @ 50 V | - | 2W (TA), 3,2W (TC) | ||||
| Sihf9540pbf | - | | 7246 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | * | Tube | Actif | Sihf9540 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||
 | Irfi644gpbf | 2.9500 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi644 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfi644gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 250 V | 7.9a (TC) | 10V | 280MOHM @ 4.7A, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
 | Sup85n10-10p-ge3 | - | | 6079 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | À 220-3 | Sup85 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 100 V | 85a (TC) | 10V | 10MOHM @ 20A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 4660 pf @ 50 V | - | 3,75W (TA), 227W (TC) | ||||
 | SQJA70EP-T1_BE3 | 0,7500 | | 1477 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | 742-SQJA70EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 14.7A (TC) | 10V | 95MOHM @ 4A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 7 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | ||||||
| SI2314EDS-T1-GE3 | 0,3197 | | 6452 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2314 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 3.77A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 33MOHM @ 5A, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 14 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 750MW (TA) | |||||
| SQJ446EP-T1_GE3 | 0,6209 | | 7490 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ446 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 14A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 4220 PF @ 20 V | - | 46W (TC) | ||||||
| SIHB22N60E-GE3 | 4.1200 | | 1632 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sihb22 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Sihb22n60ege3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 21A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | ||||
| Irfpe30pbf | 5.5600 | | 500 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | À 247-3 | Irfpe30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5A, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SI7860ADP-T1-GE3 | - | | 1441 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7860 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 9.5MOHM @ 16A, 10V | 3V à 250µA | 18 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.8W (TA) | |||||
 | SQJQ131EL-T1_GE3 | 3.3300 | | 3247 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automobile, AEC-Q101 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 8 x 8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 8 x 8 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQJQ131EL-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 30 V | 280a (TC) | 4,5 V, 10V | 1,4 mohm @ 10a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 731 NC @ 10 V | ± 20V | 33050 pf @ 15 V | - | 600W (TC) | |||||
 | Sud50n025-06p-e3 | - | | 2955 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 25 V | 78A (TC) | 4,5 V, 10V | 6,2MOHM @ 20A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 2490 PF @ 12 V | - | 10.7W (TA), 65W (TC) | ||||
| Irfbe30strl | - | | 6929 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Irfbe30 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3OHM @ 2,5A, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | Irfr9214trlpbf | 1 5500 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9214 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 250 V | 2.7A (TC) | 10V | 3OHM @ 1.7A, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||
| Irfbg20pbf | 1.8300 | | 3338 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | À Travers Le Trou | À 220-3 | Irfbg20 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | * Irfbg20pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 1000 V | 1.4A (TC) | 10V | 11OHM @ 840mA, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 500 pf @ 25 V | - | 54W (TC) | ||||
| Sia468dj-t1-ge3 | 0,6600 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | Sia468 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 37,8A (TC) | 4,5 V, 10V | 8,4MOHM @ 11A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 16 NC @ 4,5 V | + 20V, -16V | 1290 pf @ 15 V | - | 19W (TC) | |||||
 | SiDR626DP-T1-RE3 | 2.9100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8DC | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 42.8a (TA), 100A (TC) | 6v, 10v | 1,7MOHM @ 20A, 10V | 3,4 V @ 250µA | 102 NC @ 10 V | ± 20V | 5130 pf @ 30 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||||
| Sija72adp-t1-ge3 | 0,9800 | | 9754 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sija72 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 27.9A (TA), 96A (TC) | 4,5 V, 10V | 3 42MOHM @ 10A, 10V | 2,4 V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 2530 pf @ 20 V | - | 4.8W (TA), 56.8W (TC) | |||||
| Irf820strr | - | | 2066 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF820 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 500 V | 2.5a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5A, 10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
 | SI6966EDQ-T1-E3 | - | | 9542 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | SI6966 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.25W | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | - | 30 mOhm @ 5.2a, 4,5 V | 600 mV à 250 µA (min) | 25nc @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique |
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