SIC
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Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max)
SI4896DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4896DY-T1-E3 1.9500
RFQ
ECAD 1853 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4896 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 80 V 6.7A (TA) 6v, 10v 16,5MOHM @ 10A, 10V 2V @ 250µA (min) 41 NC @ 10 V ± 20V - 1 56W (TA)
SI4122DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4122DY-T1-GE3 2.3500
RFQ
ECAD 9977 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI4122 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 40 V 27.2A (TC) 4,5 V, 10V 4,5 mohm @ 15a, 10v 2,5 V @ 250µA 95 NC @ 10 V ± 25V 4200 pf @ 20 V - 3W (TA), 6W (TC)
SI8472DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8472DB-T2-E1 0,5600
RFQ
ECAD 18 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4-ufbga Si8472 MOSFET (Oxyde Métallique) 4-Micro Food® (1x1) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 20 V 3.3A (TA) 1,5 V, 4,5 V 44MOHM @ 1,5A, 4,5 V 900 mV à 250 µA 18 NC @ 8 V ± 8v 630 pf @ 10 V - 780mw (TA)
SIA517DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA517DJ-T1-GE3 0,6400
RFQ
ECAD 26 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SC-70-6 Double SIA517 MOSFET (Oxyde Métallique) 6,5 W PowerPak® SC-70-6 Double télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n et p 12V 4.5a 29MOHM @ 5A, 4,5 V 1V @ 250µA 15nc @ 8v 500pf @ 6v Porte de Niveau Logique
SI1426DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1426DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2951 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1426 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-70-6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 2.8A (TA) 4,5 V, 10V 75MOHM @ 3,6A, 10V 2,5 V @ 250µA 3 NC @ 4,5 V ± 20V - 1W (ta)
IRFI510G Vishay Siliconix IRFI510G -
RFQ
ECAD 8574 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Irfi510 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRFI510G EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 100 V 4.5a (TC) 10V 540mohm @ 2,7a, 10v 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ± 20V 180 pf @ 25 V - 27W (TC)
SQD50N05-11L_GE3 Vishay Siliconix SQD50N05-11L_GE3 1,7000
RFQ
ECAD 952 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 SQD50 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 50 V 50A (TC) 4,5 V, 10V 11MOHM @ 45A, 10V 2,5 V @ 250µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2106 PF @ 25 V - 75W (TC)
SIHD11N80AE-T4-GE3 Vishay Siliconix SIHD11N80AE-T4-GE3 1 8000
RFQ
ECAD 9661 0,00000000 Vishay Siliconix E Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger 1 (illimité) 742-SIHD11n80AE-T4-GE3TR EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 800 V 8A (TC) 10V 450mohm @ 5.5a, 10v 4V @ 250µA 42 NC @ 10 V ± 30V 804 PF @ 100 V - 78W (TC)
SIZ790DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz790dt-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 6718 0,00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-PowerPair ™ Siz790 MOSFET (Oxyde Métallique) 27W, 48W 6-PowerPair ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 2 N-Canal (Demi-pont) 30V 16a, 35a 9.3MOHM @ 15A, 10V 2,2 V @ 250µA 24 NC @ 10V 830pf @ 15v Porte de Niveau Logique
IRFD9113 Vishay Siliconix IRFD9113 -
RFQ
ECAD 7221 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète - Par le trou 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) IRFD9113 MOSFET (Oxyde Métallique) 4 HVMDIP - Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 60 V 600mA (TA) 1,6 ohm @ 300mA, 10V - 15 NC @ 15 V 250 pf @ 25 V - -
SI3443CDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3443CDV-T1-E3 0,6200
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Si3443 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 TSOP télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 5.97A (TC) 2,5 V, 4,5 V 60 mOhm @ 4.7A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 12.4 NC @ 5 V ± 12V 610 PF @ 10 V - 2W (TA), 3,2W (TC)
SQS850EN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS850EN-T1_GE3 1.0300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® 1212-8 SQS850 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® 1212-8 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 12A (TC) 4,5 V, 10V 21,5 mohm @ 6.1a, 10v 2,5 V @ 250µA 41 NC @ 10 V ± 20V 2021 PF @ 30 V - 33W (TC)
IRF9Z24STRR Vishay Siliconix Irf9z24strr -
RFQ
ECAD 4600 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRF9 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 60 V 11a (TC) 10V 280MOHM @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 V ± 20V 570 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 60W (TC)
SI5445BDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5445BDC-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7597 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8 mm, plomb plat SI5445 MOSFET (Oxyde Métallique) 1206-8 Chipfet ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 8 V 5.2a (TA) 1,8 V, 4,5 V 33MOHM @ 5.2A, 4,5 V 1V @ 250µA 21 NC @ 4,5 V ± 8v - 1.3W (TA)
IRFR224PBF Vishay Siliconix Irfr224pbf 1.6200
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR224 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 250 V 3.8A (TC) 10V 1,1 ohm @ 2,3a, 10v 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ± 20V 260 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI9435BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI9435BDY-T1-GE3 0,9400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI9435 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal p 30 V 4.1a (TA) 10V 42MOHM @ 5.7A, 10V 3V à 250µA 24 NC @ 10 V ± 20V - 1.3W (TA)
IRF734L Vishay Siliconix IRF734L -
RFQ
ECAD 3534 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa IRF734 MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) * IRF734L EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 450 V 4.9a (TC) 10V 1,2 ohm @ 2,9a, 10v 4V @ 250µA 45 NC @ 10 V ± 20V 680 pf @ 25 V - -
SI7384DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7384DP-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 3167 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 SI7384 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 11a (ta) 4,5 V, 10V 8,5MOHM @ 18A, 10V 3V à 250µA 18 NC @ 4,5 V ± 20V - 1.8W (TA)
SIB911DK-T1-E3 Vishay Siliconix SIB911DK-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8880 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SC-75-6L Dual Sib911 MOSFET (Oxyde Métallique) 3.1W PowerPak® SC-75-6L Dual télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canal P (double) 20V 2.6a 295MOHM @ 1,5A, 4,5 V 1V @ 250µA 4nc @ 8v 115pf @ 10v -
SIRA90DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sira90dp-t1-re3 1 5500
RFQ
ECAD 13 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Sira90 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 100A (TC) 4,5 V, 10V 0,8MOHM @ 20A, 10V 2V à 250µA 153 NC @ 10 V + 20V, -16V 10180 pf @ 15 V - 104W (TC)
IRFB17N60K Vishay Siliconix IRFB17N60K -
RFQ
ECAD 8132 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 IRFB17 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRFB17N60K EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 17A (TC) 10V 420 mohm @ 10a, 10v 5V @ 250µA 99 NC @ 10 V ± 30V 2700 pf @ 25 V - 340W (TC)
2N6661JTX02 Vishay Siliconix 2N6661JTX02 -
RFQ
ECAD 1080 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 2N6661 MOSFET (Oxyde Métallique) To-39 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 20 Canal n 90 V 860mA (TC) 5v, 10v 4OHM @ 1A, 10V 2v @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 725MW (TA), 6,25W (TC)
SQJA60EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJA60EP-T1_BE3 1.1100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface PowerPak® SO-8 Dual SQJA60 MOSFET (Oxyde Métallique) PowerPak® SO-8 Dual - 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 60 V 30a (TC) 4,5 V, 10V 12,5 mohm @ 8a, 10v 2,5 V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 45W (TC)
IRF734PBF Vishay Siliconix Irf734pbf -
RFQ
ECAD 7243 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 IRF734 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * Irf734pbf EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 450 V 4.9a (TC) 10V 1,2 ohm @ 2,9a, 10v 4V @ 250µA 45 NC @ 10 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 74W (TC)
SIHG73N60AE-GE3 Vishay Siliconix Sihg73n60ae-ge3 11.4800
RFQ
ECAD 74 0,00000000 Vishay Siliconix E Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Sihg73 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247AC télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 25 Canal n 600 V 60a (TC) 10V 40MOHM @ 36,5A, 10V 4V @ 250µA 394 NC @ 10 V ± 30V 5500 pf @ 100 V - 417W (TC)
IRFI840G Vishay Siliconix IRFI840G -
RFQ
ECAD 4585 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé Irfi840 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté * IRFI840G EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 500 V 4.6a (TC) 10V 850mohm @ 2,8a, 10v 4V @ 250µA 67 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 40W (TC)
IRL640STRRPBF Vishay Siliconix IRl640strrpbf 2.9500
RFQ
ECAD 800 0,00000000 Vishay Siliconix - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab IRL640 MOSFET (Oxyde Métallique) D²pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 200 V 17A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5v 2V à 250µA 66 NC @ 5 V ± 10V 1800 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 125W (TC)
SUD50P08-26-E3 Vishay Siliconix Sud50p08-26-e3 -
RFQ
ECAD 1385 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Ruban Adhésif (tr) Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 Sud50 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal p 80 V 50A (TC) 10V 26MOHM @ 12.9A, 10V 4V @ 250µA 155 NC @ 10 V ± 20V 5160 PF @ 40 V - 8.3W (TA), 136W (TC)
SUP40012EL-GE3 Vishay Siliconix Sup40012el-ge3 2.3400
RFQ
ECAD 7391 0,00000000 Vishay Siliconix TRENCHFET® Tube Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Sup40012 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 40 V 150a (TC) 4,5 V, 10V 1 79MOHM @ 30A, 10V 2,5 V @ 250µA 195 NC @ 10 V ± 20V 10930 pf @ 20 V - 150W (TC)
IRFR9220PBF Vishay Siliconix Irfr9220pbf 1.8300
RFQ
ECAD 245 0,00000000 Vishay Siliconix - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 IRFR9220 MOSFET (Oxyde Métallique) D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 75 Canal p 200 V 3.6A (TC) 10V 1,5 ohm @ 2,2a, 10v 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 340 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock