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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI4896DY-T1-E3 | 1.9500 | ![]() | 1853 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4896 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 80 V | 6.7A (TA) | 6v, 10v | 16,5MOHM @ 10A, 10V | 2V @ 250µA (min) | 41 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1 56W (TA) | ||||||
![]() | SI4122DY-T1-GE3 | 2.3500 | ![]() | 9977 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4122 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 40 V | 27.2A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 15a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ± 25V | 4200 pf @ 20 V | - | 3W (TA), 6W (TC) | |||||
![]() | SI8472DB-T2-E1 | 0,5600 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-ufbga | Si8472 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-Micro Food® (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 20 V | 3.3A (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 44MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 18 NC @ 8 V | ± 8v | 630 pf @ 10 V | - | 780mw (TA) | ||||
![]() | SIA517DJ-T1-GE3 | 0,6400 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-70-6 Double | SIA517 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6,5 W | PowerPak® SC-70-6 Double | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n et p | 12V | 4.5a | 29MOHM @ 5A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 15nc @ 8v | 500pf @ 6v | Porte de Niveau Logique | |||||||
![]() | SI1426DH-T1-GE3 | - | ![]() | 2951 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1426 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-70-6 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 2.8A (TA) | 4,5 V, 10V | 75MOHM @ 3,6A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 3 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1W (ta) | |||||
![]() | IRFI510G | - | ![]() | 8574 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi510 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFI510G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 4.5a (TC) | 10V | 540mohm @ 2,7a, 10v | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | |||
![]() | SQD50N05-11L_GE3 | 1,7000 | ![]() | 952 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | SQD50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 50 V | 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 11MOHM @ 45A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 2106 PF @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||
![]() | SIHD11N80AE-T4-GE3 | 1 8000 | ![]() | 9661 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | 1 (illimité) | 742-SIHD11n80AE-T4-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 800 V | 8A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.5a, 10v | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 804 PF @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||||
![]() | Siz790dt-t1-ge3 | - | ![]() | 6718 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-PowerPair ™ | Siz790 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 27W, 48W | 6-PowerPair ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 N-Canal (Demi-pont) | 30V | 16a, 35a | 9.3MOHM @ 15A, 10V | 2,2 V @ 250µA | 24 NC @ 10V | 830pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||
![]() | IRFD9113 | - | ![]() | 7221 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | - | Par le trou | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | IRFD9113 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4 HVMDIP | - | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 60 V | 600mA (TA) | 1,6 ohm @ 300mA, 10V | - | 15 NC @ 15 V | 250 pf @ 25 V | - | - | ||||||
![]() | SI3443CDV-T1-E3 | 0,6200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Si3443 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 20 V | 5.97A (TC) | 2,5 V, 4,5 V | 60 mOhm @ 4.7A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 12.4 NC @ 5 V | ± 12V | 610 PF @ 10 V | - | 2W (TA), 3,2W (TC) | |||||
![]() | SQS850EN-T1_GE3 | 1.0300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® 1212-8 | SQS850 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® 1212-8 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 21,5 mohm @ 6.1a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 2021 PF @ 30 V | - | 33W (TC) | ||||||
![]() | Irf9z24strr | - | ![]() | 4600 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRF9 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 60 V | 11a (TC) | 10V | 280MOHM @ 6.6A, 10V | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
![]() | SI5445BDC-T1-E3 | - | ![]() | 7597 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8 mm, plomb plat | SI5445 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1206-8 Chipfet ™ | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal p | 8 V | 5.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 33MOHM @ 5.2A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 21 NC @ 4,5 V | ± 8v | - | 1.3W (TA) | |||||
![]() | Irfr224pbf | 1.6200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR224 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 250 V | 3.8A (TC) | 10V | 1,1 ohm @ 2,3a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
![]() | SI9435BDY-T1-GE3 | 0,9400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI9435 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 4.1a (TA) | 10V | 42MOHM @ 5.7A, 10V | 3V à 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | ||||||
![]() | IRF734L | - | ![]() | 3534 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | IRF734 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | * IRF734L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 450 V | 4.9a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,9a, 10v | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | - | ||||
![]() | SI7384DP-T1-GE3 | - | ![]() | 3167 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | SI7384 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 11a (ta) | 4,5 V, 10V | 8,5MOHM @ 18A, 10V | 3V à 250µA | 18 NC @ 4,5 V | ± 20V | - | 1.8W (TA) | ||||||
![]() | SIB911DK-T1-E3 | - | ![]() | 8880 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SC-75-6L Dual | Sib911 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 3.1W | PowerPak® SC-75-6L Dual | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 2.6a | 295MOHM @ 1,5A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 4nc @ 8v | 115pf @ 10v | - | ||||||
![]() | Sira90dp-t1-re3 | 1 5500 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 | Sira90 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 30 V | 100A (TC) | 4,5 V, 10V | 0,8MOHM @ 20A, 10V | 2V à 250µA | 153 NC @ 10 V | + 20V, -16V | 10180 pf @ 15 V | - | 104W (TC) | |||||
IRFB17N60K | - | ![]() | 8132 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRFB17 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFB17N60K | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 600 V | 17A (TC) | 10V | 420 mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250µA | 99 NC @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 25 V | - | 340W (TC) | ||||
![]() | 2N6661JTX02 | - | ![]() | 1080 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-205ad, to-39-3 Métal peut | 2N6661 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-39 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Canal n | 90 V | 860mA (TC) | 5v, 10v | 4OHM @ 1A, 10V | 2v @ 1MA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6,25W (TC) | |||||
![]() | SQJA60EP-T1_BE3 | 1.1100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | PowerPak® SO-8 Dual | SQJA60 | MOSFET (Oxyde Métallique) | PowerPak® SO-8 Dual | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | Canal n | 60 V | 30a (TC) | 4,5 V, 10V | 12,5 mohm @ 8a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||
Irf734pbf | - | ![]() | 7243 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | IRF734 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * Irf734pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 450 V | 4.9a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 2,9a, 10v | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
![]() | Sihg73n60ae-ge3 | 11.4800 | ![]() | 74 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Sihg73 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247AC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | Canal n | 600 V | 60a (TC) | 10V | 40MOHM @ 36,5A, 10V | 4V @ 250µA | 394 NC @ 10 V | ± 30V | 5500 pf @ 100 V | - | 417W (TC) | |||||
![]() | IRFI840G | - | ![]() | 4585 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé | Irfi840 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | * IRFI840G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 4.6a (TC) | 10V | 850mohm @ 2,8a, 10v | 4V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||
![]() | IRl640strrpbf | 2.9500 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | IRL640 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 200 V | 17A (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5v | 2V à 250µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
![]() | Sud50p08-26-e3 | - | ![]() | 1385 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sud50 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 80 V | 50A (TC) | 10V | 26MOHM @ 12.9A, 10V | 4V @ 250µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 5160 PF @ 40 V | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||
![]() | Sup40012el-ge3 | 2.3400 | ![]() | 7391 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | TRENCHFET® | Tube | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | Sup40012 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 40 V | 150a (TC) | 4,5 V, 10V | 1 79MOHM @ 30A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 10930 pf @ 20 V | - | 150W (TC) | |||||
![]() | Irfr9220pbf | 1.8300 | ![]() | 245 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tube | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | IRFR9220 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal p | 200 V | 3.6A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 2,2a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) |
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