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Transistors (5716)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1902DL-T1-GE3 | 0,5200 |  | 127 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1902 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 270MW | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 660mA | 385MOHM @ 660mA, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 1.2NC @ 4,5 V | - | Porte de Niveau Logique | ||||||
 | Irfi634g | - | | 4419 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi634 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfi634g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 250 V | 5.6a (TC) | 10V | 450 mohm @ 3,4a, 10v | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||
 | SI3457BDV-T1-E3 | - | | 1221 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3457 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 3.7A (TA) | 4,5 V, 10V | 54MOHM @ 5A, 10V | 3V à 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | |||||
 | IRFU9014 | - | | 3953 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | IRFU9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 251aa | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFU9014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
| Irfib7n50lpbf | - | | 5820 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfib7 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irfib7n50lpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 6.8A (TC) | 10V | 380mohm @ 4.1a, 10v | 5V @ 250µA | 92 NC @ 10 V | ± 30V | 2220 pf @ 25 V | - | 46W (TC) | |||
 | Sir812dp-T1-Ge3 | - | | 5450 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir812 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 60a (TC) | 4,5 V, 10V | 1 45 mohm @ 20a, 10v | 2,3 V @ 250µA | 335 NC @ 10 V | ± 20V | 10240 PF @ 15 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | Irfpc40 | - | | 8904 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Irfpc40 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFPC40 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal n | 600 V | 6.8A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 4.1a, 10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | Sq1902ael-t1_ge3 | - | | 6841 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | SQ1902 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 430mw | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 780mA (TC) | 415MOHM @ 660mA, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 1.2NC @ 4,5 V | 75pf @ 10v | - | ||||||||
 | SI4816BDY-T1-E3 | 1.6400 | | 4884 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4816 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W, 1,25W | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 5.8a, 8.2a | 18,5 mohm @ 6.8a, 10v | 3V à 250µA | 10nc @ 5v | - | Porte de Niveau Logique | |||||||
| SI7868ADP-T1-E3 | 4.5100 | | 6386 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7868 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,25 mohm @ 20a, 10v | 1,6 V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ± 16V | 6110 PF @ 10 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
| SI4403BDY-T1-GE3 | - | | 6298 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | Si4403 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 7.3a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 17MOHM @ 9.9A, 4,5 V | 1V @ 350µA | 50 NC @ 5 V | ± 8v | - | 1.35W (TA) | |||||
 | SI5435BDC-T1-GE3 | - | | 9346 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5435 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 30 V | 4.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 45MOHM @ 4.3A, 10V | 3V à 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||
| SI4426DY-T1-GE3 | - | | 4632 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4426 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 20 V | 6.5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 25MOHM @ 8.5A, 4,5 V | 1,4 V @ 250µA | 50 NC @ 4,5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SQA700CEJW-T1_GE3 | 0,5600 | | 11 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SC-70-6 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 9A (TC) | 4,5 V, 10V | 79MOHM @ 3A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 9,5 NC @ 10 V | ± 20V | 380 pf @ 25 V | - | 13.6W (TC) | ||||||
 | Irf640spbf | 2.2000 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF640 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 18A (TC) | 10V | 180MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | |||||
 | Irf634npbf | - | | 2506 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF634 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irf634npbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 250 V | 8A (TC) | 10V | 435MOHM @ 4.8A, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 88W (TC) | |||
 | Irfr024trl | - | | 6591 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr024 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 14A (TC) | 10V | 100MOHM @ 8,4A, 10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | SIS890DN-T1-GE3 | 1 4000 | | 622 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SIS890 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 23,5MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 802 PF @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
| SIR878DP-T1-GE3 | - | | 8008 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir878 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 14MOHM @ 15A, 10V | 2,8 V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1250 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 44,5W (TC) | |||||
 | Irlz24pbf-be3 | 1,7000 | | 841 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Irlz24 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | 1 (illimité) | 742-irlz24pbf-be3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 60 V | 17A (TC) | 100 mohm @ 10a, 5v | 2V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||
| SI5480DU-T1-E3 | - | | 5994 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® Chipfet ™ Single | SI5480 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® Chipfet ™ Single | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 16MOHM @ 7.2A, 10V | 3V à 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1230 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||
 | SQJ912AEP-T1_GE3 | - | | 5227 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJ912 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 48W | PowerPak® SO-8 Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 40V | 30A | 9.3MOHM @ 9.7A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 38nc @ 10v | 1835pf @ 20v | - | |||||||
| SIR846DP-T1-GE3 | 2.5100 | | 8527 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sir846 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 60a (TC) | 7,5 V, 10V | 7,8MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2870 pf @ 50 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SQJ170ELP-T1_GE3 | 1.0800 | | 4 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 63a (TC) | 4,5 V, 10V | 16.3MOHM @ 10A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 1165 PF @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||||
| SI5935CDC-T1-GE3 | 0,5500 | | 4202 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5935 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 4A | 100MOHM @ 3.1A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 11nc @ 5v | 455pf @ 10v | - | ||||||
 | SQS840CENW-T1_GE3 | 0,7200 | | 7302 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8W | SQS840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8W | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | 742-SQS840CENW-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 20 mohm @ 7,5a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 22,5 NC @ 10 V | ± 20V | 1031 PF @ 20 V | - | 33W (TC) | ||||
 | Siz926dt-t1-ge3 | 1,3000 | | 221 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® GEN IV | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | Siz926 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 20.2W, 40W | 8-PowerPair® (6x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 25V | 40a (TC), 60a (TC) | 4,8MOHM @ 5A, 10V, 2,2MOHM @ 8A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 19nc @ 10v, 41nc @ 10v | 925pf @ 10v, 2150pf @ 10v | - | |||||||
| Irfr1n60atr | - | | 6599 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Irfr1 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 600 V | 1.4A (TC) | 10V | 7OHM @ 840mA, 10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 PF @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||
 | SQJ868EP-T1_GE3 | 0,9800 | | 8598 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SQJ868 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 40 V | 58A (TC) | 10V | 7,35 mohm @ 14a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 2450 pf @ 20 V | - | 48W (TC) | |||||
| Irf634strr | - | | 4361 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF634 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 250 V | 8.1a (TC) | 10V | 450mohm @ 5.1a, 10v | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) |
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